电话会议纪要关键要点总结 涉及的行业与公司 * 行业：PCB（印制电路板）供应链，特别是CCL（覆铜板）及上游电子铜箔行业[1][2] * 公司： * 材料供应商：建滔、生益科技、南亚新材、台光电子[2] * 海外铜箔厂商：日本三井（Mitsui）、MGC、斗山、利森诺克[2][5][7] * 其他海外厂商：金居、古河[7] * 国内铜箔厂商：德福、隆扬电子、诺德股份[10] * 国内研发企业：华为系（涉及双邦、龙阳等）、武汉信创元[14][16] * 科技/终端客户：英伟达、北美四大云厂商、Apple、OPPO、vivo、华为[11][12][16] 核心观点与论据 涨价周期与驱动因素 * 涨价节奏：PCB供应链自2025年上半年起经历三轮调价[1] * 第一轮：2025年5月，基础原材料普调约5%10%[2] * 第二轮：2025年第四季度（10-12月），普遍上调10%以上[2] * 第三轮：2026年一季度，海外头部客户推动中高端材料预计上涨至20%水平；国内供应商预计滞后1-2个月跟进，涨幅约10%[2] * 驱动因素： * 需求回升：AI驱动、消费电子回暖、中国大陆国补政策刺激，带动AR、高阶材料、高多层板及高阶HDI应用需求上行[1][2] * 成本上升：树脂、铜箔、玻纤布全线上涨[1][2] * 铜箔成本占CCL接近30%[3] * 2025年铜价上升约1万人民币/吨，且铜箔加工费普调30%以上[3] * 玻纤布在不同类型CCL中占比约20%50%[3] * 供给紧张：高端产能扩张周期长（通常至少1.52年），且需重新获得高端客户认证，导致高端材料（如LD、PDF、LCE相关材料）供给紧缺且缺口持续扩大；中低端扩产约1年可实现[3] 不同类型铜箔的价格表现与趋势 * 整体趋势：四类主要铜箔（常规HTE、反转RTF、高速低轮廓HYP、载体铜）自2025年至2026年整体处于持续上涨状态[4] * 常规HTE铜箔： * 2025年第三季度加工费普调约1,5002,000人民币/吨[4] * 2026年一季度加工费进一步上调，幅度接近5%[4] * 反转RTF铜箔：2025年第三季度至2026年第一季度累计涨幅超过15%，目前约在20%左右[4] * 高速低轮廓HYP铜箔： * 涨价幅度：2025年全年涨价超过30%[1][5] * 供需缺口：受AR需求拉升，主要用于M6、M7、M8、M9等新材料体系[5]；需求每月约3,000吨~5,000吨，而三代以上HYP铜箔月供应不足2,000吨，缺口显著[5] * 交期拉长：以日本三井为例，交期由约45天延长至约65天或75天[5] * 未来预期：2026年一、二季度仍有继续上涨10%~15%的空间[1][5]；需求景气度至少可看到2027年年底[7] * 载体铜箔： * 涨价幅度：2025年至2026年涨幅超过35%[1]，整体涨价接近35%[2][5] * 计价方式：按平方米计价，非按吨计价[5] * 价格水平：以常规520×650尺寸为例，量大情况下约55元/张，折算后约160元/平方米，换算成吨约为60万人民币/吨[16] * 交期拉长：已提升至接近2个半月到3个月[2][15] * 未来预期：需求景气至少可看到2027年年底[7] 铜箔加工费水平 * 加工费与规格相关[6]： * 30微米HTE/HDE铜箔加工费约6万人民币/吨[1][6] * 18微米RTF铜箔加工费约10万人民币/吨[1][6] * 12微米HVIP铜箔：三代约20万人民币/吨，四代接近30万人民币/吨[1][6] * 载体铜箔加工费：若折算为加工费，水平较APP同步高约两倍，经常达到40万-50万人民币/吨[14] 产能与技术壁垒 * 产线切换难度大：不同品类工序存在差异，低端向高端切换通常需要更换生产设备；涉及HYP及载体铜等产品还需涂布、涂层参数与配方调试，通常需要换线或新建产线[1][7] * 产能转移：头部厂商（如三井、金居、古河）将产能重点投向HVIP、载板用VIP以及载体铜等利润更高的产品，并释放部分中低端铜箔由中国内陆厂商承接生产[1][7] * 高端产能认证周期长：新建/扩建高端产能需重新获得高端客户认证，周期更长[3] 需求驱动与应用场景 * 载体铜箔需求驱动： * 服务器主板用量上升[2][14] * 手机主板升级：Apple手机主板采用SLP（类载板），需使用M300工艺，带动载体铜需求；国内OPPO、vivo、华为等仍以HDI为主[10][11][14] * 光模块升级：从400G/800G向800G/1.6T切换，大部分方案开始采用M3相关工序，对载体铜需求急剧拉升[2][11][14] * 1.6T光模块主流设计方案以MSapphire的14层或16层SRP为主，其中普遍需要12层及以上层数使用载体层[11] * AR主板走向SLP[2][14] * 高阶存储封装：AI驱动带动存储暴增，DRAM与NAND Flash等通常封装在BT载板，中高阶存储载板往往需要M3工艺，增加载体铜需求[10] * 技术升级影响： * 英伟达CoWoS与COB封装：2025年7月提出的COB（Chip On Wafer On PCB）方案省去载板环节，将裸晶圆直接封装在硬质基板上并连接到PCB，显著抬升PCB要求，需要以载板工艺制作PCB（升级为SLP），线路等级推进到20微米线宽/线距，需要使用载体铜来制作Msub工艺[12][13] * HYP铜箔需求：主要受AR相关诉求拉升，用于M6、M7、M8、M9等新材料体系[5]；2026年在服务器需求增加以及GB300、Ruby相关储备、光模块与交换机需求增加背景下，紧缺程度进一步提升[5] 市场格局与竞争态势 * 载体铜箔供应高度集中：全球供应以海外为主，日本三井占载体铜箔份额90%以上[5][14] * 国内厂商进展： * 高频高速铜箔：德福、隆扬电子、诺德等在头部客户端进行送样验证，但尚未形成大规模批量供应[10] * 载体铜箔：华为系在推动研发验证（涉及双邦、龙阳等），但尚未形成批量供应[14]；德福此前拟收购卢森堡相关资产布局载体铜未成功[14] * 离子键式工艺：武汉信创元具备相关工艺能力，但产能与良率稳定性仍不足，批量生产层面未成熟[16] * 价格传导机制：较大型公司通常在中长期协议中写入原材料调价机制（例如基础原材料涨价超过8%时启动调价），以降低原材料波动对利润的扰动[2][8][9] 未来展望与价格预测 * 2026年下半年展望：铜箔仍有较大概率继续涨价[1][7] * 中高端材料：涨价预期较强，预估原材料价格仍存在至少15%以上的上涨空间[5][7] * 中低端铜箔：随着中国内陆产能逐步释放，2026年年末可能达到阶段性平衡，继续上行空间将收窄[1][7] * 载体铜箔中长期市场空间：技术维度看市场空间很大，存在取代HYP铜箔的可能，但商业化维度仍需考虑经济性，因其成本高于HYP铜箔[16][17]；其应用空间取决于COB等方案能否试行成功及北美云厂商是否规模化跟进[16]