全球内存行业月度价格追踪纪要总结 (2026年1月) 涉及的行业与公司 * 行业：全球内存（DRAM与NAND闪存）行业 [1] * 涉及公司：三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）、美光科技（Micron）、铠侠（KIOXIA）、闪迪（SanDisk）[7][8][9][10][11][12] 核心观点与论据 1. 价格涨幅远超预期，呈抛物线式上涨 * DRAM合约价：2026年1月环比（MoM）上涨超过50%，相比2025年第四季度（4QCY25）上涨86% [2][3][14] * DRAM细分市场：PC DRAM合约价相比4QCY25上涨98%，服务器DRAM上涨90%，移动DRAM上涨89%，消费类DRAM上涨60% [3] * NAND合约价：2026年1月环比上涨约30%，相比4QCY25上涨75% [4][5] * NAND季度指引：2026年第一季度（1QCY26）NAND晶圆及移动NAND合约价预计环比上涨74% [5][20] * 现货价格：PC DRAM（DDR4和DDR5）现货价1月环比上涨27%，服务器DDR5现货价环比暴涨110% [2][18] 2. 价格上涨的主要驱动因素 * 云服务提供商（CSP）需求：持续强劲的AI相关需求是主要驱动力，预计将支撑全年价格维持高位 [3][6][22] * 库存低位与提前采购：PC和智能手机OEM厂商库存处于低位，且因担忧后续涨价而进行提前采购，暂时延缓了终端需求破坏 [3][6][18] * 供应紧张：供应商供应量持续收缩，且将更多产能优先分配给高利润的服务器市场，导致其他市场供应紧张 [3][5][18][22] 3. 未来价格走势展望 * 涨幅预计放缓：进入2026年第二季度（2QCY26），DRAM合约价涨幅预计将放缓至20-25%的环比增速 [3][18] * 终端需求面临压力：由于内存成本上升，预计2026年全年PC出货量将同比下降5%（报告认为此预测过于乐观），智能手机出货量可能收缩7-15% [6][18][22] * 价格高位维持但将趋平：在CSP需求支撑下，价格预计在2026年内保持高位，但随着资本开支增加逐渐转化为供应，价格上涨预计在2026年底逐渐趋平，并在2027年开始正常化 [6][18][22] * NAND面临结构性挑战：长期对NAND持更谨慎态度，主要因为来自中国（如长江存储YMTC）的竞争加剧 [22] 4. 各细分市场动态 * PC DRAM：OEM厂商为应对成本上涨，预计将商用PC价格提高10-30% [18] * 服务器DRAM：全年服务器出货量预计增长13%，且存在进一步上修可能，需求预计全年都将无法被完全满足 [18] * 移动DRAM：供应异常紧张，供应商旨在将所有终端市场的定价和盈利能力拉至相似水平 [18] * 消费类DRAM：部分客户已难以承受高价，但由于全行业短缺，涨价持续 [18] 其他重要内容 1. 投资建议与目标价 * 三星电子：评级“跑赢大盘”（Outperform），目标价140，000韩元 [8][93] * SK海力士：评级“跑赢大盘”，目标价750，000韩元 [9][95] * 美光科技：评级“跑赢大盘”，目标价330美元 [10][96] * 铠侠：评级“跑输大盘”（Underperform），目标价7，000日元 [11][97] * 闪迪：评级“跑赢大盘”，目标价1，000美元 [12][97] 2. 方法论与数据说明 * 行业平均售价（ASP）变化是基于不同应用产品（PC、服务器、移动、消费类）的加权平均值计算得出，DRAM权重分别为：移动34%、服务器34%、PC 9%、消费类15% [21] * NAND行业ASP基于eMMC/UFS（权重40%）和NAND晶圆（权重60%）的加权平均 [21] * 样本中未包含SSD和HBM（高带宽内存），其影响会单独考虑 [13][21] * 公司财报报告的ASP可能与追踪的合约价涨幅不同，原因是合约覆盖期与财季不完全对齐、产品组合差异以及HBM定价影响（1QCY26 HBM价格预计环比下降） [18] 3. 主要风险提示 * 下行风险：有利的价格环境提前结束，原因可能是需求弱于预期或供应增加过快 [98][99][100] * 投资者情绪与估值风险：市场情绪变化可能影响公司获得的估值水平 [98][99][100] * 中国内存产业进展：中国在内存领域，尤其是NAND方面的进展是一个下行风险 [98][99][100][101] * NAND结构性风险：NAND的疲软可能超出当前周期，变得更加结构性，从而影响相关公司的资产价值和DCF估值 [102]