财务数据关键指标变化 - 营业收入为1.58亿元人民币，同比下降20.29%[22] - 归属于上市公司股东的净利润为-745.09万元人民币，同比下降121.29%[22] - 扣除非经常性损益的净利润为-1973.75万元人民币，同比下降213.81%[22] - 经营活动产生的现金流量净额为-3748.69万元人民币，同比下降115.48%[22] - 研发投入占营业收入比例为12.98%，同比增加2.00个百分点[23] - 基本每股收益为-0.05元/股，同比下降120.00%[23] - 扣除非经常性损益后的基本每股收益为-0.14元/股，同比下降207.69%[23] - 加权平均净资产收益率为-0.47%，同比下降2.67个百分点[23] - 利润总额为-1173.05万元人民币，同比下降131.02%[22] - 公司营业收入15839.06万元，同比下降20.29%[107][110] - 归属于上市公司股东的净利润-745.09万元，同比下降121.29%[107] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益净利润-1973.75万元，同比下降213.81%[107] - 经营活动产生的现金流量净额为-3748.69万元，同比下降115.48%[110] 成本和费用 - 研发费用为2056.39万元，占营业收入比例为12.98%[62] - 研发费用2056.39万元，同比下降5.75%[110] - 管理费用1404.01万元，同比下降32.42%[110] 业务线表现 - 公司主要产品涉及碳化硅及氮化镓等第三代半导体材料[12] - 公司核心技术涵盖物理气相传输法（PVT）及液相外延法（LPE）等晶体生长技术[12] - 公司设备产品应用于MOSFET、HEMT及IGBT等功率器件制造[12] - 公司半导体级单晶硅炉覆盖12英寸和8英寸轻掺及重掺硅片制备[44] - 公司半导体级单晶硅炉支持19nm存储芯片和28nm以上通用处理器芯片制造[44] - 公司碳化硅单晶炉应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底具有模块化设计[45] - 公司产品SCG300系列适用于12英寸硅片制造支持19nm以上制程工艺[45] - 公司产品SCG200系列适用于8英寸硅片制造支持90nm以上制程工艺[45] - 公司产品SCG400系列适用于12英寸重掺硅片及12-18英寸半导体硅耗材制造[44] - 公司碳化硅单晶炉产品系列包括JSSD系列、SCET420系列、SCMP系列和SCRP1200系列，均采用PVT法感应或电阻加热技术，用于生产6-8英寸碳化硅单晶衬底[48][51] - 设备智能温控系统精度达到±0.5℃@2000℃，压力闭环调节模块波动控制在±0.2%[48] - 系列SCMP感应加热PVT碳化硅单晶炉实现毫米级空间定位精度及±0.5℃/±10Pa动态平衡[48] - 公司开发TSSG法碳化硅单晶炉系列（SCMP/LP、SCMP570D、LP-SCMP1200），突破>6英寸大尺寸碳化硅单晶制备瓶颈[49] - LP-SCMP1200系列液相碳化硅单晶炉采用可调式感应线圈系统，支持±50mm动态升降调节[49] - 碳化硅衬底下游应用覆盖新能源汽车主驱逆变器、车载充电机、充电桩、光伏逆变器等领域[49][50] - 导电型碳化硅衬底用于制造碳化硅二极管、MOSFET等功率器件，半绝缘型衬底用于制造HEMT等微波射频器件[50][51] - LPE法碳化硅单晶炉专门生产6-8英寸P型导电型碳化硅衬底，用于制造P型IGBT等高功率器件[51] - 公司自主开发光伏级单晶硅炉，配备自动化拉晶控制系统，实现全自动化运行和远程集控操作[52] - 公司提供"单晶炉整机+控制系统+工艺方案"的定制化服务方案，满足客户差异化需求[52] - 自动化拉晶控制系统应用于G10至G12太阳能电池片制造，配备自主研发液面距精确控制、直径控制、生长控制技术[53] - 