财务数据关键指标变化 - 2021年营业收入为7.82亿元，同比增长153.28%[26] - 2021年归属于上市公司股东的净利润为1.47亿元，同比增长430.66%[26] - 2021年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.41亿元，同比增长588.67%[26] - 2021年经营活动产生的现金流量净额为1.30亿元，相比2020年的-3748.57万元大幅改善[26] - 2021年末归属于上市公司股东的净资产为5.66亿元，同比增长35.07%[26] - 2021年末总资产为6.29亿元，同比增长43.63%[26] - 2021年基本每股收益为2.91元/股，同比增长385.00%[26] - 2021年扣除非经常性损益后的基本每股收益为2.78元/股，同比增长531.82%[26] - 2021年加权平均净资产收益率为29.84%，同比增加17.18个百分点[26] - 2021年毛利率同比上涨10.87个百分点[29] - 公司2021年营业收入为7.82亿元，同比增长153.28%[39] - 归属于上市公司股东的净利润为1.47亿元，同比增长430.66%[39] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.41亿元，同比增长588.67%[39] - 公司报告期内营业收入为782,091,845.56元，同比增长153.28%[198] - 归属于上市公司股东的净利润为146,903,706.46元，同比增长430.66%[198] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为140,506,928.84元，同比增长588.67%[198] 成本和费用 - 营业成本为557,446,096.06元，同比增长119.76%[198] - 研发费用为41,433,948.60元，同比增长159.07%[198] - 2021年公司研发费用投入为4,143.39万元，同比增长159.07%，研发人员33名，占员工总数44%[52] - 公司2021年研发投入总额为41,433,948.60元，同比增长159.07%[146] - 研发投入总额占营业收入比例为5.30%，较上年增加0.12个百分点[146] 分红和股东回报 - 公司2021年度拟向全体股东每10股派发现金红利3.30元（含税），总股本67,376,367股，合计派发现金红利22,234,201.11元（含税）[5] - 2021年度现金分红金额占归属于母公司股东的净利润比例为15.14%[5] - 公司2021年度不进行资本公积金转增股本，不送红股[5] 业务线表现 - 高压超级结MOSFET产品全年营业收入为56,856.56万元，同比增长128.27%[39] - 中低压屏蔽栅MOSFET产品全年营业收入为20,569.47万元，同比增长246.85%[39] - 超级硅MOSFET产品全年营业收入为214.99万元，同比增长432.63%[39] - Tri-gate IGBT产品首次量产出货，全年营业收入为568.17万元[39] - 公司高压超级结MOSFET产品销售收入占比为72.70%[100] - 创新型Tri-gate IGBT器件产品在2021年下半年迅速起量，高速增长[103] 产品和技术 - 公司2021年年度报告显示主要产品包括MOSFET、IGBT等功率半导体器件[18] - 公司拥有独立知识产权的Tri-gate IGBT（TGBT）产品系列[18] - 每片8英寸晶圆可生产数百至数万颗单芯片[18] - 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料应用于高压大功率领域[20] - 功率MOSFET的导通电阻直接影响器件功率损耗[20] - IGBT产品具有高输入阻抗、易驱动、高工作频率等特点[18] - 公司采用垂直一体化(IDM)和Fabless两种业务模式[18] - 功率模块产品具有高集成度、高功率密度特点[18] - 公司高压超级结MOSFET技术涵盖200V1200V电压范围，行业领先的FOM (Rds(on)*Qg)优值[130] - 中低压屏蔽栅MOSFET技术涵盖60V150V电压范围，具有高EAS版图优化技术和高可靠性[130] - 超级硅MOSFET技术在快速充电器应用中效率接近氮化镓(GaN)功率模块[130] - Tri-gate IGBT技术具有大电流密度、栅极电荷小和开关损耗低的特点[130] - Hybrid-FET器件结合IGBT与MOSFET优点，具有宽广安全工作区和高速关断能力[133] - 新型第三代半导体SiC器件具有高速开关、超低反向恢复时间与高可靠性[133] - 2021年公司高压超级结MOSFET和中低压屏蔽栅MOSFET已在12英寸产线实现量产[135][137] - 超级硅MOSFET采用成熟硅基工艺，可靠性高于氮化镓且生产成本更低[137] - Tri-gate IGBT通过多个客户验证并实现高性能IGBT国产替代[133] - 2021年研发经费、人员、专利及新品开发数量快速增加，数字化系统提升研发效率[133] 研发投入和成果 - 公司拥有产品规格型号1790余款，包括高压超级结MOSFET产品1100款，中低压SGT产品641款，IGBT产品52款[141] - 2021年新增发明专利申请16个，获得5个，累计发明专利118个，获得38个[145] - 公司第四代高压GreenMOS超级结技术研发成功并小批量出货，预计2022年开始大批量供货[141] - 公司基于12英寸工艺的高压超级结MOSFET技术大规模稳定量产，下一代技术开发顺利进行[142] - 公司650V、1200V及1350V第一代TGBT器件技术研发成功并实现量产，电流密度达国际主流第七代IGBT水平[143] - 公司开发出6种600/650V Hybrid-FET规格产品，该技术处于国内领先水平[139][143] - 第三代超级结器件研发项目累计投入14,210,013.33元，产品平台开发完成并进入批量生产阶段[149] - 超级硅功率器件项目预计总投资13,490,000元，旨在提升高压超级结MOSFET的开关速度和降低损耗[152] - 