公司治理结构 - 公司治理结构中不存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[7] - 公司治理结构中不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[7] - 公司治理结构中不存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性[7] - 公司治理结构中不存在公司治理特殊安排等重要事项[6] - 公司治理结构中不存在重大风险提示[3] - 公司全体董事出席董事会会议[4] - 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告[4] - 公司负责人HUI WANG、主管会计工作负责人LISA YI LU FENG及会计机构负责人LISA YI LU FENG声明保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整[4] 财务表现 - 2022年营业收入为28.73亿元，同比增长77.25%[21] - 归属于上市公司股东的净利润为6.68亿元，同比增长151.08%[21] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6.90亿元，同比增长254.27%[21] - 经营活动产生的现金流量净额为-2.69亿元，同比下降[21] - 2022年末归属于上市公司股东的净资产为55.24亿元，同比增长14.73%[21] - 总资产为81.76亿元，同比增长29.00%[21] - 基本每股收益为1.54元，同比增长126.47%[22] - 稀释每股收益为1.53元，同比增长128.36%[22] - 扣除非经常性损益后的基本每股收益为1.59元，同比增长224.49%[22] - 加权平均净资产收益率为12.98%，同比减少5.11个百分点[22] - 2022年营业收入为28.73亿元，同比增长77.25%[29] - 2022年归属于上市公司股东的净利润为6.68亿元，同比增长151.08%[29] - 2022年扣除非经常性损益后的净利润为6.90亿元，同比增长254.27%[29] - 2022年末总资产为81.76亿元，同比增长29.00%[29] - 2022年末归属于上市公司股东的净资产为55.24亿元，同比增长14.73%[29] - 2022年基本每股收益为1.54元，同比增长126.47%[29] - 2022年计入当期损益的政府补助为20,226,678.24元[25] - 2022年非流动资产处置损益为-56,344.40元[25] - 2022年交易性金融资产公允价值变动损益为-45,000,277.21元[25] - 2022年其他非经常性损益项目合计为-21,405,880.43元[26] - 2022年营业收入为28.73亿元，同比增长77.25%[69] - 归属于上市公司股东的净利润为6.68亿元，同比增长151.08%[69] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6.90亿元，同比增长254.27%[69] 股本与利润分配 - 公司2022年度利润分配预案为每10股派发现金红利3.72元（含税），共计派发现金红利161,283,241.20元（含税），占2022年合并报表归属于母公司股东净利润的24.13%[5] - 公司总股本为433,557,100股[5] 半导体行业与产品 - 硅片用于集成电路、分立器件、传感器等半导体产品制造[11] - IC指通过一系列特定加工工艺将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功能的电路或系统[11] - 晶圆在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片[11] - 晶圆厂通过一系列特定加工工艺在硅片上加工制造半导体器件的生产厂商[11] - 芯片集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果[11] - 图形晶圆表面带图案结构的晶圆[11] - 晶圆制造、芯片制造将半导体硅片加工制造成芯片的过程，分为前道晶圆制造和后道封装测试[11] - 存储器电子系统中的记忆设备，用来存放程序和数据[11] - 功率器件用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件[11] - NAND闪存快闪记忆体/资料储存型闪存[11] 研发与创新 - 公司推出Ultra PmaxTM PECVD设备，扩展到前道半导体应用的干法工艺领域[30] - 公司为Ultra C pr设备新增金属剥离工艺，支持功率半导体制造和晶圆级封装应用[30] - 公司推出6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，支持碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等应用[30] - 