财务数据关键指标变化 - 2025年1-6月公司营业收入929,703,060.49元人民币,同比增长6.44%[22][23] - 归属于上市公司股东的净利润235,120,522.81元人民币,同比增长8.03%[22][23] - 经营活动产生的现金流量净额159,866,874.68元人民币,同比增长72.20%[22] - 2025年第二季度营业收入48,066.35万元人民币,环比第一季度增长7.04%[24] - 2025年第二季度归属于上市公司股东的净利润12,685.05万元人民币,环比第一季度增长17.16%[24] - 基本每股收益0.57元/股,同比增长9.62%[23] - 扣除股份支付影响后的净利润234,522,014.73元人民币,同比增长8.60%[28] - 2025年上半年营业总收入为929,703,060.49元,同比增长6.4%[191] - 2025年上半年净利润为233,364,370.32元,同比增长8.1%[192] - 2025年上半年归属于母公司股东的净利润为235,120,522.81元,同比增长8.1%[192] - 2025年上半年基本每股收益为0.57元/股,同比增长9.6%[193] 成本和费用 - 营业成本为596,901,441.24元,同比增长6.40%[104] - 研发费用为52,971,045.58元,同比增长30.90%[104] - 2025年上半年研发费用为52,971,045.58元,同比增长30.9%[192] - 2025年上半年财务费用为-6,182,384.48元,主要由于利息收入6,449,750.15元[192] 各条业务线表现 - SGT-MOSFET产品上半年销售收入4.19亿元,占主营业务收入45.21%[56] - IGBT产品上半年销售收入1.32亿元,占主营业务收入14.26%[57] - SJ-MOSFET产品上半年销售收入1.04亿元,占主营业务收入11.21%[58] - Trench-MOSFET产品上半年销售收入2.50亿元,占主营业务收入26.95%[59] - 汽车电子领域MOSFET产品报告期内出货量达8,500万颗[62] 研发与技术进展 - 公司2025年1-6月研发投入5,297.10万元,占营业收入5.70%[65] - N40V 第三代 SGT MOS 平台产品数量已拓展至133款,其中车规产品达56余款[66] - N150V 第三代 SGT MOS 平台器件核心综合性能优值(FOM)较竞品降低25%以上[67] - N85V 第三代 SGT MOS 平台量产,Rsp较上一代降低35%,FOM较竞品降低30%以上[67] - N100V 第三代 SGT MOS 平台量产,Rsp较上一代降低50%,FOM较竞品降低30%以上[67] - 第七代微沟槽高功率密度IGBT 1200V产品良率达预期,650V/750V平台新增120A产品[71] - 第八代IGBT平台预计损耗较第七代降低1015%,同步开发650V至1700V电压平台[72] - 第四代SJ MOS平台650V/360mohm产品EMI性能大幅改善,成本显著降低[73] - 第五代SJ MOS平台650V特征导通电阻降至0.80Ω·mm²以内,成本预计降低20%[74] - 第二代SiC MOSFET平台新增20余款型号,覆盖650V1200V电压段[75] - 2.5代SiC MOSFET新增750V/1200V/1700V平台,导通电阻涵盖13mΩ~1Ω[75] 资产与负债变化 - 归属于上市公司股东的净资产4,161,950,739.20元人民币,较上年度末增长5.30%[22] - 公司总资产4,683,191,195.10元人民币,较上年度末增长4.00%[22] - 货币资金为2,717,928,944.85元,占总资产比例58.04%,同比增长31.73%[108] - 交易性金融资产为60,420,171.13元,占总资产比例1.29%,同比下降90.61%[108] - 长期股权投资为93,224,324.72元,占总资产比例1.99%,同比增长174.69%[108] - 2025年上半年负债合计为445,334,122.86元,同比下降8.1%[189] - 2025年上半年所有者权益合计为4,193,600,653.48元,同比增长5.0%[189] - 2025年上半年未分配利润为1,790,694,238.93元,同比增长12.5%[189] 市场与行业趋势 - 2024年全球半导体销售额预计同比增长13.1%,2025年预计达到6972亿美元,同比增长11.2%[35] - 2023年全球功率半导体市场规模为503亿美元,预计2027年将达到596亿美元[35] - 