碳化硅外延炉支持6-8英寸外延片生产，开发行星式与水平式两种类型，提升外延片品质和生产效率[53] - 多线切割机采用精密无反向间隙摇摆工作台机构，配备自动寻边系统替代人工校准[55] - 减薄机配备TTV自动调整技术，实时检测晶圆中心和边缘厚度差并调整参数[55] - 碳化硅化学机械抛光工艺通过优化压力、转速、温度及抛光液配比提升效率与表面质量[55] - 光伏级单晶硅炉SG160S系列采用磁流体密封技术和高拱型炉盖结构，具备高稳定性与可靠性[56] - 碳化硅外延炉SCMC8150系列支持9×6英寸与6×8英寸生产模式，配套全封闭晶圆装载系统[56] - 碳化硅外延炉SCML320A系列整合氨气掺杂工艺与晶圆旋转速率闭环控制技术，确保外延片品质[56] - 碳化硅原料合成炉HC-SCET1000系列最大装料量达100KG，提升原料合成效率[57] - 减薄机系列SCMT8支持全自动运行、在线测厚及自动调整TTV，干进干出无污染[57] - ANET920系列设备采用分段式钨网加热器，周向温度均匀性好[58] - SCG600系列单晶炉配备36~37英寸热场系统，支持24英寸晶体生长[58] - TC-SCR2680系列涂层设备反应区轴向/径向温差控制在±5℃范围内[58] - 公司持续迭代算法，开发高精度自动化控制系统及匹配热场[61] - 加速CVD设备、切割设备、减薄设备、抛光设备等新产品推出[62] - 公司在大尺寸半导体级单晶炉和碳化硅单晶炉具先发及客户认证优势[66] - 设备通过下游客户产线批量使用，形成较强客户认证壁垒[66][67] - 公司核心技术包括晶体生长设备建模与仿真技术、热场设计与模拟技术、晶体生长设备设计技术、基于视觉图像的控制技术、晶体自动化生长控制系统及数据采集分析技术[75] - 公司通过特殊热场优化设计实现加热器与腐蚀性气氛有效隔离提高加热器使用寿命并降低运行成本[75] - 公司晶体生长集中式数据管理系统具备百万级数据处理能力系统抓取频率在1秒以内[75] - 公司图像系统拥有独特控制算法和自编CCD程序在晶体形貌检测直径控制液面距测量方面具有优势[75] 研发投入与项目 - 研发投入占营业收入比例为12.98%，同比增加2.00个百分点[23] - 公司研发费用为2056.39万元，占营业收入比例为12.98%[62] - 研发人员总数83人，占公司总人数比例为42.35%，较上年同期增长5.06%[64] - 公司已建成2000平米超洁净实验室，覆盖碳化硅全实验流程[68] - 公司报告期内研发投入总额为2056.4万元，同比下降5.75%[80] - 研发投入总额占营业收入比例为12.98%，较上年同期增加2.00个百分点[80] - 公司累计取得国内专利94项，其中发明专利40项，实用新型专利54项[77] - 报告期内新增授权专利2项，均为发明专利[77] - 公司拥有计算机软件著作权4项[77] - 在研项目"高品质半导体级硅单晶工艺开发"预计总投资1500万元，累计投入1043.91万元[83] - 在研项目"SCG600半导体单晶炉开发"针对24英寸大尺寸晶体生长，累计投入131.78万元[83] - 在研项目"全自动CZ生长工艺研究"本期投入156.96万元，累计投入156.96万元[83] - 在研项目"单晶炉上位机组态软件"累计投入513.17万元，占预计总投资530万元的96.8%[83] - 单晶炉一键拉晶控制系统开发预算500万元，已投入164.95万元，旨在实现高度自动化以提升成晶质量和效率[85] - 单晶生长系统技术研发预算180万元，已投入29.92万元，目标实现NPS单晶的稳定制备[85] - 重掺单晶炉技术改进预算95万元，已投入25.29万元，设备兼容24-28英寸热场并支持8-12英寸晶体生长[85] - 单晶锗炉设备研发预算200万元，已投入30.16万元，开发高自动化软轴提拉式单晶炉[85] - 车规级碳化硅单晶生长工艺研究预算1,350万元，累计投入812.47万元，聚焦低缺陷碳化硅单晶工艺开发[85] - 