公司推出CMP后清洗设备，适用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造[30] - 公司销售收入为287,304.55万元，呈持续增长趋势[30] - 公司加强销售预测、物料计划和安全库存管理，确保设备制造零部件及时交付[30] - 公司营运效率持续提高，生产制造缺陷率持续下降，设备交付按时率保持在较高水准[30] - 公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利389项，其中发明专利384项[30] - 公司人数从869人增长到1,199人，净增长330人，人数增长率为37.97%[30] - 公司建立了完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制[30] - 公司自主研发的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了槽式模块和单片模块，可大幅减少硫酸使用量，帮助客户降低生产成本并符合节能减排政策[34] - 全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，能够同时清洗50片晶圆，自动化程度高，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低[35] - 前道铜互连电镀铜设备Ultra ECP map针对28-14nm及以下技术节点，采用多阳极局部电镀技术，实现超薄籽晶层（5nm）上无空穴填充，满足先进工艺的镀铜需求[35] - 三维堆叠电镀设备Ultra ECP 3d应用于填充3D硅通孔TSV和2.5D转接板，提供高性能、无孔洞的镀铜功能，减少消耗品使用，降低成本，节省设备使用面积[35] - 新型化合物半导体电镀设备Ultra ECP GIII在2022年实现量产，应用于背面深孔镀金和金互联线以及CuNi-Au等领域，通过差异化的技术和灵活的模块化设计提升竞争力[36] - 立式炉管设备包括LPCVD、氧化炉、扩散炉和炉管ALD，推出ALD（热原子层沉积）立式炉Ultra FnA，满足高产能批式ALD工艺的高端要求[36] - 前道涂胶显影Track设备Ultra LithTM Track应用于300毫米前道集成电路制造工艺，提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手及强大的软件系统，降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本[36] - 等离子体增强化学气相沉积PECVD设备Ultra PmaxTM PECVD配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，提供更好的薄膜均匀性、优化的薄膜应力和更少的颗粒特性[36] - 无应力铜互连平坦化设备Ultra-SFP抛光集成系统结合无应力抛光技术SFP与低下压力化学机械平坦化技术CMP，应用于铜低k/超低k互连结构，耗材成本降低50%以上[36] - 新型化合物半导体刻蚀设备推出6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，支持碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等领域的工艺应用[36] - 公司Ultra C dv显影设备应用于晶圆级封装，具备灵活的喷嘴扫描系统，实现精准药液控制[37] - 湿法刻蚀设备提供行业领先的化学温度控制和刻蚀均匀性，专注安全性，药液回收使用减少成本[37] - Ultra C pr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升安全性，提高WLP产能[37] - 湿法金属剥离设备解决金属剥离工艺中残留物累积问题，优化腔体结构实现易拆卸、清洗与维护[37] - 无应力抛光设备解决先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺成本高和晶圆翘曲大问题[37] - 化学机械研磨后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造，可选配兆声波清洗技术[37] - Final Clean清洗设备结合兆声波清洗技术，控制晶圆表面颗粒和金属污染[37] - 公司主要采用自主研发模式，研发部门以半导体专用设备国际技术动态和客户需求为导向[39] - 公司建立了完善的采购体系，优化供应链资源和供应商准入体系[39] - 公司产品均为定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生产模式[39] - 截至2022年12月31日，公司拥有已获授予专利权的主要专利389项，其中发明专利384项[48] - 2022年研发投入合计427,634,945.95元，同比增长53.61%，主要由于研发人员薪酬和研发测试服务费增加[49] - 研发投入资本化比重增加11.20个百分点，主要由于2022年将满足资本化条件的研发投入予以资本化处理[51] - 