公司基本信息 - 公司中文名称为无锡新洁能股份有限公司，简称新洁能，外文名称为WUXI NCE POWER CO.,LTD.，缩写为NCE，法定代表人为朱袁正[18] - 公司注册地址和办公地址均为无锡市新吴区电腾路6号，办公地址邮政编码为214028，网址为www.ncepower.com，电子信箱为Info@ncepower.com[20] - 公司股票为A股，在上海证券交易所上市，简称新洁能，代码为605111[22] - 公司聘请的境内会计师事务所为天衡会计师事务所（特殊普通合伙），签字会计师为顾春华、王天[23] - 报告期内履行持续督导职责的保荐机构为广发证券股份有限公司，签字保荐代表人为范毅、朱孙源，持续督导期间为2022年至2023年12月[23] - 公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”大类下“半导体分立器件制造（3972）”[75] 财务数据关键指标变化 - 2024年基本每股收益为1.05元/股，2023年为0.78元/股，本期比上年同期增长34.62%，2022年为1.09元/股[25] - 2024年营业收入18.28亿元，较去年同期增加23.83%；归属于上市公司股东的净利润4.35亿元，较去年同期增加34.50%[26][36] - 2024年稀释每股收益1.05元/股，较去年同期增加34.62%；扣除非经常性损益后的基本每股收益0.98元/股，较去年同期增加32.43%[27] - 2024年末归属于上市公司股东的净资产39.53亿元，较去年末增加8.51%；总资产45.03亿元，较去年末增加3.76%[26] - 2024年非经常性损益合计2959.82万元，2023年为1874.70万元，2022年为2343.72万元[31] - 2024年经营活动产生的现金流量净额2.95亿元，较去年同期减少37.98%[26] - 交易性金融资产期初余额5223.40万元，期末余额6.44亿元，当期变动5.91亿元，对当期利润影响额1538.14万元[33] - 应收款项融资期初余额1.56亿元，期末余额2.28亿元，当期变动7190.01万元[33] - 其他非流动金融资产期初余额1.59亿元，期末余额2.47亿元，当期变动8799.26万元，对当期利润影响额1397.10万元[33] - 报告期内公司实现营业收入182,842.40万元，较去年同期增长23.83% [113] - 报告期内主营业务收入182,084.70万元，较去年同期增加23.80% [113] - 报告期内归属于上市公司股东的净利润43,457.60万元，较去年同期增长34.50% [113] - 本期营业收入1,828,423,971.04元，上年同期1,476,561,366.82元，变动比例23.83% [115] - 本期营业成本1,162,443,528.67元，上年同期1,022,474,282.46元，变动比例13.69% [115] - 本期销售费用24,758,131.83元，上年同期19,983,045.73元，变动比例23.90% [115] - 本期管理费用55,317,409.32元，上年同期42,193,590.57元，变动比例31.10% [115] - 本期研发费用103,745,624.20元，上年同期87,314,226.21元，变动比例18.82% [115] - 公司实现营业收入182,842.40万元，同比增加23.83%；主营业务收入182,084.70万元，同比增加23.80%；营业成本116,244.35万元，同比增加13.69%；主营业务成本116,204.42万元，同比增加13.76%[118] - 电子元器件行业营业收入1,820,846,999.92元，营业成本1,162,044,211.00元，毛利率36.18%，营业收入同比增加23.80%，营业成本同比增加13.76%，毛利率增加5.63个百分点[120] - 芯片产品营业收入57,907,405.59元，营业成本38,393,691.84元，毛利率33.70%，营业收入同比减少19.73%，营业成本同比减少33.08%，毛利率增加13.23个百分点；功率器件等产品营业收入1,762,939,594.33元，营业成本1,123,650,519.16元，毛利率36.26%，营业收入同比增加26.04%，营业成本同比增加16.54%，毛利率增加5.19个百分点[120] - 境内销售营业收入1,780,215,002.99元，营业成本1,141,450,095.83元，毛利率35.88%，营业收入同比增加23.65%，营业成本同比增加13.80%，毛利率增加5.55个百分点；境外销售营业收入40,631,996.93元，营业成本20,594,115.17元，毛利率49.32%，营业收入同比增加30.45%，营业成本同比增加11.35%，毛利率增加8.70个百分点[120] - 直销模式营业收入646,423,052.73元，营业成本418,416,406.59元，毛利率35.27%，营业收入同比增加46.76%，营业成本同比增加32.51%，毛利率增加6.96个百分点；经销模式营业收入1,174,423,947.19元，营业成本743,627,804.41元，毛利率36.68%，营业收入同比增加13.98%，营业成本同比增加5.36%，毛利率增加5.18个百分点[120] - 功率器件等产品占比由上年同期的95.10%增长至96.82%[120] - 资产减值损失为 -51,572,159.39元，去年同期为 -34,080,455.99元；营业外支出为21,464.26元，去年同期为1,007,449.02元，同比减少97.87%[117] - 公司境外销售收入同比增加30.45%，直销模式营业收入增加46.76%[121] - 公司总成本本期为11.62亿元，较上年同期的10.22亿元增长13.76%，功率器件成本增加因销售规模扩大，芯片成本减少因销售减少[127] - 前五名客户销售额5.01亿元，占年度销售总额27.54%，关联方销售额为0 [128] - 前五名供应商采购额7.98亿元，占年度采购总额76.33%，关联方采购额为0 [129] - 销售费用本期为2475.81万元，较上年同期的1998.30万元增长23.90%，因业绩提升销售人员薪酬增加[131] - 管理费用本期为5531.74万元，较上年同期的4219.36万元增长31.10%，因业绩提升管理人员薪酬增加[131] - 研发费用本期为1.04亿元，较上年同期的8731.42万元增长18.82%，因加大研发投入[131] - 研发投入合计1.04亿元，占营业收入比例5.67%，资本化比重为0 [133] - 经营活动产生的现金流量本期为2.95亿元，较上年同期的4.75亿元下降37.98%，因经营规模扩大成本增加[140] - 投资活动产生的现金流量本期为 -7.44亿元，筹资活动产生的现金流量本期为 -1.60亿元，分别因购买理财产品和回购限制性股票导致现金支出增加[140] - 交易性金融资产本期期末数为643,658,308.43元，占总资产比例14.29%，较上期期末变动比例1,132.26%，变动原因是新增保本浮动型理财[142] - 应收账款本期期末数为282,055,254.19元，占总资产比例6.26%，较上期期末变动比例63.94%，变动原因是销售规模扩大致应收货款增加[142] - 存货本期期末数为311,618,285.07元，占总资产比例6.92%，较上期期末变动比例 -31.35%，变动原因是扩大销售规模、库存加速消化[143] - 境外资产为6,091,533.35元，占总资产比例0.14%[146] - 截至2024年12月31日，受限资产合计108,427,121.99元，包括货币资金、应收票据、应收款项融资等[148] - 截至2024年12月末，公司长期股权投资净值为524,126,001.99元（母公司口径），相比期初增加9.48%，原因是设立合伙企业、成立子公司及对外投资[150] - 公司证券投资期末数合计11.19亿元，本期购买金额66.30亿元，出售/赎回金额59.66亿元[153] 各条业务线数据关键指标变化 - 2024年SGT - MOSFET产品销售收入7.80亿元，同比2023年5.46亿元增长43%，销售占比从37.11%增长到42.86%[38] - 2024年IGBT产品销售数量同比增加35%以上，销售收入2.75亿元，增长3.17%，销售占比从18.09%降至15.08%[40] - 2024年SJ - MOSFET产品销售数量同比增加45%以上，销售收入2.16亿元，增长17.35%，销售占比从12.52%降至11.86%[41] - 2024年Trench - MOSFET产品销售收入5.27亿元，增长16.23%，销售占比从30.84%降至28.96%[42] - 2024年末第四代SJ - MOSFET产品平台销售占比提升到16%以上[41] - 6英寸芯片（功率IC）生产量0.29万片，同比减少30.95%；销售量0.04万片，同比减少33.33%；库存量0.18万片，同比减少33.33%；8英寸芯片生产量17.76万片，同比增加23.85%；销售量1.18万片，同比减少5.60%；库存量2.20万片，同比减少16.03%；12英寸芯片生产量11.62万片，同比增加18.94%；销售量0.60万片，同比减少30.23%；库存量1.18万片，同比减少45.12%；功率器件生产量2,486,448.62千只，同比增加24.84%；销售量2,499,789.35千只，同比增加26.21%；库存量256,035.90千只，同比减少0.47%[122] 公司业务发展与布局 - 2024年公司设立新加坡研发及销售中心，为全球化发展等搭建基础[37] - 2024年公司推出200余款车规级MOSFET，供应产品数量同比增长超6成[46] - 2024年度公司研发投入103,745,624.20元，占营业收入比例为5.67%[51] - 截至目前公司共有专利240项，其中发明专利119项[51] - N沟道30V第三代SGT MOS平台量产，Rsp较上一代降低39%，系列产品26款[52] - N沟道40V第三代SGT MOS平台量产，Rsp较上一代降低26%，系列产品122款，车规产品超50款[52] - 超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGT MOS平台量产并完成车规认证，FOM较竞品降低25%以上，平台产品10余款[52] - 85V第三代SGT MOS的Rsp较上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上[53] - 第七代微沟槽高功率密度IGBT平台多个电流规格产品量产，在Fab1、2、3和Fab7量产产品良率已提升至98%以上[54] - 第七代IGBT产品中并联的快恢复二极管（FRD）产品良率稳定在97%以上[55] - 500V /600V/650V在四代超结基础上特征导通电阻（Rsp）降低10%左右[56] - 第四代950V深沟槽SJ MOS平台预计较第二代SJ MOS 900V平台特征导通电阻（Rsp）降低25%以上[56] - 四代SJ MOS平台上新衍生超快恢复体二极管产品反向恢复速度提升40%，反向恢复损耗降低60%左右[57] - 第二代SiC MOSFET产品以1200V为例，Rsp相较于上一代产品降低29%，新增产品60余款[58] - 采用公司第三代SGT晶圆技术的40V电压平台27款产品量产，特征导通电阻（Rsp）较上一代降低26%-39%，核心综合性能优值（FOM）领先竞品25%以上[60] - PDFN5×6双面散热封装采用双Clip工艺，结壳热阻降低20%-40%[60] - 公司全资子公司电基集成总营收同比增长19.85%[63] - 电基集成2024年完成264项新产品封装测试导入，汽车类产品占比约15%[64] - 金兰半导体第一条IGBT模块封装测试产线满产后产能达6万个模块/月，计划今年通过车规质量体系IATF16949审核[65] - 金兰半导体基于不同电压平台完成9个模块产品平台开发，涵盖多个应用领域不同电流系列产品[65] - 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