半导体超级周期-存储产业更新
2026-07-21 12:50

行业/公司 * 存储行业(DRAM、NAND Flash、HBM)[1] * 主要公司:三星、海力士、美光、长鑫存储、长江存储、澜起科技、瑞萨、Rambus[1][2][7][22] 核心观点与论据 价格趋势与周期 * 预计存储价格在 2027年中旬前 维持上涨通道,但涨幅收敛;2027年下半年 随新建厂房产能大规模释放,市场供需将反转进入下行周期[1][4][5] * 若排除政府干预,基于市场供需,到 2026年底 存储产品仍会继续涨价,2027年中旬 涨幅可能减弱至个位数[4] * 美国 337调查 或催化 2026年10-11月 出现价格拐点,预计三星、海力士、美光等原厂可能主动降价 5%-8% 以对冲反垄断压力[1][2] * 若原厂在第四季度主动降价,结合市场涨价动力,最终可能导致第四季度整体价格环比不增不减,维持相对稳定[11] 细分市场与产品价格分化 * HBM:供需缺口持续,预计到 2027年第一季度 价格涨幅或达 60%-70%,毛利率可能从目前的 80%多 冲刺接近 90%[1][27] * HBM与DRAM毛利率:从均值看,HBM毛利率仍比DRAM平均毛利率高出约 9个百分点,部分高端DDR5产品与HBM存在毛利率倒挂[25][26] * 降价路径结构性差异:若进入降价周期,顺序为:消费电子首当其冲,随后为利基型产品服务器汽车电子价格韧性最强[1][6] * NAND市场两极分化:企业级SSD(eSSD)因AI需求可能持续涨价,而消费级NAND产品或因下游无法承受而降价,发生概率较大[1][24] * 企业级SSD:容量将持续增大,未来可能达十几甚至二十TB,是带动NAND市场的关键场景,但其在晶圆中的产出比例有上限(如V9制程极限约 33%)[24] 产能、供应与扩产 * 产能扩张方式:1) 新建厂房(需 1.5至2年2027年中旬后释放);2) 现有厂房增加设备(耗时 5至6个月);3) 技术改进/产线转换(如旧制程升级)[3] * 通过后两种方式,预计 2026年 可分别增加约 13万片 的DRAM和 15万片 的NAND产能[3] * 到 2027年,随着新建厂房产能释放,预计将带来 30万片至35万片 的DRAM产出[3][4] * HBM扩产:目前全球HBM月产能约 32.6万片(三星 14万片,海力士 15万片,美光 3.6万片),对应每年约 1,600万张 GPU板卡,但2026年总需求远超此数[5] * HBM扩产对传统产能挤占有限:因传统DRAM毛利率也相当可观,且DRAM产线转HBM效率约为 3:1(三万片DRAM产能转换成一万片HBM),HBM扩产将主要依赖新建产能[1][5][6] * 设备供应:设备制造商交付周期从原来三个月被动延长至 五到六个月,但关键设备供应尚可,未出现因设备无法交付导致产能扩张受阻的情况[18] 中国存储厂商的影响 * 长鑫存储、长江存储 目前在各自领域已占据 12%至15% 的市场份额,预计每年以 8至10万片 速度扩张,未来市占率可能提升至 15%至17%,主要冲击中低端市场[1][7] * 技术差距:长鑫存储最高工艺为 15.8纳米 D1Z,与国际厂商差距约两代;长江存储V8技术(232层)与国际V9(296层)相差约一代[7] * 成本与定价优势:因采用较多本地化设备和材料,国内存储厂商成本约比海外厂商低 8%至9%,对外报价通常比市场主流水平低约 9%至11%[9] * 市场影响:预计到 2028年 后份额可能达到平台期,因持续抢占中低端市场存在上限,需向高端市场渗透才能进一步提升份额[1][7] * 出海逻辑与瓶颈:短期内因全球AI需求挤占产能,存在产品出海逻辑;主要瓶颈在于海外客户缺乏评估动力,需在成本(价格更低)和同等技术水平上性能更强寻求突破[8][21] 市场格局与竞争动态 * 本轮涨价周期中,三星和海力士 占据主导地位,美光话语权相对较弱,主要由产能占比和技术实力(尤其在HBM市场领先)决定[13] * 目前美光、三星、海力士三家报价差异非常小,不超过 3%;若三星和海力士在 11月或12月 降价,美光大概率会跟进以争夺市场份额[11][12] * 内存接口芯片 成为反垄断调查切入点,因市场格局高度集中(主要由澜起科技、瑞萨、Rambus主导),澜起科技市场份额一度达 40%,且该环节价值占比低(一颗RCD芯片价格不超过 10美元),更容易从垄断角度指控[1][22][23] 下游需求与库存 * 近期现货价格上涨原因:合约价上涨、现货与合约价差已很小、大部分产能被合约锁定导致现货供应趋紧、市场各方有意愿抬升现货价回归正常水平[14] * 消费电子 拉货高峰通常出现在第二季度,以应对第三季度销售旺季[15] * 当前未观察到下游客户大规模削减订单,服务器领域客户(AWS、Google等)订单量基本符合计划甚至增加,仅部分消费电子客户拉货量小幅减少[15] * 渠道库存:经销商库存约 两个月至不足三个月,并非高水位,且囤货难度越来越高;代理商库存水位在 半个月到三个月左右,与正常水平相当;模组厂囤货量可能较少[16][17] * 预计未来库存水平将基本维持现状,因产能增长与需求增长基本持平,无足够额外产能供渠道增加库存[18] 其他重要内容 技术进展 * LPDDR6:各原厂技术储备已就绪,预计 2026年10月至11月 左右开始规模化量产,速率达 10.7GB/s,将应用于高端旗舰手机[1][22] * SoC an:开发已基本完成,但大规模推广预计要到 2027年中旬以后,受制于客户接受度、成本及性价比问题[22] 区域市场与供应链 * 三星(西安)、海力士(无锡、大连)在中国大陆工厂的产能供给多于本地需求,因设备限制其产品技术通常比韩国本土落后 一代到一代半,但对国内市场的供应比例反而增加[20] * 三星、海力士在中国的产能,加上长鑫、长江存储的产能,整体上能够满足国内市场需求[21] 长期协议(LTA)影响 * 尽管原厂与部分CSP厂商签订了 三至五年 的锁量锁价长协,但原厂在 11月后 主动降价的可能性依然存在(取决于调查结果)[10] * 长协价格区间通常每年重新谈判,以上一年度当前季度的合约价上限为新一年度签约基准,因此客户在 2027年 重新议价时能享受到市场降价带来的成本优势[10]

半导体超级周期-存储产业更新 - Reportify