全球存储科技-上调海力士、三星、南亚科技预期;目标价升至新高-Global Memory Tech-More optimistic on Hynix, Samsung and Nanya Tech; lift POs to new highs
2026-01-06 10:23

涉及的行业与公司 * 行业:全球存储芯片行业,特别是DRAM和NAND闪存市场 [1] * 公司:SK海力士、三星电子、美光科技、南亚科技 [1][3][4][5] 核心观点与论据 * 对存储行业和公司更加乐观:基于年末渠道检查,上调了对SK海力士、三星电子和南亚科技的目标价 [1][9] * 预计2026-27年将出现DRAM超级周期:基于五个原因:1) AI内存容量增加;2) 资本支出向HBM/eSSD倾斜,传统内存产能收缩;3) 洁净室空间有限;4) 新内存技术良率低或生产周期长;5) 基础设施资本支出负担重 [2] * 全球存储销售预测强劲:预计2026年全球DRAM销售额将达到2100亿美元,同比增长61%;NAND销售额将达到1180亿美元,同比增长50% [2][8][33] * 价格持续上涨:大多数一线OEM已同意2025年第四季度/2026年第一季度传统DRAM价格环比上涨30%+/15%+ [1] * 供应紧张,库存处于低位:DRAM和NAND供应趋紧,截至2025年12月,存储芯片制造商的成品芯片库存仅为3-4周,处于六年低位 [1][35][36] * 与2018年云繁荣周期相比更具优势:原因包括库存水平低、需求更多元化(ASIC和主权AI)、以及供应限制 [13] * AI内存需求多元化:包括HBM、SOCAMM、GDDR7、高速LPDDR5等,可能使行业周期性减弱,商业模式更接近晶圆代工 [14] * 传统内存需求虽弱但供应短缺:尽管传统内存需求可能因价格上涨而回落,但供应短缺和制造商提价策略将支撑高价格和高利润率 [15] * 新增产能主要影响2028年:新建工厂在2026-27年完工,但由于设备安装、试产、产能爬坡和低良率等问题,不会立即增加芯片供应 [16] * 高资本支出对晶圆产能影响有限:尽管资本支出创纪录(例如海力士2026年资本支出预计35万亿韩元,较2024年翻倍),但主要用于基础设施和旧厂升级,DRAM和NAND晶圆产能年增长率预计仅为个位数 [17] * ASIC与GPU需求共存,不会相互侵蚀:两者均使用HBM,但分别用于AI推理和训练,形成双赢局面 [18] * 存储芯片制造商之间存在共赢:海力士目前利润率最高,但三星和南亚科技也将受益于海力士产能满载后的增量需求 [19] * 双重订单和中美相关风险总体可控:当前高价订单基于实际需求,地缘政治风险在2026年预计低于2025年 [20] 公司具体分析与估值调整 * SK海力士 (全球首选): * 理由:强劲的盈利势头、HBM4领导地位以及传统DRAM/NAND利润率改善 [3][22] * 盈利预测:2025年第四季度/2026年第一季度营业利润(OP)预测为16.5万亿/19.6万亿韩元;2026年全年OP预测为86.2万亿韩元,较2025年的44.5万亿韩元大幅增长 [3][23] * 目标价:新目标价为1,000,000韩元,基于3.9倍2026年预期市净率(此前为3.6倍) [3][9][23] * HBM市场地位:连续两年保持HBM市场第一(2024-25年份额60%+),HBM4量产领先竞争对手两个季度以上 [22] * 三星电子: * 理由:更积极地提高DRAM价格,拥有全球最大的存储产能 [4][24] * 盈利预测:2026年预期每股收益(EPS)上调12%,基于DRAM平均售价(ASP)假设上调7%;2026年OP预计达86万亿韩元 [4][25] * 目标价:普通股目标价从150,000韩元上调至170,000韩元,基于2.4倍2026年预期市净率(仍低于海力士,因晶圆代工亏损和智能手机利润率受压) [4][9][25] * 南亚科技: * 理由:受益于传统DRAM(DDR3/DDR4/低端DDR5)短缺,因主要芯片制造商专注于HBM而不再大量供应此类产品 [5][26] * 盈利预测:2026年预期EPS上调15%,基于ASP假设上调6%;预计2026年营业利润率(OPM)将超过40% [5][26] * 目标价:新目标价为235新台币,基于3.5倍2026年预期市净率(此前为3.0倍) [5][9][26] 其他重要信息 * 行业预测数据(2026年预期 vs 2025年预期): * DRAM销售额:2100亿美元 (+61% 同比) vs 1303亿美元 (+48% 同比) [2][8][33] * NAND销售额:1180亿美元 (+50% 同比) vs 789亿美元 (+1% 同比) [2][8][33] * DRAM ASP:+40% 同比 vs +26% 同比 [8][12] * NAND ASP:+30% 同比 vs -10% 同比 [8] * 产能与资本支出: * DRAM晶圆产能年增长率:2026年预期为11%,2025年为8% [8][33] * NAND晶圆产能年增长率:2026年预期为6%,2025年为-4% [8][33] * 全球DRAM+NAND总资本支出:2026年预期为906亿美元,同比增长29% [33] * 应用需求: * 服务器(含HBM)是DRAM销售的主要驱动力,预计2026年将占DRAM总销售额的56% [40] * 智能手机DRAM销售预计2026年同比增长62% [40] * 预计2025-27年,服务器、SSD和汽车(DRAM嵌入式)的出货量年复合增长率较高,分别为9.9%、5.1%和6.8% [34] * 风险提示:报告包含利益冲突声明和免责条款,投资者应将其仅作为投资决策的单一因素 [6][7]