2024年中国功率半导体市场规模预计为238亿美元,其中功率IC占54.3%,MOSFET占16.4%,功率二极管占14.8%,IGBT占12.4%[35] - 2023年全球MOSFET市场规模为143亿美元,预计2026年将增长至160亿美元[36] - 2023年全球IGBT市场规模为90亿美元,预计2025年将超过100亿美元[36] - 2025年全球碳化硅电力电子市场规模预计超过30亿美元,中国市场规模预计达到14亿美元[37] - 2025年氮化镓功率半导体市场规模预计达到数十亿美元,中国市场规模预计为7亿美元[37] - 2025年1-6月中国新能源汽车产销分别完成696.8万辆和693.7万辆,同比增长41.4%和40.3%[39] - 2023年每辆汽车的半导体器件价值约为600美元,到2029年将增长到约1000美元[40] - 电动车所需的汽车芯片数量为1600颗/辆,高级智能汽车需求或将提升至3000颗/辆[40] - 预计到2026年车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%[41] 管理层讨论和指引 - 公司董事会及高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性[3] - 公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人邱莹莹声明保证财务报告的真实、准确、完整[5] - 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素[7] - 半导体功率器件市场需求与宏观经济景气度密切相关,亚洲特别是中国市场规模增长迅速[127] - 芯片代工和封测服务占产品成本比重较大,价格波动直接影响公司盈利能力[128] - 公司与华虹宏力建立长期战略合作关系,并拓展境内外芯片代工供应渠道[129] - 封装测试环节主要与日月新、长电科技、捷敏电子等全球领先企业合作[129] 募投项目进展 - 募投项目"第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化"累计投入金额20,000万元,投入进度7.39%[165][166] - 募投项目"功率驱动 IC 及智能功率模块(IPM)的研发及产业化"累计投入金额60,000万元,投入进度37.79%[165][166] - 募投项目"SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化"累计投入金额50,000万元,投入进度0.47%[165][166] - 补充流动资金累计投入金额10,190.92万元,投入进度100.49%[165] - 公司决定将上述募投项目达到预定可使用状态日期延期至2027年8月[166] 公司治理与股东信息 - 公司2025年半年度报告未经审计[5] - 公司全体董事出席董事会会议[4] - 公司不存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[7] - 公司不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[7] - 公司不存在半数以上董事无法保证半年度报告真实性、准确性和完整性的情况[7] - 公司中文名称为无锡新洁能股份有限公司,中文简称为新洁能[16] - 公司法定代表人为朱袁正[16] - 截至报告期末普通股股东总数为73,770户[172] - 第一大股东朱袁正持股90,723,226股,占总股本21.84%[174] - 香港中央结算有限公司报告期内增持7,811,329股,期末持股11,611,413股,占总股本2.80%[174] 投资与子公司表现 - 公司对嘉兴临盈股权投资合伙企业出资1,060万元,投资于江苏富乐华半导体科技股份有限公司[119] - 公司对无锡临尚创业投资合伙企业出资1,000万元,投资于半导体产业链相关领域[119] - 无锡电基集成科技有限公司当期净利润为3,522,782.27元,占其净资产270,662,735.05元的1.3%[120] - 金兰功率半导体(无锡)有限公司当期净亏损4,719,253.76元,占其净资产77,324,912.40元的-6.1%[120] - 常州臻晶半导体有限公司当期净亏损10,954,854.91元,公司持股比例为9.2038%[121] - 公司共出资1000万元投资无锡临尚创业投资合伙企业,涉及半导体产业链相关领域[159] - 公司共出资4820万元投资北京中科海芯科技有限公司,面向AI算力需求研发RISC-V计算芯片[160]
新洁能(605111) - 2025 Q2 - 季度财报