行业与公司 * 行业: DRAM(动态随机存取存储器)行业,涉及上游存储芯片制造、下游分销及服务器ODM(原始设计制造商)[1][6] * 主要提及公司: * 存储制造商:南亚科技 (Nanya Tech)[1][9]、三星电子 (Samsung Electronics, SEC)[10][33][45]、SK海力士 (SK Hynix Inc.)[11][33][45] * 服务器相关:Aspeed (全球最大服务器BMC供应商)[6][8]、台湾服务器ODM厂商 (Inventec, Quanta, Wiwynn, Wistron)[8] * 分销商:至上电子 (Supreme Electronics)[10] * 其他:中国智能手机市场[9] 核心观点与论据 * 整体市场情绪:2026年1月DRAM市场情绪指标指向“适度积极”方向,与2025年12月持平[1][6] * 价格展望积极:现货价格强劲上涨,预示近期合约价格可能大幅提升[1][7] * 现货价格:DDR5现货价格自新年伊始恢复强劲上涨,DDR4现货价格自2024年9月以来的涨势持续[7] * 溢价水平:截至报告日期,DDR5/DDR4现货价格分别较2025年12月合约价格有76%和172%的溢价[7] * 合约价格预期:基于渠道核查,部分移动市场客户已开始接受2026年第一季度的报价,其中DRAM和NAND的涨幅均显著高于2025年第四季度达成的协议[1][13];市场对2026年第一季度传统存储价格增长的预期在过去几周持续上升,目前水平与2025年第四季度相似甚至更高[12] * 关键数据点支撑: * 南亚科技营收:2025年12月营收同比增长445%,已连续5个月实现三位数同比增长,且增速在加快(2025年8月至12月同比增速分别为+141%/+158%/+262%/+365%/+445%)[1][9] * 服务器需求强劲:受机架级AI服务器出货量增加推动,2025年12月台湾服务器ODM厂商月度营收同比增长94%,并已连续13个月实现50%以上的同比增长[8];Aspeed月度营收在高基数(2024年12月同比增长131%)下仍实现18%的同比增长[8] * 韩国DRAM出口:受供应紧张推动价格上涨影响,2025年12月韩国DRAM出口额同比增长72%[8] * ASP(平均销售价格)增长:对三星电子2026年第一季度DRAM混合ASP的预估为环比增长约50%,预计该季度ASP增长的二阶导数约为+7个百分点[10] * HBM(高带宽存储器)观点:对SK海力士2026年HBM业务,高盛预计出货增长将高于市场共识,但对价格看法更为保守[11] * 出货增长:高盛预期为47%,较市场共识(38%)高出9个百分点[32] * 价格增长:高盛预期为-14%,较市场共识(3%)低17个百分点,主要因预期HBM3E 12-Hi价格将有显著下调[11][32] * 营收与营业利润:高盛对2026年HBM营收和营业利润的预期分别为270亿美元和170亿美元,均低于市场共识的320亿美元和200亿美元[32] 其他重要内容 * 目标价与评级: * 三星电子:普通股目标价180,000韩元,优先股目标价142,000韩元,评级均为“买入”[33][45] * SK海力士:目标价700,000韩元,评级为“买入”[35][45] * 风险提示: * 行业通用风险:存储供需严重恶化;智能手机/PC/服务器需求疲软影响传统存储需求;AI相关资本支出降低影响HBM需求[34][37] * 公司特定风险(三星电子):智能手机利润率大幅收缩;移动OLED市场份额流失[34] * 公司特定风险(SK海力士):技术迁移延迟;三星在HBM业务上的积极进展可能影响其HBM营收和利润[37] * 智能手机市场:2025年11月中国智能手机出货量同比增长2%,已连续5个月同比增长,但1月至11月的累计出货量呈持平趋势[9] * 次要数据点:至上电子2025年12月营收同比增长32%[10];2025年11月中国智能手机出货量环比下降8%[3]
DRAM 情绪指标:2026 年 1 月-DRAM 合约价格短期上行空间强劲-GS DRAM Sentiment Indicator_ Jan. 2026_ strong near-term upside in DRAM contract pricing
2026-01-26 10:49