先进封装行业电话会议纪要关键要点 一、 涉及的行业与公司 * 行业：半导体先进封装行业，特别是2.5D/3D Chip-on-Wafer-on-Substrate封装领域[1][2] * 主要公司： * 第一梯队（已量产）：盛和（年产能约120万颗）、通富（年产能约30万颗）[2] * 第二梯队（建设中）：长电（预计2026年底年产能50万颗）、华天（预计2026年底年产能50万颗）、永锡、华进半导体、珠海天成先进[2] * 第三梯队（非传统封测厂）：太极、日月星（布局消费电子/GPU/CPU的FCBG或OS封装）[2] * 非传统厂商：百维（在COWS领域有一定进展）、慧辰（无明显动作）[1][5] * 设备/材料供应商：盛美、中科飞测、北方华创、芯源微、上海微、新上微、宁波新丰、沈阳和颜、北京华丰、普莱信、南大光电、同创新材、安吉、新阳、鼎龙等[8][9][12][13][17] 二、 产能与规划 * 国内COWS封装总产能：2025年约150万颗/年，预计到2026年底将接近300万颗/年[1][3] * 产能扩张主要驱动力：长电、华天等第二梯队厂商的产能释放[1] * 主要技术路线：硅中间层技术[1][2] 三、 技术细节与良率 * 产品规格：主要为1个SOC加4个或6个HBM的组合，如H100[4][7] * 晶圆切割效率：一片晶圆大约可切割25到30颗芯片[4] * 产能换算：以盛和为例，年产120万颗芯片需加工约5至6万片晶圆[1][4] * TSV技术：大陆封装厂（如通富、永熙）已具备TSV制造基础，技术难度相对可控[6] 四、 投资与成本 * 生产线投资：建设一条年产100万颗芯片的2.5D全流程生产线，总体资本开支约10亿元人民币[7] * 投资分配： * 主要工艺设备费用约8亿元人民币[1][7][13] * 厂房建设和水汽处理设备约2亿元人民币[7] * 设备投资细分：光刻及电镀设备各需约5,000万元人民币；固晶及键合设备总计近4,000万元人民币；测试相关设施投入约3,000万元人民币[11][13][14] 五、 设备需求与国产化进程 * 设备需求特点：工序多（100至200道），需求体现在设备升级（如光刻机从GI线升级到TLF，固晶机升级到多芯片组合）和数量增加[8] * 整体国产化率：跨式先进封装国产化率已超过50%[1][8] * 分环节国产化率： * 高国产化率（≥50%）：PVD（物理沉积，70%）、涂胶显影（100%）、曝光机（100%）、电镀邦定及Micro Bumping（50%）、COW固晶机（70%）、锡银混合电镀液（>50%）、镍电镀液（约50%）、CMP抛光液（约50%）[8][9][12][16][17] * 低国产化率（<50%）： * 设备：3D AOI检测设备（约30%）、研磨切割设备（约30%）、光刻机与电镀机（金额最大，依赖进口）[2][9][12] * 材料：光刻胶（PR胶，<10%）、PSPI（约10%）、金电镀液（几乎0%）[2][13][16] * 几乎无国产化：晶圆级塑封设备、测试机（Final Test）[2][12] 六、 核心挑战与进入壁垒 * 战略与资金：需要公司高层明确的战略决策、足够的资金支持以及客户基础[5] * 回报周期：从研发到形成收入的回报周期长达3至4年[1][5] * 技术集成：需掌握邦定、RDL、FCBJ及TSV等核心技术[1][6] * 人才作用：从台积电挖人有帮助，但不能替代战略、资金和客户基础[1][5][6] 七、 上游材料与新兴技术 * 材料价格：上游材料价格普遍上涨10%到20%；存储器件（DRAM和NOR Flash）因产能与耗材问题涨幅达30%；消费类电子产品因产能紧张涨幅约20%[2][19] * 碳化硅中介层前景：具备良好散热和绝缘性能，但TSV加工工艺复杂、设备要求高，且碳化硅片制备工艺不成熟，大规模量产面临挑战[20] * 光刻技术方向：WLP封装解析力要求较低（约15微米）；LDI直写光刻在成本与效率上仍有挑战，国内设备尚不能满足亚微米级需求[18] 八、 其他重要信息 * 非传统封测厂商可能参与OS，但不一定建设全流程2.5D COWS生产线[5] * 大陆先进封装技术发展得到大量台湾团队成员的支持[6] * 检测设备市场70%份额被以色列Camtek占据[10] * 研磨切割设备市场70%份额被日本Disco占据[12] * 测试机市场70%以上被爱德万占据，10-20%被泰瑞达占据[12] * 金属材料日系品牌占主导地位[16] * CMP高端需求仍依赖国际品牌如Carbo或Fujimi[17]