存储供需错配仍将延续-产业链公司持续受益-存储巨头与台股2025年2026年1月经营总结
2026-02-24 22:16

行业与公司 * 行业:存储行业(DRAM、NAND Flash、HBM等)[1] * 公司:存储巨头(三星、SK海力士、美光)、台股公司(南亚科、华邦电、威刚、金豪科、宏旺、创建公司)、云厂商(谷歌、微软、Meta、亚马逊、字节跳动、阿里巴巴)、其他产业链公司(澜起科技、海光信息、寒武纪、工业富联等)[1][2][7][11][14][16][18][22] 核心观点与论据 市场供需与价格 * 供需持续紧张,价格维持高位:存储产品价格自2025年以来显著上涨,DRAM价格涨幅达三倍[1][3]。尽管涨势趋稳,但市场寡头垄断格局预示未来价格将维持高位,难以回落至历史低点[1][4]。预计2026年DRAM和NAND供需缺口将达峰值,分别为负4.9%和负4.2%[1][6] * 供给增长受限:存储巨头扩产面临物理性能瓶颈,HBM后端验证周期长达一年半,洁净室空间不足亦构成制约[1][5]。从建厂到量产需两到三年,限制了短期内高端产品供给的爆发性增长[1][5][13] * 缓解时间表:2027年底,中国厂商(如长鑫)扩产有望缓解供需紧张,2028年供给状况或将改善[1][6] * 价格倒挂现象:存储行业存在第4代与第5代产品价格倒挂现象(例如第4代产品价格78.41美元 vs 第5代产品价格38.07美元),主要由于大厂将产能转移至高端HBM产品所致,预计第4代产品价格未来会回落至合理水平[15] 行业表现与结构变化 * 行业营收增长:2025年存储行业整体营收同比增长8.09%,达145.76亿新台币[1][9] * 供应链结构变化:三大存储巨头削减传统产能,供应链呈现多点开花局面[1][9]。三大存储巨头将部分终端和低端市场让给其他产业链企业,使得台企等获得更多市场份额[11][14] * 技术迭代与竞争:三星预计2026年底量产1C纳米技术,美光即将推出LPDDR6,而长鑫仅具备LPDDR5X量产能力,表明技术追赶仍需努力[3][12] * 产品应用与特性:QLC在服务器中应用广泛,但使用寿命较短,约为SLC的百分之一(QLC约1,000个PE循环 vs SLC约10万个周期)[1][9] 产业链公司业绩与动态 * 台企业绩显著增长:受益于AI需求和存储市场结构调整,台企业绩显著增长[1][7] * 南亚科:收入连续五个月增长,同比增幅达608%,预计新增产能2027年释放[1][7] * 华邦电:营收连续七个月创新高,计划投资350亿新台币扩产NAND Flash[1][7] * 威刚:1月营收同比增长200%[1][7] * 金豪科:1月营收同比增长129.42%[7] * 创建公司:2026年1月营收达37.6亿新台币,同比增长440.61%,环比增长55.68%[11] * 宏旺公司:收入同比增长51.41%,环比增长14.61%,计划通过220亿新台币资本支出将12英寸标准晶圆片月产能从2万片扩展到3万片[14] * 模组厂与颗粒厂面临不同挑战:纯模组厂因需购买高价颗粒,成本控制难度大,利润可能被侵蚀;颗粒厂则能够稳定获利[10] * 库存与供应链压力:存货周转天数相比2023年有所缩短,但供应链压力依然较大,例如海力士的存储模组库存仅能维持2-3周,而正常情况下应维持在10周左右[2] 资本支出与AI需求驱动 * 颗粒厂资本支出扩大:各主要颗粒厂家扩大资本支出以支持AI基础设施建设[3][15] * 美光:计划将资本支出从120亿美元增加至200亿美元,用于扩展HBM和eDRAM节点[15] * 三星电子:计划投入398亿美元[15] * SK海力士:计划投入35万亿韩元,其中90%用于DRAM升级[15] * 云厂商资本开支强劲:谷歌、微软、Meta和亚马逊等云厂商亦加大资本开支力度以支持AI[3][16] * 谷歌:预计2026年资本开支达1,750-1,800亿美元[16] * 微软:预计1,180亿美元,其中2/3用于服务器[16] * Meta:预计1,150-1,350亿美元[16] * 亚马逊:重点投资云业务[16] * 国内云厂商投资:字节跳动2020年资本开支预计为230亿美元,其中85亿美元用于AI处理器;阿里巴巴计划未来三年在AI和云计算上投入3,800亿到4,800亿元[18] * 潜在风险:云厂商资本开支的增速远超营业收入增速,若收入不能实现大规模增长,高资本开支趋势可能难以维持,将直接影响下游DRAM和NAND的需求[17] 其他重要内容 新技术与产品 * 新产品发布:美光发布了第五代GC、QLC SSD产品;澜起科技发布了PCIe 6.x与CXL 3.x AEC方案[20] * 颠覆性技术:加拿大TALOS公司推出将大模型与CPU焊接在一起的新技术,抛弃HBM显存,将数据存储于SRAM中,处理速度极快(如TALOS H1C HCE芯片每秒可处理17,000个Tokens,而市场同类产品仅200-300个Tokens)[21]。但该技术存在经济性问题(成本高、周期长),短期内难以大规模推广,对当前存储市场影响有限,长期看若可行将对HBM和NAND产生剧烈冲击[21] 投资建议 * 推荐关注标的: * DRAM与NAND领域:互联芯片企业(澜起科技),台股(南亚科、华邦电、威刚、金豪科)[22] * 处理器与GPU领域:海光信息、寒武纪[22] * 服务器整机:工业富联、中科曙光、浪潮信息[22] * 核心部件:液冷设备(曙光数创),光模块(新易盛、天孚通信、中际旭创、华丰科技)[22] * IDC领域:数据港、云赛智联[22]

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