盛美上海(688082) - 2025 Q4 - 年度财报
盛美上海盛美上海(SH:688082)2026-02-27 08:10

财务业绩与关键指标 - 2025年营业收入为67.86亿元,同比增长20.80%[22] - 2025年归属于上市公司股东的净利润为13.96亿元,同比增长21.05%[22] - 2025年扣非后归属于上市公司股东的净利润为12.20亿元,同比增长10.02%[67] - 2025年基本每股收益为3.10元,同比增长17.42%[67] - 2025年第四季度归属于上市公司股东的净利润为1.30亿元[25] - 2025年第二季度营业收入最高,为19.59亿元[25] - 报告期内公司营业收入为678,617.02万元,同比增长20.80%[126] - 报告期内归属于上市公司股东的净利润为13.96亿元,同比增长21.05%[126] - 报告期内归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为12.20亿元,同比增长10.02%[126] - 公司2025年营业收入为67.86亿元,同比增长20.80%[130] - 2025年公司主营业务收入为65.04亿元,同比增长19.55%[132][134] - 2025年公司产品总销售量为334台,同比增长17.61%[135] - 2025年半导体清洗设备销售量为205台,同比增长17.14%[135] 成本与费用 - 营业成本同比增长22.09%至3,507,229,312.66元[127] - 销售费用同比增长30.57%至551,299,154.67元[127] - 研发费用同比增长37.64%至1,003,362,375.64元[127] - 公司半导体设备总成本为34.16亿元,同比增长21.07%,其中直接材料成本占比91.32%[137] - 销售费用为5.51亿元人民币,同比增长30.57%[147] - 研发费用为10.03亿元人民币,同比增长37.64%[147] 利润与盈利能力 - 2025年扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为12.95%,同比减少3.06个百分点[22][23] - 2025年非经常性损益合计为1.76亿元,其中金融资产公允价值变动及处置损益贡献1.46亿元[27][28] - 2025年扣除股份支付影响后的净利润为15.46亿元,较2024年的14.44亿元增长7.05%[30] - 2025年公司剔除股份支付费用后的净利润达15.46亿元,同比增长7.05%[72] - 报告期内公司主营业务毛利率为47.48%[117] - 半导体清洗设备收入为45.06亿元,同比增长11.06%,毛利率为44.54%,同比下降1.63个百分点[133][134] - 其他半导体设备收入为16.61亿元,同比增长46.05%,毛利率为60.04%,同比增加0.71个百分点[133][134] - 先进封装湿法设备收入为3.37亿元,同比增长37.04%,毛利率为24.93%,同比下降3.88个百分点[133][134] - 中国大陆地区主营业务收入为64.74亿元,同比增长19.68%,毛利率为47.42%,同比下降0.72个百分点[133][134] 现金流状况 - 2025年经营活动产生的现金流量净额为2.39亿元,同比下降80.36%[22][23] - 经营活动产生的现金流量净额同比下降80.36%至238,842,882.82元[127] - 投资活动产生的现金流量净额为-2,810,195,408.62元[127] - 筹资活动产生的现金流量净额同比上升1,163.62%至4,778,159,448.96元[127] - 经营活动产生的现金流量净额为2.39亿元人民币,同比下降80.36%[149] - 投资活动产生的现金流量净额为-28.10亿元人民币[149] - 筹资活动产生的现金流量净额为47.78亿元人民币,同比增长1,163.62%[149] 资产与负债状况 - 2025年末归属于上市公司股东的净资产为134.70亿元,较上年末增长75.71%[22][23] - 