技术应用 - 三星从V10开始将使用长江存储“混合键合”封装专利技术[2][3] - SK海力士未来HBM4产品或引入混合键合降低存储芯片堆叠缝隙高度[6] 技术优势 - 混合键合无凸点和焊料，可实现0.5 - 0.1μm间距，连接密度达10K - 1MM/mm²[5] 市场规模 - 2030年混合键合设备需求总量预计达1400台，累计市场规模突破28亿欧元（约200亿元人民币）[2][7] - D2W混合键合设备市场规模将从2020年600万美元增至2027年2.32亿美元，CAGR达69%[7] - W2W永久键合设备市场规模有望从2020年2.61亿美元增至2027年5.07亿美元，CAGR约16%[7] 企业布局 - 长江存储最早将混合键合应用于3DNAND，有强大专利积累[2][3] - 拓荆科技布局两款晶圆对晶圆键合产品和芯片对晶圆键合表面预处理产品[2][4] - 迈为股份推出混合键合设备，对位精度＜100nm，还有临时键合、激光解键合等设备[2][4] 风险提示 - 下游扩产速度和设备国产化进程可能不及预期[2]