涉及的行业与公司 * 行业：存储行业，具体包括利基型存储（Norflash、利基型DRAM）、NAND Flash、AI服务器存储市场 [1][2] * 公司：华邦电、旺宏（万宏/万红）、兆易创新、普冉、恒硕、聚辰、三星、海力士、美光、英飞凌、中芯国际、华虹 [1][2][3][4][13][14][22][23][24][26] 核心观点与论据：市场动态与价格走势 * 2024年Q1价格全面上涨，但不同品类分化显著 * AI相关存储器件涨价约10% [1][4] * 端侧AI设备（耳机、眼镜、玩具）中大容量消费品涨幅5%-10% [1][4] * 车规产品补涨超50%，工业和医疗产品上涨30%-40% [1][2][4] * 小容量（128兆以下）产品因台湾厂商策略性退出，大陆厂商主导，涨幅达50%-70% [1][2][3][4] * 全年小容量产品预计累计涨价150% [1][3][4] * Norflash市场2024年展望：前高后低，全年涨幅超50% * Q2合约价格增幅超20% [1][5] * 下半年随产能释放，Q3增幅预计10%左右，Q4为5%-10% [1][5] * 全年总体合约均价预计增长超50% [1][5] * Norflash市场2025年展望：先平后涨，下半年涨幅超40% * 上半年价格横盘 [6] * 下半年全面涨价，Q3环比涨幅超20%，Q4继续上涨，下半年平均涨幅超40% [1][6] * 利基型DRAM价格因大厂减产而持续大涨 * 三星、海力士、美光等大厂减产，导致供需缺口 [2][26] * 2024年Q4：4Gbit及以下容量产品涨幅超40%，8Gbit及以上容量产品涨幅超60% [2][27] * 2025年Q1：4Gbit及以下容量产品再涨超40%，8Gbit及以上容量产品涨幅超50% [2][27] * 从2024年Q3开始价格已翻倍，2025年上半年预计还有50%增长 [27] * AI服务器驱动高价值量存储需求 * Norflash用量和价值随AI服务器升级而激增：NVIDIA H100系列价值量约55美元，H200系列接近300美元，GB200系列超过600美元 [1][9][11] * 2025年NAND Flash应用更显著，NVIDIA Loveland（Ruby架构）价值量超900美元 [1][10] * AI服务器厂商对价格不敏感，更关注供货和品质稳定性，导致相关存储产品毛利率极高（如1GB、2GB产品毛利率超70%） [8][10][11] * 中长期价格展望：易涨难跌 * 只要AI需求存在，行业价格就不会明显下降，最多涨幅收敛 [12] * 预计2026年Q1小厂商为回血可能继续提价 [7] 核心观点与论据：主要厂商策略与竞争格局 * 台湾厂商战略性放弃中小容量Norflash市场 * 原因：工艺上不愿投资新Solar工艺，沿用成熟浮栅工艺（45-46纳米）；行业趋势转向大容量、高毛利产品（256兆以上毛利率超50%，1GB/2GB超70%） [8] * 影响：市场由大陆中小厂商（普冉、恒硕、聚辰等）占据，其采用新工艺具有成本优势 [2][3] * 三大头部Norflash厂商扩产规划与模式差异 * 华邦电、旺宏：采用IDM模式，2025年底月产能均为2万片12寸晶圆，计划分别扩至2.3-2.5万片和2.2-2.3万片 [1][13] * 兆易创新：采用Fabless模式，2025年底月产能约1.6万片12寸晶圆，计划扩至1.7-1.8万片，但因代工厂提价（如中芯国际、华虹提价30%）扩张更谨慎 [1][13][14] * 华邦电具体产能与战略调整 * 产能分布：台中老厂（已完成折旧）总产能5.7万片，其中Norflash 2万片，SLC NAND Flash 1.2万片，DRAM 2.5万片；高新厂2025年产能将增至1.5万片 [15][24] * 战略转移：因应Flash价格上涨，计划将部分低利润DRAM产能（2026年约1万片）转移至利润更高的LOFT和SLC NAND Flash产品 [15] * 工艺路线：最新量产制程20纳米，计划2025年量产16纳米工艺 [2][18]，与兆易创新在16纳米制程上基本持平 [19] * 区域市场表现分化 * 兆易创新：主导大陆Norflash市场，份额超90%，2024年底至2025年初产品应用于超50个专案（汽车、机器人、手机等） [21] * 华邦电：在大陆市场停滞，主攻海外（日、韩、欧美），因技术支持不足、定制化需求响应慢而退出云南市场，仅接受终端客户主动需求 [2][20] * 3D定制化存储仍属利基市场 * 目前由兆易创新主导，2025年市场规模约1.5亿美元（10亿人民币），2026年预计增至20亿人民币 [22] * 三星、海力士、美光等大厂仍专注2D产品，因3D产品研发难度和成本高，难以成为主流 [22][23] 其他重要内容 * 华邦电库存状况：Norflash库存周期4-8周；SLC NAND Flash需求旺，库存仅3-4周；密集型DRAM库存略有上升但仍健康 [17] * 大厂减产策略细节：三星、海力士、美光并未完全停产利基型DRAM（包括DDR4），但持续减少其生产比例，从2024年上半年的50%以上降至2024年底的40%以内，2025年预计降至30%左右，将产能转向AI相关高级产品 [24][25][26][28] * DDR4产能规划：华邦电计划到2026年将DDR4总产能从3万片扩展至4万片，其中高新厂将扩展至2.5万片 [24]