2025年末总资产为188.95亿元,较上年末增长55.79%[22][23] - 报告期期末公司资产总额为1,889,489.47万元[121] - 2025年末公司总资产为188.95亿元,较2024年末增长55.79%[67] - 2025年末归属于上市公司股东的净资产为134.70亿元,较2024年末增长75.71%[67] - 报告期末公司应收账款账面价值为315,915.59万元,占总资产比例为16.72%[112] - 报告期末公司存货账面价值为482,193.57万元,占流动资产比例为30.36%[113] - 报告期末公司库存商品和发出商品账面价值为194,203.59万元,占存货账面价值比例为40.28%[113] - 货币资金为47.96亿元人民币,同比增长82.02%,占总资产25.38%[150][151] - 应收账款为31.59亿元人民币,同比增长48.16%,占总资产16.72%[150] - 其他流动资产为25.99亿元人民币,同比增长1,230.44%,占总资产13.75%,主要因定期存款增加[150][152] - 短期借款为5.20亿元人民币,同比增长120.43%[150][153] - 一年内到期的非流动负债同比上升56.54%[154] - 其他流动负债同比下降50.86%[154] - 长期借款同比增加39.57%[154] - 租赁负债同比增加40.65%[154] - 预计负债同比下降75.67%[154] - 境外资产为505,592.61万元人民币,占总资产比例为26.76%[156] - 受限资产合计账面价值为2.79亿元人民币[159] - 以公允价值计量的金融资产期末账面价值为4.05亿元人民币[163] 股东回报与资本结构 - 公司2025年度拟每10股派发现金红利6.233元(含税),共计派发现金红利299,010,341.76元[5] - 2025年度现金分红金额占合并报表归属于母公司股东净利润的21.42%[5] - 公司2025年通过股份回购金额50,012,340.46元,现金分红和回购金额合计349,022,682.22元[5] - 现金分红和回购金额合计占2025年合并报表归属于母公司股东净利润的25.00%[5] - 截至2025年12月31日,公司总股本为480,164,789股[5] - 公司以剔除已回购股份443,400股后的总股本为利润分配基准[5] 非经常性损益详情 - 2025年非经常性损益合计为1.76亿元,其中金融资产公允价值变动及处置损益贡献1.46亿元[27][28] - 2025年计入当期损益的政府补助为6224万元,较2024年的680万元大幅增长815.0%[27] - 2025年金融资产公允价值变动及处置损益为1.46亿元,较2024年的3221万元增长354.2%[27] - 交易性金融资产公允价值变动对2025年当期利润的影响金额为1.27亿元[32] - 其他非流动金融资产公允价值变动对2025年当期利润的影响金额为1930万元[32] - 2025年非经常性损益中其他营业外收支为193万元[28] - 2025年非经常性损益中其他符合定义的损益项目为154万元[28] - 2025年非经常性损益的所得税影响额为3540万元[28] - 2025年非流动性资产处置损益为-59.2万元[27] 研发投入与成果 - 2025年研发投入占营业收入的比例为18.49%,同比增加3.56个百分点[22][23] - 2025年公司及控股子公司共申请专利447项,同比增长43.73%[69] - 截至2025年末累计申请专利2,087项,较上年末增长36.76%[69] - 2025年公司及控股子公司共获得专利权57项[69] - 公司已获授予专利权533项,其中发明专利528项,较上年末增长13.40%[70] - 公司境内授权专利212项,境外授权专利321项[70] - 报告期内研发投入合计为12.547亿元人民币,较上年同比增长49.64%[92] - 研发投入总额占营业收入比例为18.49%,较上年增加3.56个百分点[92] - 资本化研发投入为2.514亿元人民币,较上年同比增长129.50%[92] - 研发投入资本化的比重为20.03%,较上年增加6.97个百分点[92] - 