全球NAND闪存市场研究报告关键要点总结 涉及的行业与公司 * 行业: 半导体行业，具体为存储芯片中的NAND闪存市场 [1] * 主要公司: 三星电子(SEC)、SK海力士(SKH)、铠侠(Kioxia)、美光(Micron)、西部数据/闪迪(SanDisk)、Solidigm、英特尔、长江存储(YMTC) [3][83][87] * 研究机构: 摩根大通(J.P. Morgan) [1] 核心观点与论据 长期市场动态与增长前景 * TAM增长加速: 未来三年NAND总市场规模(TAM)复合年增长率(CAGR)预计将加速至34%，远高于长期平均的10% [3][18][19] * 增长驱动力转变: 企业级固态硬盘(eSSD)需求激增，正将TAM增长曲线从低于10%推升至30%以上 [3] * 单位经济效益改善: 预测NAND每千片晶圆每月(Kwfpm)收入将从2025年预计的5.5万美元稳步上升至2027年预计的10.2万美元，五年前该数值为3.4万美元 [3] * 历史增长回顾: 过去25年，NAND位元需求增长因终端应用成熟而减速，但平均售价(ASP)跌幅放缓进行了补偿，使TAM仍以低双位数百分比CAGR增长 [3][14] AI成为关键增长引擎，eSSD需求爆发 * AI推理驱动存储需求: NAND正成为AI赋能者，AI推理驱动的存储需求激增，以及用于解决KV缓存卸载的新技术方法，将推动eSSD内容增长加速 [3] * eSSD需求预测: 预计未来3年eSSD位元需求CAGR将达+49%，到2028年eSSD位元需求达900EB，占NAND总位元需求的53% [3] * HDD短缺带来额外助力: HDD供应紧张为QLC企业级近线存储的采用提供了激励，进一步推动SSD需求 [3][117][146] * AI服务器存储需求激增: AI服务器存储内容与通用服务器的差距预计将扩大至3-3.2倍，预计每个AI服务器将至少配备70+TB存储，且未来可能更高 [134][139] * AI内存市场结构: AI将占全球内存TAM的近一半，预计在2024-2027E期间以约80%的CAGR增长 [59] * AI NAND vs AI DRAM: AI NAND市场规模仍远小于AI DRAM，预计2028年AI NAND TAM为700亿美元，而AI DRAM TAM为2200亿美元 [3][59] NAND与DRAM对比分析 * 投资者偏好差异: 投资者认为NAND不如DRAM有吸引力，原因包括市场分散、对中国市场依赖更强、消费电子占比更高、AI相关度较低 [3] * 资本支出纪律: NAND供应商的资本支出纪律更严格，预计2025-2027年平均资本密集度为16%，而DRAM为26% [3] * 技术路径差异: DRAM受限于前端制程迁移的物理限制，位元产出/晶圆已停滞在约5000GB/晶圆 [38] * NAND技术优势: 从平面NAND向3D NAND的转型使制造商能够垂直堆叠存储单元，在不显著增加成本的情况下提高容量，支撑了ASP [39] * 增长前景: 预计未来三年DRAM和NAND的TAM都将因位元需求和ASP增长而继续扩大 [41] 供应动态与产能约束 * 产能自然收缩: 层数/堆叠迁移导致NAND晶圆投入产能随时间自然收缩 [4] * 洁净室空间争夺: 随着TSV/堆叠相关设备强度上升，以及存储器制造商将增量洁净室空间分配给DRAM，预计主要存储器制造商的NAND洁净室面积份额将持续下降 [4] * 资本支出谨慎: 过去几年利润率不佳限制了供应商进行激进的产能扩张，行业资本支出保持纪律性 [3] * 产能增长预测: 鉴于紧张的供需动态和有限的产能增加，预计未来三年NAND供应位元增长将处于高双位数百分比范围 [283] * 技术节点迁移: 截至2025年，尽管行业迅速超越176层时代，但大部分位元仍低于200层 [292] * 产能地域分布: 全球NAND晶圆产能分布已从韩国和日本占主导，转变为韩国、中国和日本各占约30%份额，但地缘政治可能影响这一趋势 [294][297] 价格展望与终端应用价值占比 * ASP结构性上涨: 预计未来三年NAND ASP将以低双位数百分比上涨，这是自NAND闪存推出以来前所未有的趋势 [18] * 现货价格飙升: 512GB TLC晶圆的现货价格在过去七个月上涨了5.5倍，从7月的约2.70美元涨至1月的约15美元 [298] * ASP增长预测: 预计2026年混合ASP增长+40%，2027年为-2% [298] * 历史价值占比: 在2015-2025E的上一个周期峰值，NAND占消费电子设备价格的4%/11%，占平均服务器价格的5% [3] * 当前涨价空间分化: * 智能手机: 已超过峰值，涨价空间有限 * PC: 略低于峰值，有近10%的涨价空间 * 服务器: 大幅低于峰值，因AI服务器占比上升及物料清单成本增加主要集中在HBM、GPU、电源等，而非NAND [3] 技术趋势与竞争格局 * eSSD类型: 分为计算型eSSD和存储型eSSD，分别针对高性能计算任务和大容量数据保留优化 [106][107] * KV缓存卸载: 随着生成令牌数量变大变快，GPU内存限制成为关键瓶颈，KV缓存卸载成为扩展推理工作负载的重要方法 [133][137] * HBF技术: 高带宽闪存仍处于概念验证阶段，但未来成功商业化可能对行业供需产生积极影响 [4] * QLC技术发展: QLC SSD在2019年推出，通过每个单元存储4比特，理论上比TLC SSD的比特/单元高约33% [182] * 行业集中度: NAND市场集中度低于DRAM，受益于更广泛的应用和技术差异化，允许更多公司竞争 [87] * 主要供应商eSSD业务对比: * SK海力士/Solidigm在eSSD销售中占比最高，9M25达到约48% [229] * 三星电子和美光各占其NAND销售的36% [229] * 三星、SK海力士/Solidigm和美光三家占据eSSD市场约86%的份额 [229] 消费电子市场：增长饱和与结构性变化 * PC市场: 经历三年负增长后，2025年笔记本和台式机出货量预计以高个位数百分比增长，受AI PC和Windows 10生命周期结束推动 [235] * AI PC渗透: AI PC出货量和渗透率预计将进一步提升，推动结构性容量增长，尽管单位增长有限 [235][248] * 智能手机市场: 在两年正增长后，预计2026年全球智能手机出货量将萎缩，因组件成本飙升影响需求 [262] * 成本压力应对: 为缓解内存价格上涨影响，预计OEM将降低内存规格，例如坚持使用128GB/256GB而非512GB/1TB [262] * SSD占比: 截至2025年，SSD占NAND位元需求的54%，智能手机占约30%，其他应用占中双位数百分比 [90] 投资观点与股票推荐 * 关键股价驱动因素: 定价势头、AI数据中心硬件建设及相关存储需求前景、供应/生产更新，这些因素在NAND和DRAM中相似 [4] * 行业观点: 对NAND持多年建设性观点，更强更长的上行周期是普遍适用原则 [4] * 看好标的: * 在亚洲存储领域，看好铠侠作为纯NAND标的，因其高于行业的服务器组合扩张增长前景 [4] * 在更广泛的存储领域，继续看好三星电子、SK海力士、华邦电和慧荣科技 [4] * 在亚洲半导体设备领域，看好东京电子 [4] 其他重要但可能被忽略的内容 * 报告日期: 2026年1月23日 [5] * 免责声明: 摩根大通与其研究报告所涵盖的公司有业务往来，可能存在利益冲突 [2] * 数据来源: 包括公司报告、WSTS、Omdia、IDC、Gartner®、TrendForce等 [8][12][45][66][91][117] * 单位换算说明: Kwfpm (千片晶圆每月), EB (艾字节), TB (太字节), GB (吉字节), MB (兆字节) [3][8][15][90][134]