财务数据关键指标变化 - 2024年研发总投入24.52亿元，较2023年增加94.31%，占营业收入比例约27%，高于科创板上市公司平均水平[6] - 2024年实现营业收入约90.65亿元，较2023年增加约28.02亿元，同比增长约44.73% [8] - 过去13年营业收入年均增长大于35%，近四年年均增长大于40% [8] - 2024年公司实现营业收入90.65亿元，同比增长23.60%；归母扣非净利润13.46亿元，同比增长16.51%[44] - 2024年研发投入74.52亿元，同比增长94.31%[46] - 2024年营业收入约90.65亿元，较2023年增加约28.02亿元，同比增长约44.73%[85][87] - 2024年归属于上市公司股东的净利润为16.16亿元，较2023年减少9.53%[85] - 2024年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为13.88亿元，较2023年增长16.51%[85] - 2024年末归属于上市公司股东的净资产为197.37亿元，较2023年末增长10.72%[85] - 2024年末总资产为262.18亿元，较2023年末增长21.80%[85] - 2024年基本每股收益为2.61元/股，较2023年减少9.69%[86] - 2024年研发投入占营业收入的比例为27.05%，较2023年增加6.90个百分点[86] - 2024年营业收入增长44.73%，毛利较去年增长约9.78亿元[88][89] - 2024年研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占公司营业收入比例约为27.05%[88] - 2024年研发费用14.18亿元，较去年增长约6.01亿元，同比增长约73.59%[88] - 2024年归属于母公司所有者的净利润约16.16亿元，较上年同期减少9.53%[88] - 2024年归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约13.88亿元，较上年同期增加16.51%[89] - 报告期末，公司总资产约262.18亿元，较报告期初增加21.80%；归属于母公司的所有者权益约197.37亿元，较报告期初增加10.72%[89] - 2024年第四季度营业收入35.58亿元，归属于上市公司股东的净利润7.03亿元[91] - 2024年非经常性损益合计2.28亿元，2023年为5.94亿元，2022年为2.50亿元[94] - 剔除股份支付费用影响后，2024年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为18.46亿元，2023年为14.94亿元[96] - 交易性金融资产当期变动为 -10.35亿元，对当期利润的影响金额为 -0.59亿元；其他非流动金融资产当期变动为5.66亿元，对当期利润的影响金额为1.63亿元[97][98] - 2024年公司研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占公司营业收入比例约为27.05%[113] 各条业务线数据关键指标变化 - 2024年刻蚀设备收入约72.77亿元，最近四年收入年均增长超50%，2024年同比增长约54.72% [8] - 2024年刻蚀设备收入约72.77亿元，薄膜沉积设备收入约1.56亿元，较2023年增长约54.72%，MOCVD设备实现首台销售，收入3.79亿元[44] - 2024年刻蚀设备销售约72.77亿元，同比增长约54.72%[87] - 2024年MOCVD设备销售约3.79亿元，同比下降约18.03%[87] - 2024年LPCVD设备实现首台销售，全年设备销售约1.56亿元[87] - 2024年CCP刻蚀设备付运量较2023年增长逾100%，全年生产付运超过1200反应台，累计装机量超过4000反应台，连续十年保持大于30%的年平均复合增长率[114] - 2024年ICP刻蚀设备在客户端累计安装数达1025个反应台，近四年年均增长大于100%[119] - PrimoNanova（单台机）反应台2024年实现年增长率超过120%，PrimoTwin - Star（双台机）累计安装反应台2024年增长率超过70%[53] 生产基地相关情况 - 上海临港新片区18万平米基地2024年量产，生产总值约85亿元；南昌高新区14万平米基地2024年生产总值约61亿元 [9] - 公司位于南昌约14万平方米、上海临港约18万平方米的生产和研发基地已投入使用，上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心正在建设[109] - 南昌约14万平方米生产和研发基地于2023年7月投入使用，上海临港约18万平方米生产和研发基地于2024年8月投入使用，临港约10万平方米总部大楼暨研发中心在建[138] 