报告期内新增发明专利申请444个,获得发明专利57个[88] - 公司累计发明专利申请数达2,078个,累计获得数达528个[88] - 研发人员总数达1,228人,同比增长31.90%,占公司总人数比例为49.42%[98][99] - 研发人员薪酬合计为46,368.12万元,研发人员平均薪酬为41.29万元[98] - 研发人员中硕士及以上学历人员增加158人,本科学历人员增加111人[99] 业务线表现:半导体清洗设备 - 公司Tahoe清洗设备可大幅减少硫酸使用量,帮助客户降低生产成本[15] - 单片中低温SPM清洗设备在多家客户端实现量产,26nm颗粒数量少于10颗,平均颗粒数量少于5颗[37] - 高温SPM设备(硫酸温度大于170摄氏度)实现26nm小颗粒数量少于10颗,平均颗粒数量少于5颗;19nm小颗粒数量少于10颗;15nm颗粒数量少于20颗[37] - Tahoe单片槽式组合清洗设备通过减少高达75%的硫酸消耗量,仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本[39] - Tahoe清洗设备在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准[39] - 全自动槽式清洗设备能够同时清洗50片晶圆,主要应用于40nm及以上技术节点[42] - 单片清洗设备最高可单台配置18个工艺腔体[37] - 公司兆声波单片清洗设备技术可应用于逻辑28nm及DRAM 10nm技术节点,在DRAM上有70多步应用,在逻辑电路FinFET结构清洗中有近20步应用[74] - 公司TEBO技术主要针对45nm及以下图形晶圆的无损伤清洗,已应用于逻辑芯片28nm技术节点[74] - 公司单片槽式组合清洗设备可应用于逻辑芯片65nm至28nm技术节点,可用于95步及以上的清洗步骤[74] - 公司兆声波单片清洗设备在中国市场占有率较高,在国际市场较低[74] - 国际巨头清洗设备应用于5nm及以上生产线,应用领域更广[74] - 半导体清洗设备可控制晶圆表面能量非均匀度在2%以内[79] - 公司TEBO清洗设备适用于28nm及以下工艺节点图形晶圆的清洗[80] - 公司半导体清洗设备主要应用于12英寸晶圆制造[75] - 公司Tahoe高温硫酸清洗设备可大量节省硫酸使用量[81] - 公司SAPS兆声波清洗技术达到国际先进水平[78] - 公司TEBO兆声清洗技术达到国际领先水平[78] - 公司Tahoe高温硫酸清洗技术达到国际领先水平[79] - 公司单片槽式组合清洗设备在中国市场的装机量达到13台[74] - SAPS兆声波清洗设备预计2025年实现量产,并完成28nm及以下、18/19nm DRAM、3D NAND等高端制程工艺清洗验证,关键颗粒指标达标[95] - Tahoe清洗设备项目总投资规模为22.43(单位未明确,推测为百万元或亿元),本期投入5.53,累计投入18.58[95] 业务线表现:其他半导体设备(电镀、抛光、涂胶显影等) - 前道无应力铜互连平坦化设备采用低压力化学机械抛光将铜膜抛至150nm厚度,耗材成本降低50%以上[45] - 公司首台高产能KrF工艺前道涂胶显影设备已于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂[43] - 三维堆叠电镀设备可为深宽比大于10:1的高深宽比铜应用提供镀铜功能[42] - Ultra ECP GIII新型化合物半导体电镀设备在深孔镀金工艺中台阶覆盖率优于竞争对手水平[43] - 光刻胶固化设备温度均匀性达±0.1°C[46] - 先进封装电镀设备可实现2μm超细RDL线电镀[46] - 后道无应力抛光先进封装平坦化设备可将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm - 0.2μm厚度[48] - 带框晶圆清洗设备可处理厚度小于150微米的薄晶圆,溶剂回收率近100%[51] - 面板级先进封装负压清洗设备可处理510×515 mm和600×600 mm面板及高达7 mm的面板翘曲[53] - 面板级先进封装边缘刻蚀设备可处理510mm×515mm至600mm×600mm面板,厚度0.5mm至2mm,最大翘曲10mm[53] - 