8英寸线700V及以上GreenMOS高压超级结芯片研发投入23,510,000元，完成700V~950V额定电压平台搭建，1000V以上规格处于开发阶段[155] - 12英寸先进工艺GreenMOS超级结MOSFET研发投入24,510,000元，完成40颗以上8英寸到12英寸产品转产工作[155] - 900V以下三栅IGBT研发投入14,060,000元，完成650V Trigate IGBT多个系列产品开发[158] - 900V及以上三栅IGBT研发投入16,670,000元，完成1200V与1350V逆导型与非逆导型Tri-gate IGBT平台开发[158] - 第三代半导体SiC功率器件研发投入14,470,000元，完成650V SiC产品工艺与器件设计[161] - 公司研发人员数量33人，较上年同期增加37.50%，研发人员薪酬合计1,285.39万元[164] - 研发人员中博士研究生3人，硕士研究生8人，本科15人[164] - 公司已自主研发1100种高压MOSFET产品型号，覆盖500V-950V工作电压[168] - 公司自主研发641种中低压MOSFET产品型号，覆盖25V-150V工作电压[168] - 公司自主研发52款TGBT产品系列，多个系列进入批量生产状态[168] 客户和市场 - 2021年公司中低压屏蔽栅MOSFET产品批量进入宝时得、创科集团、喜利得等电动工具厂商，以及海尔集团、美的集团、伊莱克斯等家电厂商[44] - 2021年公司TGBT器件批量应用于光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域，客户包括优优绿能、古瑞瓦特、比亚迪等[48] - 公司拥有强大的全球终端客户基础，包括工业电源领域的客户A、中国长城、麦格米特等，新能源汽车充电桩领域的英可瑞、特锐德等，以及消费电子领域的视源股份、美的集团等[169] - 公司与上游晶圆制造厂商、封装测试厂商建立了长期稳定的合作关系，具备深度定制化开发能力[171] - 公司产品广泛应用于新能源汽车直流充电桩、5G基站电源、光伏逆变及储能等领域[175] - 公司在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域市场占有率相对较低，主要份额仍被国外厂商占据[178] 行业趋势和竞争 - 2019年全球功率半导体市场规模为464亿美元，预计2024年增长至522亿美元，年化复合增长率2.4%[86] - 2019年中国功率半导体市场规模为177亿美元，占全球市场38%，预计2024年达206亿美元，年化复合增长率3.1%[86] - 2020年中国MOSFET器件市场规模35.19亿美元，2021年增长至37.92亿美元，增长率7.75%[87] - 预计2025年全球光伏逆变器新增装机量330GW，IGBT市场规模超百亿，其中单管市场空间约40亿元[91] - 预计2025年电动车IGBT市场规模达572亿元[91] - 功率MOSFET特别是超级结MOSFET和IGBT等高端产品仍较大程度依赖进口，未来进口替代空间巨大[86][87] - 高压超级结MOSFET行业增速有望超过中低压产品，受益于5G基站和新能源汽车需求增长[88] - 公司属于功率半导体细分领域，行业代码C39，技术门槛高且依赖工艺改进和新材料迭代[83][92] - 半导体行业呈现IDM与Fabless模式共存局面，以平衡技术迭代和产能灵活性[92] 新能源汽车和充电桩市场 - 2021年全国新能源汽车保有量达784万辆，占汽车总量的2.60%，同比增长59.25%[109] - 2021年全国新注册登记新能源汽车295万辆，占新注册登记汽车总量的11.25%，同比增长151.61%[109] - 截至2021年底全国充电桩保有量达261.7万台，较2020年新增94万台，同比增长56%[110] - 2021年全国公共充电桩114.7万台，较2020年新增34万台，同比增长42%[110] - 2019年新能源汽车SiC器件市场规模2.25亿美元，预计2025年增长至15.53亿美元，复合增长率38%[105] - 2017-2021年全国充电桩保有量从44.6万台增至261.7万台，5年复合增长率56%[110] - 2021年纯电动汽车保有量640万辆，占新能源汽车总量的81.63%[109] - 2021年月均新增公共充电桩约2.83万台[110] - 2017年至2019年，直流充电桩占比从28.7%上升至41.6%[116] - 2019年至2021年，直流充电桩占比稳定在约四成，交流充电桩占比约六成[116] - 100kW充电桩需要功率器件价值量为200-300美元[116] - 截至2021年底，全国新能源汽车保有量达784万辆，占汽车总量2.60%[126] - 纯电动汽车保有量640万辆，占新能源汽车总量81.63%[126] 5G基站市场 - 截至2021年底，我国累计建成并开通5G基站142.5万个，全年新增65.4万个[117] - 2022年计划新建60万以上5G基站，基站总数年底达200万个[117] - 5G基站功率需求为11.577kW，较4G提升68%[120] - 5G基站数量需求是4G的2-3倍[120] - Massive MIMO天线阵列所需功率半导体价值从25美元增至100美元[122] 公司管理和风险 - 公司联合创始人龚轶拥有超过20年半导体研发管理经验，曾任职于超微半导体和英飞凌科技[174] - 公司联合创始人王鹏飞博士从事半导体技术研发超过20年，曾任职于英飞凌科技并担任复旦大学微电子学院教授[174] - 公司核心技术人员均拥有超过10年半导体技术开发经验，且在公司任职超过5年[174] - 公司晶圆供应商集中度较高，晶圆代工行业产能紧张可能对产品出货量和收入增长造成不利影响[179] - 公司主要产品为MOSFET，若下游市场需求增速放缓或未能实现技术突破，可能影响营收和盈利能力[180] - 公司供应链管理风险较高，产品质量或交付问题可能影响销售和品牌声誉[183] - 公司经销收入占比为63.89%[186] - 报告期末应收账款账面价值为10,369.71万元[187] - 报告期末存货账面价值为9,961.54万元[188] - 公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响[185]