多片式CVD设备开发预算1,699万元，累计投入921.49万元，开发成膜均匀性好的多片式碳化硅外延炉[85][86] - 8英寸碳化硅外延设备开发预算860万元，累计投入665.87万元，兼容6英寸与8英寸外延生长[86] - 8英寸碳化硅晶体生长设备改进预算560万元，累计投入536万元，已结项并推广应用[86] - 12英寸碳化硅晶体生长设备开发预算100万元，已投入84.24万元，解决大尺寸热应力导致的晶体翘曲和开裂问题[86] - 双腔碳化硅外延炉开发预算490万元，已投入72.39万元，减少设备占地面积并提升产能[86] - 研发人员数量为83人，占公司总人数比例为42.35%[91] - 研发人员薪酬合计为1,355.15万元，平均薪酬为16.33万元[91] - 研发项目总投入为11,241.07万元，总支出为2,056.39万元，总预算为6,512.48万元[88] - 碳化硅单晶炉可视化系统研发项目投入19万元，预算90万元[88] - 碳化硅多线切割机设备研发项目投入20万元，预算616.15万元，支出64.73万元，累计投入402.09万元[88] - 定制化高温真空设备开发项目投入21万元，预算487.92万元，支出177.43万元，累计投入535.16万元[88] - 单面抛光机研发项目投入22万元，预算149万元，支出36.52万元，累计投入53.28万元[88] - 晶圆减薄机研发项目投入23万元，预算399万元，支出40.64万元，累计投入137.97万元[88] - 石材多线切割机研发项目投入24万元，预算75万元，支出12.67万元，累计投入13.11万元[88] - 研发人员学历构成中本科占比59.04%，硕士占比18.07%[91] 客户与市场 - 公司客户包括上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技、比亚迪等[39] - 公司客户覆盖国内硅片及碳化硅衬底龙头企业包括沪硅产业、立昂微、神工股份、合晶科技、三安光电、东尼电子、比亚迪等[70] - 公司通过客户产线建设持续推进批量销售获得重复和批量订单[70] - 预计全球半导体市场规模2025年达7770亿美元2030年突破9980亿美元年复合增长率6.8%[31] - 预计全球碳化硅器件市场2030年达103亿美元[33] - 预计2025年全球半导体制造设备销售额1255亿美元同比增长7.4%[35] - 预计2026年全球半导体设备销售额1381亿美元[35] - 12英寸硅片占据市场主要份额进口替代空间巨大[37] - 碳化硅衬底由6英寸向8英寸升级国产化率较高[37] - 碳化硅功率器件市场总量中汽车应用预计2028年占比74%[38] 生产与销售模式 - 公司采取订单式生产为主库存式生产为辅的生产模式[41] - 公司通过直销模式销售产品配备专业销售与服务团队[41] 公司运营与资产 - 公司报告期内无利润分配或公积金转增股本预案[5] - 公司不存在控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[6] - 公司不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[6] - 公司报告期指2025年1月1日至2025年6月30日[11] - 公司报告期末指2025年6月30日[11] - 公司财务数据单位采用人民币元及人民币万元[11] - 收到政府补助261.15万元人民币[26] - 非经常性损益项目中其他营业外收入和支出为-37,034.90[27] - 非经常性损益项目中其他符合定义的损益项目为99,411.05[27] - 非经常性损益所得税影响额为2,390,953.60[27] - 非经常性损益合计为12,286,533.62[27] - 委托理财收益1200.63万元，政府补助261.15万元，计入非经常性损益[111] - 应收账款1.79亿元，同比增长64.98%，占总资产比例10.29%[112] - 