新产品和新技术研发 - 公司量产650V及100V GaN功率器件，效率达99%峰值效率、98%满载效率[5] - 公司是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V全链路解决方案[6] - 公司第三代器件通过严苛加速应力测试，数据中心级产品高性能工作寿命超20年[6] 技术优势 - 基于48V电压的传统人工智能系统超45%总功耗耗在散热上，800 VDC架构可支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级[3] - 电源开关频率从300kHz提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%[3] - 800V输入侧，公司GaN较SiC每个开关半周期降低80%驱动损耗和50%开关损耗，整体功耗降低10%[7] - 54V输出端，16颗公司GaN器件与32颗硅MOSFET导通损耗相同，功率密度提升一倍，驱动损耗降低90%[7] - 800 VDC低压电源转换阶段，GaN较硅MOSFET开关损耗降低70%，相同体积功率输出提升40%[7] 未来展望 - NVIDIA将支持800 VDC电源架构，公司正与其合作保障新一代GPU路线图扩展[2] - 整合800 VDC电源架构与公司氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级到兆瓦级飞跃[8]