产品技术指标 - CCP和ICP刻蚀机可覆盖国内95%以上刻蚀应用需求，CCP双台机近600个反应台在国际先进逻辑产线量产 [10] - ICP双台机刻蚀精度达每分钟0.2A（0.02纳米），200片晶圆重复性测试中两反应台刻蚀速度差别每分钟小于1.5埃 [10] - 公司开发的CCP和ICP两大类刻蚀设备可覆盖大多数刻蚀应用，等离子体刻蚀设备用于65纳米到5纳米及更先进工艺[36] - 用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已量产，在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场领先[36] - 公司CCP电容性刻蚀机有3个双台反应器和6个单台反应器系统，300 +反应台进入国际5纳米及以下生产线，4000 +反应台在线生产[55] - 公司ICP双台机Primo Twin - Star®刻蚀速度控制最好精度达每分钟0.2A（0.02纳米，即20皮米），200片晶圆重复性测试中两反应台刻蚀速度差别每分钟小于1.5埃[181] 市场规模与行业趋势 - 全球半导体量检测设备市场规模从2016年47.6亿美元增至2023年128.3亿美元，CAGR为15.2% [12] - 全球集成电路和光电子器件销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上[173] - 晶圆制造设备市场规模约占集成电路设备整体市场规模的80%[174] - 全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%[174] - 氮化镓功率器件市场规模预计将从2023年的2.6亿美金增长到2029年超20.1亿美金，复合年均增长率达41%[177] - 碳化硅功率器件2029年市场规模将达104亿美金，2023 - 2029年复合年均增长率超25%[179] - 量检测设备市场已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类[104] - 全球半导体量检测设备市场规模从2016年的47.6亿美元增长至2023年的128.3亿美元，CAGR为15.2%，占总设备市场约13% [184] 公司运营与管理 - 过去13年员工人数年均增长22%，2024年人均销售超400万元 [8] - 公司在全球开发超800家供应厂商[13] - 公司坚持“三维立体发展”战略[16] - 公司坚持“五个十大”企业文化，推进三维发展战略，在多领域取得进展[39] - 全球员工数量2480人，研发人员1190人，占比47.98%，研发人员中硕士、博士研究生占比54.71%[54] - 2024年向员工授予880万股限制性股票，员工参与培训总时长103390小时，培训覆盖率100%[54] - 2025年初公司录取110多位新院校毕业生[15] - 公司有15个区域办公室，6个境外子公司，厂房和办公楼总面积将达约45万平米[59] - 公司建立动态协调机制保障供应，建立高效库存管控体系，推进智能工厂项目和精益管理，产品质量缺陷数量逐年下降[139] - 公司主要采取自主研发模式，研发流程包括概念与可行性、Alpha、Beta、量产阶段[168] - 公司采用以销定产模式，实行订单式生产为主，少量库存式生产为辅[171] - 公司采取直销为主的销售模式，欧洲市场通过代理商模式销售[172] - 2024年公司新入职员工869人，开展涵盖六大学习版块的培训交流[144] 公司荣誉与奖项 - 2024年公司获得第二十五届中国专利奖银奖、福布斯中国创新力企业50强、2024中国ESG50等殊荣[15] - 2024年公司总结科创企业发展的“五个十大”[14] - 拥有100多个知名荣誉奖项[39] - 2024年公司获得金桥开发区“科研投入成就奖”等多项殊荣，营运效率提高，设备交付按时率高，物料成本控制达标[140] - 2025年1月9日，公司和南昌中微共同拥有的发明专利获第二十五届中国专利奖银奖，至此公司获中国专利奖2项金奖、1项银奖和3项优秀奖[143] - 报告期内公司获“2024中国上市公司英华奖A股价值奖”等多个奖项，重视内幕交易防范[148] 公司投资情况 - 公司上市以来投资30多家产业链上下游企业，投资20多亿，实现浮盈50多亿[16] - 公司参股投资的8家公司已完成A股挂牌上市[16] - 2024年度公司新发起设立超微公司，参股投资的珂玛科技、先锋精科完成A股挂牌上市[146] 公司产品应用与市场地位 - 公司在全球氮化傢基LED照明所需MOCVD设备市场市占率达80%以上[13] - 部分产品市占率全球排名第一[39] - 在美国TechInsights近五年全球半导体设备客户满意度调查中，公司三次总评分第三，薄膜设备三次被评为第一[36] - 