水平式面板级先进封装电镀设备可处理510×515 mm和600×600 mm面板[54] - TSV清洗设备可控制晶圆表面清洗温度在170℃高温[49] - 化学机械研磨后清洗设备可选配2、4或6个腔体以满足不同产能需求[54] - Final Clean清洗设备适用于6英寸、8英寸或12英寸晶圆,可选配4腔体、8腔体或12腔体[55] - 公司半导体电镀设备覆盖55nm至28nm及以上技术节点[75] - Ultra Pmax PECVD设备在2025年开发完成超5种新工艺[77] - 公司无应力抛光技术达到国际领先水平[79] - Ultra Pmax™ PECVD设备于2025年在公司临港测试研发线成功完成demo测试[86] - 最新研发的KrF工艺300WPH Track设备已于2025年9月交付中国头部逻辑晶圆制造厂[85] - 公司开发的常压氧化炉和LPCVD炉管已逐步应用于多个中国集成电路制造工厂[84] - 前道大马士革铜互连电镀设备目标覆盖28nm及以下工艺,以及3D NAND、DRAM和先进封装等应用[95] - 电镀设备项目总投资规模为11.41(单位未明确,推测为百万元或亿元),本期投入2.41,累计投入7.36[95] - 先进封装湿法设备项目总投资规模为3.12(单位未明确,推测为百万元或亿元),本期投入0.69,累计投入2.10[95] 技术节点与工艺定义 - 光刻工艺i-line技术节点为0.35-0.25微米,光源波长为365纳米[14] - 光刻工艺KrF技术节点为0.25-0.13微米,光源波长为248纳米[14] - 光刻工艺ArF技术节点为0.13微米至7纳米,光源波长为193纳米[14] - 晶圆级封装(WLP)可将封装尺寸减小至集成电路芯片大小[14] - 扇出式(Fan-Out)封装得到的实际封装面积大于芯片面积[14] - 无应力抛光技术(SFP)利用电化学反应原理去除晶圆表面金属膜[13] - 边缘胶去除(EBR)是去除晶圆边缘不需要键合胶的重要工序[13] - 关键尺寸(CD)通常指集成电路中线条宽度或间距的最小尺寸[13] - 化学机械抛光(CMP)用于使晶圆表面保持完全平坦或进行平坦化处理[14] - 3D NAND通过堆叠存储单元来解决2D或平面NAND闪存的限制[13] 市场地位与竞争格局 - 全球半导体清洗设备市场高度集中,DNS、TEL、LAM与SEMES四家公司合计市占率接近90%,其中DNS市场份额在41%以上[62] - 公司清洗设备的国内市占率为23%[62] - 公司清洗设备的国际市占率为8.0%,电镀设备的国际市占率为8.2%[62] - 公司清洗设备全球排名第四,电镀设备全球排名第三[62] - 公司位列2024年中国大陆半导体专用设备制造五强企业之一[62] - 到2026年,中国大陆12英寸晶圆厂产能占比预计达30.6%,韩国为21.6%,中国台湾为20.2%[59] - 2025年大陆国产半导体制造设备整体市场占比已攀升至35%,较2024年的25%大幅提升10个百分点[169] 研发项目与目标 - 公司计划在2025年实现2.5D/3D先进封装、Chiplet核心工艺量产,并推动相关湿法设备达到国际先进水平[95] - 公司目标在2025年完成SPM、Tahoe等核心产品性能优化,关键颗粒指标达标,并获得主流客户订单及复购[95] - 公司目标在2025年实现12CH架构等技术的规模化量产[95] - 公司计划将电镀设备技术拓展至GaAs, SiC, GaN等第三代(化合物)半导体领域[95] - 公司计划推动硅及碳化硅衬底制造湿法设备性能升级,并实现相关设备量产交付[95] - 立式炉管设备在28nm及以下工艺量产阶段,目标达到国际同行水平,相关数据涉及4、6.08、1.57、3.65[96] - Track涂胶显影系统设备目标达到国际同行水平,相关数据涉及5、2.81、0.79、2.35,并计划于2025年完成逻辑工艺量产开发[96] - PECVD设备目标达到国际同行水平,相关数据涉及6、7.04、1.53、3.42,并在28nm工艺和特色工艺中实现突破[96] - 应力铜抛光技术目标达到国际同行水平,相关数据涉及