公司研发人员数量从391人增加到519人，增长32.74%[54] - 研发人员数量占总人数比例为43.29%，较上期的44.99%略有下降[54] - 研发人员薪酬合计从11,558.68万元增加到20,542.19万元[54] - 研发人员平均薪酬从36.93万元增加到43.80万元[54] - 硕士及以上学历研发人员增加87人，本科学历研发人员增加48人[54] - 前道清洗设备项目累计投入5.95亿元，达到国际先进水平[52] - 半导体电镀设备项目累计投入2.20亿元，达到国际先进水平[52] - 先进封装湿法设备及硅材料衬底制造湿法设备项目累计投入0.69亿元，达到国际先进水平[52] - 立式炉管设备项目累计投入0.76亿元，目标达到国际同行业企业同等水平[52] - TRACK涂胶显影系统研制和开发项目累计投入0.24亿元，目标达到国际同行业企业同等水平[52] - 公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，核心产品包括兆声波单片清洗设备、单片槽式组合清洗设备、铜互连电镀工艺设备[56] - 兆声波单片清洗设备技术特点：通过控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长相对运动，实现晶圆表面兆声波能量的均匀分布，解决晶圆翘曲引起的兆声波清洗不均一问题；通过精确控制兆声波的输出方式，使气泡在受控的温度下保持一定尺寸和形状的振荡，解决气泡爆裂引起的图形损伤问题[56] - 兆声波单片清洗设备技术节点及覆盖下游行业：SAPS技术已应用于逻辑28nm技术节点及DRAM 19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片14nm、DRAM 17/16nm技术节点、32/64/128层3D NAND、高深宽比的功率器件及TSV深孔清洗应用；TEBO技术主要针对45nm及以下图形晶圆的无损伤清洗，已应用于逻辑芯片28nm技术节点，并进行16-19nm DRAM工艺图形晶圆的清洗工艺评估[56] - 单片槽式组合清洗设备技术特点：相比主流单片设备，可大幅减少硫酸使用量；保持湿润及一定水膜厚度传送硅片至单片清洗模块；在单片清洗模块中进行晶圆最终清洗，清洗能力优于传统槽式清洗设备[56] - 单片槽式组合清洗设备技术节点及覆盖下游行业：应用包括前段干法蚀刻后聚合物及残胶去除，抛光后研磨液残留物去除，离子注入后光刻胶残留物去除，通孔前有机残留物去除等工艺，已完成逻辑芯片逻辑40nm及28nm技术节点产线验证，并可拓展至14nm逻辑芯片、20nm DRAM及以上技术节点及64层及以上3D NAND[56] - 铜互连电镀工艺设备技术特点：利用多阳极局部电镀技术，采用精确可控电源分别接通各个阳极，实现局部电镀，适用于超薄种子层覆盖小孔及沟槽结构的无空穴电镀填充；独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场；电镀夹具密封技术，通过全封闭式密封圈对接触电极的保护，提高工艺性能和延长接触电极使用寿命，降低工艺耗材成本；工艺腔体模块化设计，提升设备有效运行时间[57] - 铜互连电镀工艺设备技术节点及覆盖下游行业：双大马士革铜互连结构铜电化学沉积工艺：55nm至14nm及以上技术节点；先进封装凸块、再布线、硅通孔、扇出工艺的电化学镀铜、镍、锡、银、金等[57] - 公司成功研发出全球首创的SAPS、TEBO兆声波清洗技术和Tahoe单片槽式组合清洗技术[98] - 公司及控股子公司拥有已获授予专利[99] - 公司拥有389项主要专利，其中境内授权专利166项，境外授权专利223项，发明专利共计384项[1] - 2022年公司产品品类拓展带来的可服务市场成倍增长，形成"清洗+电镀+先进封装湿法+立式炉管+涂胶显影+PECVD"的六大类业务版图，支撑公司SAM翻倍[1] - 公司成功将立式炉管ALD设备推向国内的两家关键客户，首台具有自主知识产权的涂胶显影Track设备Ultra LITHTM成功出机，并将于2023年推出i-line型号设备，已开始着手研发KrF设备[1] - 公司首次推出等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，支持逻辑和存储芯片制造[1] - 公司计划通过技术突破、新产品研制开发、人才培养、市场开拓、兼并收购、内控建设等多方面工作，加强公司领先优势，加快战略项目拓展，巩固并提升市场占有率[101] - 公司将持续加大研发投入力度，搭建更好的研发实验环境，为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障[101] - 公司将根据市场及客户需求，细分产品，开发不同的硬件特征，提高产品针对不同应用的性能，满足不同客户的需求[101] 市场与竞争 - 2022年全球半导体设备销售规模达到1175亿美元，创历史新高，超越2021年的1026亿美元[41] - 预计到2024年，中国大陆在全球IC晶圆产能中的份额将达到19%[41] - 2021年公司收入达到16亿元，同比增长约60%，位列全国集成电路设备企业前三[42] - 公司在全球单片清洗设备市场的份额已升