公司基本信息 - 公司中文简称为东微半导，股票在上海证券交易所科创板上市，代码为688261[17][20] - 2025年1月，公司注册地址由苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室变更至江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城东南区65栋[17] - 公司办公地址邮政编码为215123[17] - 董事会秘书姓名为李麟，联系电话为+86 512 62668198，传真为+86 512 62534962[18] - 公司披露年度报告的媒体有《上海证券报》《证券时报》《证券日报》《经济参考报》，证券交易所网址为上海证券交易所（www.sse.com.cn）[19] - 公司聘请的境内会计师事务所为天健会计师事务所（特殊普通合伙），签字会计师为向晓三、朱珊珊[22] - 报告期内履行持续督导职责的保荐机构为中国国际金融股份有限公司，签字保荐代表人为李扬、王竹亭[22] - 保荐机构持续督导期间为2022年2月10日 - 2025年12月31日[22] 财务数据关键指标变化 - 2024年营业收入10.03亿元，较2023年增长3.12%[23] - 2024年归属于上市公司股东的净利润4023.51万元，较2023年减少71.27%[23] - 2024年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润231.93万元，较2023年减少98.06%[23] - 2024年经营活动产生的现金流量净额为 - 8831.32万元，较2023年减少225.18%[23] - 2024年末归属于上市公司股东的净资产28.99亿元，较2023年末增长1.31%[23] - 2024年基本每股收益0.33元，较2023年减少71.05%[24] - 2024年研发投入占营业收入的比例为7.55%，较2023年减少1.19个百分点[25] - 2024年第四季度营业收入3.23亿元，为四个季度中最高[28] - 2024年非经常性损益合计3791.58万元，较2023年的2060.98万元有所增加[31] - 2024年所得税影响额669.10万元，较2023年的363.70万元有所增加[31] - 应收款项融资期初余额17707994.79元，期末余额15911170.28元，当期变动-1796824.51元；交易性金融资产期末余额60003090.12元，当期变动60003090.12元，对当期利润影响3090.12元；其他非流动金融资产期初和期末余额均为15000000元；合计期初余额32707994.79元，期末余额90914260.40元，当期变动58206265.61元，对当期利润影响3090.12元[33] - 报告期内公司实现营业收入10.03亿元，较上年同期增加3.12%[36] - 报告期内公司实现归属于上市公司股东的净利润4023.51万元，较上年同期减少71.27%[36] - 报告期内公司实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润231.93万元，较上年同期减少98.06%[36] - 2024年计提信用减值损失682.90万元，计提存货跌价损失2209.57万元[121] - 报告期末公司应收账款账面价值为16294.43万元[130] - 报告期末公司存货账面价值为36060.22万元[131] - 公司于2024年11月获高新技术企业证书，有效期三年，报告期内按15%税率征收企业所得税[132] - 报告期内公司实现营业收入10.03亿元，同比增加3.12%；归属上市公司股东净利润4023.51万元，同比减少71.27%；归属上市公司股东扣非净利润231.93万元，同比减少98.06%[139] - 高压超级结MOSFET产品营收7.83亿元，同比减少2.80%；中低压屏蔽栅MOSFET产品营收1.79亿元，同比增长40.09%；Tri - gate IGBT产品营收3714.81万元，同比增长24.30%；超级硅MOSFET产品营收238.50万元，同比减少72.28%；SiC器件产品营收63.65万元，同比减少9.65%[139] - 营业成本85982.32万元，同比增长14.38%；税金及附加60.83万元，同比减少51.63%；销售费用1696.88万元，同比增长73.27%；管理费用3539.79万元，同比增长50.01%；研发费用7571.57万元，同比减少10.98%；其他收益834.60万元，同比减少37.65%；投资收益2573.06万元，同比增长3719.83%；信用减值损失 - 682.90万元，同比减少298.25%；所得税费用 - 710.11万元，同比减少169.50%[140][141] - 经营活动现金流量净额 - 8831.32万元，同比减少225.18%，主要因销售回款减少[141][142] - 主营业务收入10.03亿元，同比增加3.06%，主营业务成本8.60亿元，同比增长14.37%[144] - 主营业务毛利率为14.25%，较上年同期下降8.48个百分点，因产品销售价格下降[145] - 销售费用增加主因销售人员及薪资增加、新增租赁办公场所[141] - 管理费用增加主因经营规模扩大、管理人员及薪资增加、新增租赁办公场所[141] - 财务费用变动主因银行存款利率下调，调整理财产品结构[142] - 集成电路营业收入10.03亿美元，毛利率14.25%，较上年减少8.48个百分点[147] - 功率半导体产品生产量38067.17万颗，销售量35710.88万颗，产销率达93.81%[150] - 各类工业及通信电源领域收入占比约31%，较上年同期增长逾78%[149] - 车载充电机领域收入占比逾25%，较上年同期增长逾20%[149] - 大功率照明电源收入占比约8%，较上年同期增长约30%[149] - 新能源汽车直流充电桩领域收入占比逾6%，较上年同期下降约63%[149] - 集成电路封测费用较上年同期增长49.47%，主要系产品销量增长所致[152] - 前五名客户销售额46183.78万元，占年度销售总额46.04%[154] - 前五名供应商采购额83859.54万元，占年度采购总额93.04%[157] - 境外主营业务收入较上年同期增长34.87%，主要因加大海外市场拓展力度[148] - 公司向前五名供应商采购晶圆及封测服务，合计采购金额占当期采购总额的比例为93.04%，其中向供应商一采购金额占比为71.20%[158][160] - 销售费用本期数为16,968,849.74元，上年同期数为9,793,146.20元，变动比例为73.27%[159] - 