北京君正(300223) - 300223北京君正投资者关系管理信息20260428
北京君正北京君正(SZ:300223)2026-04-29 18:06

产品结构与制程 - DRAM产品中,DDR4和LPDDR4的占比大幅提升,一季度已超过DDR3,预计全年将保持最大占比 [2] - DRAM销售结构此前DDR3约占一半,一季度有所下降 [2] - 25nm制程的DDR4和LPDDR4收入也在增长,并非完全由新制程(18nm/16nm)驱动 [2][3] - 存储产品结构变化:因DRAM和Flash增长快,SRAM占比下降,DRAM和Flash占比提升 [4] 产能、供应与成本 - 公司新增三家DRAM代工厂,并提前备货,其中新制程产品占比较高 [2] - DRAM全年量增长受限于产能紧张,收入增长主要来自价格增长,价格预计逐季提高 [6] - 对车规和工业客户采取分货方式,存货不会在今年全部消耗,会留部分给明年 [6] - 计算芯片因原材料KGD缺货,也采用分货方式,无法保证所有客户需求 [3] - 正在积极沟通并寻找新的DRAM代工资源,预计明年底年中或下半年可能新增产能,但存在不确定性 [6] - Nor Flash产能比DRAM好,但封测(如基板)比较紧张 [5] 财务与市场表现 - 一季度计算芯片收入增长大部分由价格贡献 [3] - 计算芯片后续预计会提价,毛利率可能波动,但今年有把握保持相对高于原来的水平 [4] - Nor Flash一季度收入增长中,销量增长贡献大于价格贡献 [5] - 三星、美光等大厂退出车规LPDDR4和工业DDR4市场,其客户在寻找新供应商 [9] 新产品研发与规划 - 端侧算力新产品为4T算力芯片,主要应用于智能视觉(如IPC芯片、泛视觉、运动视觉产品),预计下半年提供样品,今年无批量销售收入 [7][8] - 计划下一步推出32T到64T算力的端侧芯片,以运行参数规模较小的大模型 [8] - 3D DRAM(堆叠DRAM)正紧密研发,面向边缘端大模型,预计2024年底或2025年初投片,目前进度受DRAM产能紧张影响 [8] - LPDDR5研发已在进行,需要更高的工艺节点(目前16nm工艺不太适合),正持续寻找新的代工伙伴配合 [9] - PSRAM(采用SRAM接口,DRAM内核)是SRAM品类中的重点研发方向,在穿戴式等需要大容量的应用中是新增领域 [10][11][12] 应用领域与客户策略 - Nor Flash应用于AI服务器和光模块领域,增长较快,但具体客户和营收占比不便披露 [4][5] - 公司经营战略短期重点是保供和解决供应链卡点,长期是向AI存储、LPDDR5、新工艺等未来方向布局 [9] - DRAM方面,公司选择优质新客户纳入供应体系,但难以支持特别多的新客户 [9] - 计算芯片主要供应品牌客户,通过网上商城每周放量以支持中小客户,但供应非常紧张 [10] 技术市场与产品定位 - DRAM与SRAM市场规模完全不同,SRAM属于成本较高的长尾小众市场,两者谈不上大规模替代 [10][11] - 当前DRAM缺货可能导致部分产品用SRAM替代,但非大中型替代 [11]

北京君正(300223) - 300223北京君正投资者关系管理信息20260428 - Reportify