交易性金融资产4.43亿元，同比下降37.29%，占总资产比例25.53%[112] - 固定资产1.67亿元，同比增长947.16%，占总资产比例9.6%[112] - 交易性金融资产-结构性存款期末余额为4.43亿元，较期初减少2.63亿元（-37.2%）[119] - 其他非流动金融资产-大额存单期末余额为2.25亿元，较期初增加9234.58万元（+69.5%）[119] - 应收款项融资期末余额为564.67万元，较期初减少1589.38万元（-73.8%）[119] - 其他权益工具投资期末余额为2789.06万元，较期初减少74.14万元（-2.6%）[119] - 报告期投资额为2239.70万元，上年同期为0元（变动幅度-100%）[120] - 预付货款及预付工程款本期减少[114] - 一年内到期的理财产品增加[114] - 子公司晶能半导体报告期净利润为-137.01万元[122] - 子公司晶升半导体报告期净利润为144.61万元[122] - 子公司晶采半导体报告期净利润为6.20万元[122] 竞争优势 - 公司区位优势提供更快捷经济顺畅的技术支持服务中国大陆半导体制造企业[72] - 公司研发和生产位于中国大陆人员成本相对较低具有运营成本优势[73] - 公司与国内外供应商建立稳定合作关系完善原材料供应链体系降低采购成本[73] - 公司拥有经验丰富的技术研发团队按半导体级单晶硅炉和化合物单晶炉设备组成分工明确的专业团队[71] 股份限售与承诺 - 公司控股股东、实际控制人、董事及高级管理人员李辉股份限售承诺履行正常[131] - 持股5%以上股东海格科技股份限售承诺履行正常[131] - 董事、高级管理人员吴春生、张小潞股份限售承诺履行正常[131] - 监事胡宁、葛吉虎、毛洪英股份限售承诺履行正常[131] - 核心技术人员潘清跃等股份限售承诺履行正常[131] - 股东盛源管理股份限售承诺履行正常[131] - 股东鑫瑞集诚、明春科技、卢祖飞股份限售承诺履行正常[132] - 公司分红相关承诺履行正常[132] - 控股股东及一致行动人解决同业竞争承诺履行正常[132] - 持股股东盛源管理、明春科技等涉及股权激励的承诺履行正常[133] - 控股股东李辉承诺自公司股票上市之日起36个月内不转让或委托他人管理发行前直接或间接持有的股份[134] - 若公司上市后6个月内股价连续20个交易日收盘价低于发行价或6个月期末收盘价低于发行价，锁定期自动延长6个月[134][138][142] - 锁定期满后2年内减持价格不低于发行价（除权除息调整后）[135][139][143] - 董事及高管任职期间每年转让股份不超过直接或间接持股总数的25%[136][143] - 控股股东一致行动人海格科技承诺自上市之日起36个月内不转让发行前直接或间接持股[138] - 董事吴春生、张小潞间接持股锁定期为上市后36个月，直接持股锁定期为12个月[141][142] - 若公司触及重大违法退市标准，股东承诺在股票终止上市前不减持股份[135][139][143] - 通过集中竞价减持需提前15个交易日报告减持计划，内容包括数量、价格区间等[136][139] - 未履行承诺导致收益的，需在5日内将收益支付给公司[137][140] - 离职后半年内不转让直接或间接持股，离职后6个月内每年转让不超过持股总数25%[136][143] - 监事胡宁、葛吉虎、毛洪英承诺上市后36个月内不转让或委托他人管理所持股份[146] - 监事所持股份锁定期满后每年减持不超过直接或间接持股总数的25%[147] - 核心技术人员承诺上市后36个月内不转让或委托他人管理所持股份[149] - 核心技术人员锁定期满后四年内每年减持不超过上市时持股总数的25%[150] - 持股5%以上股东盛源管理承诺上市后36个月内不转让或委托他人管理所持股份[151][152] - 股东盛源管理锁定期满后2年内减持价格不低于发行价[152] - 股东鑫瑞集诚、明春科技