公司刻蚀设备应用于全球先进的5纳米及以下集成电路加工制造生产线，超300台反应台在生产线合格运转[181] - 2024年公司CCP和ICP刻蚀设备销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升[181] - 公司自2017年起成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商[182] 公司专利情况 - 申请专利2900多项[41] - 报告期内公司新增专利申请359项，其中发明专利263项，实用新型专利84项，外观设计专利12项；截至2024年12月，已申请2910项专利，发明专利占比83.30%，已获授权专利1781项[143] 公司分红情况 - 公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.00元（含税），截止2024年12月31日，总股本622,363,735股，扣除回购专户股份余额2,096,273股后为620,267,462股，合计拟派发现金红利186,080,238.60元（含税）[68] 公司审计与合规情况 - 普华永道中天会计师事务所为本公司出具了标准无保留意见的审计报告[67] - 公司全体董事出席董事会会议[67] - 公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人声明保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整[68] - 不存在公司治理特殊安排等重要事项[69] - 不存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[70] - 不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[71] 行业技术发展趋势 - 先进芯片中已有超100亿个晶体管，从平面结构过渡到复杂三维架构[185] - 目前128层3D NAND闪存已进入大生产，200层以上闪存处于批量生产阶段，3D NAND制造要求刻蚀技术实现更高深宽比[192] - 应用于碳化硅功率器件的外延设备行业现有生产设备主要适用于6英寸碳化硅衬底，未来将过渡至8英寸[196] - 主流的逻辑和存储芯片接触孔或连线关键尺寸小、深宽比高，原子层沉积的氮化钛逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层主要选择[197] - 3D NAND堆叠层数增加使阶梯接触孔深宽比达40：1到60：1以上[198] - 先进逻辑器件工艺节点向5纳米及更先进工艺发展[200] - 90纳米到28纳米传统工艺节点降低接触孔电阻关键是降低钨膜电阻率[200] - 14纳米及更先进工艺节点金属阻挡层、形核层对接触孔阻值影响更明显[200] - 从28nm技术节点开始金属栅极成为先进逻辑器件重要基础[200] 公司产品进展 - 2024年Primo UD - RIE实现规模量产，Primo SD - RIE进入28纳米以下逻辑生产线验证，PrimoHD - RIE - e获得先进存储客户批量订单[53] - 公司CCP刻蚀设备中双反应台Primo D - RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户生产线[114] - 具有动态可调电极间距功能的双反应台Primo SD - RIE进入先进逻辑生产线验证关键工艺[114] - 用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品Primo HD - RIEe和用于超高深宽比刻蚀工艺的Primo UD - RIE实现规模付运[114] - 公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机Primo SD - RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已通过[116] - 公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率400kHz偏压射频的Primo UD - RIE已在先进存储器件生产线的超高深宽比刻蚀工艺中大规模应用[118] - 公司推出Nanova LUX - WT和Nanova LUX - Cryo两种ICP设备，Nanova LUX - WT已量产，Nanova LUX - Cryo在认证中[121] - Primo Twin - Star在特色器件产线实现量产并取得重复订单[121] - Primo TSV 300E在12英寸3D芯片硅通孔刻蚀工艺验证成功，拓展新市场[122] - 2023年底付运Micro - LED应用设备样机Preciomo Udx，报告期内验证顺利[126] - 氮化镓功率器件MOCVD设备PRISMO PD5交付验证