管理费用本期数为35,397,863.30元，上年同期数为23,597,639.11元，变动比例为50.01%[159] - 研发费用本期数为75,715,749.64元，上年同期数为85,050,245.81元，变动比例为 - 10.98%[159] - 经营活动产生的现金流量净额本期数为 - 88,313,182.06元，上年同期数为70,547,211.26元，变动比例为 - 225.18%[162] - 其他收益本期数为8,346,015.21元，上年同期数为13,386,154.66元，变动比例为 - 37.65%[164] - 投资收益本期数为25,730,572.99元，上年同期数为673,605.88元，变动比例为3,719.83%[164] - 信用减值损失本期数为 - 6,829,000.23元，上年同期数为3,444,687.83元，变动比例为 - 298.25%[164] - 应收票据本期期末数为99,926,679.54元，占总资产比例3.22%，上期期末数为3,427,243.35元，占比0.11%，金额较上期期末变动比例为2,815.66%[165] - 固定资产本期期末数为65,806,759.91元，占总资产比例2.12%，上期期末数为19,187,661.85元，占比0.64%，金额较上期期末变动比例为242.96%[165] - 无形资产从162.51万元增至446.21万元，增幅174.57%，因加大研发投入购买软件所致[166] - 长期待摊费用从155.50万元增至1522.56万元，增幅879.12%，因搬迁新增租赁场所装修所致[166] - 短期借款从3002.18万元降至476.03万元，降幅84.14%，因归还配套政府科技项目的短期贷款[166] - 应付账款从9215.53万元增至15099.45万元，增幅63.85%，因采购规模扩大应付货款增加[166] - 报告期投资额为0元，上年同期为1.14亿元，变动幅度-100%[171] - 交易性金融资产期末数为6000.31万元，本期购买565.99亿元，出售559.99亿元[173] - 应收款项融资期末数为1591.12万元，较期初减少179.68万元[173] - 苏州工业园区苏纳微集成电路新创业投资合伙企业已投资6000万元，报告期利润影响930.56万元[175] - 苏州永鑫融耀创业投资企业已投资1500万元，报告期利润影响0元[175] - 租赁负债从102.54万元增至786.51万元，增幅667.04%，因搬迁新增租赁办公场所[167] 各条业务线数据关键指标变化 - 公司硅基产品线12英寸晶圆代工平台由产能扩充阶段全面进入到产品升级阶段，主力规格产品升级基本完成；第三代半导体SiC MOSFET产品线实现量产，产品性能达国内外第一梯队水平[37] - 公司基于自主专利技术开发的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变等多个应用领域的头部客户[41] - 公司第二代、第三代650V和1200V平台的SiC MOSFET多个产品完成量产考核，进入批量供货阶段；650V/750V/1200V的第四代SiC MOSFET研发成功，进入送样验证阶段[42] - 公司基于自主专利技术开发的Si₂C MOSFET器件已用于新能源汽车车载充电机等领域[42] - 公司高压超级结MOSFET产品继续批量出货给比亚迪等多家公司应用于车载电子等多个领域，在各细分市场持续增加设计规格[43] - 公司中低压屏蔽栅MOSFET销售额及销售量同比增长，持续批量出货给多家公司并应用于多领域，还增加规格设计[44] - 2024年公司推出性能更优的650V - 1200V系列TGBT产品，多款高速TGBT产品批量供应新能源车载充电器领域，330KW功率模块用于光伏发电方案，下半年新研发多款1200V规格通过部分客户验证并交付[45] - 报告期末公司SiC二极管、SiC MOSFET、Si₂C MOSFET实现量产，第二代、第三代650V和1200V平台SiC MOSFET进入批量供货阶段，650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET预计2025年批量供货[46] - 公司主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si₂C MOSFET）[47] - 高压超级结MOSFET标准通用系列包含550V - 950V全系列，具有低导通电阻等特点[52] - 中低压MOSFET产品涵盖25V - 250V工作电压，可应用于电机驱动、同步整流等领域[53] - 公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域国产替代[44] - L系列TGBT实现极低的Vcesat，替代国外超低Vcesat IGBT[44] - 公司超级硅MOSFET器件批量进入多家客户，应用于高密度电源领域[44] - 公司TGBT产品配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车领域客户导入和产品验证工作，获终端客户好评[44] - 公司TGBT产品工作电压范围覆盖600V - 1350V，工作电流覆盖15A - 200A，高速系列开关频率可达100kHz，低导通压降系列导通压降可降低至1.5V及以下，超低导通压降系列导通压降可达1.2V以下[56] - 公司超级硅MOSFET产品适用于光伏逆变及储能、直流充电桩等多种高密度高效率电源[55] - 公司SiC MOSFET产品已实现第二代、第三代技术平台量产，第四代平台完成研发[57] - 公司中低压MOSFET功率器件有SFGMOS、FSMOS系列，各系列分低Vth和高Vth系列，有不同应用领域[54] - 公司主营产品技术迭代和产品升级有序进行，高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品均完成从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展[95] - 公司在功率模块和GaN HEMT领域实现突破，功率模块已在算力电源和车载电源领域实现销售[95] - 公司完成超级结MOSFET 8英寸及12英寸的扩产工作，12英寸晶圆制造平台技术转移使供应能力大幅提升[96] - 公司第四代超级结MOSFET已量产，多颗产品通过客户认证获批量订单；第五代首批物料完成量产考核并小批量交付；第六代研发工作顺利推进[97] - 公司中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平，优化了25V - 150V全规格段产品性能[97] - 公司25V、30V、40V、60V产品完成高速器件研制，相关SGT器件已在AI电源