财务分配计划 - 公司计划半年度不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本[5] 整体财务数据关键指标变化 - 本报告期营业总收入为12.49亿元，上年同期为16.22亿元，同比减少23.02%[23] - 本报告期归属于上市公司股东的净利润为 -5.32亿元，上年同期为3.13亿元，同比减少269.62%[23] - 本报告期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润为 -6.19亿元，上年同期为1.91亿元，同比减少423.41%[23] - 本报告期经营活动产生的现金流量净额为 -1.15亿元，上年同期为2.60亿元，同比减少144.01%[23] - 本报告期基本每股收益为 -0.48元/股，上年同期为0.34元/股，同比减少241.18%[23] - 本报告期稀释每股收益为 -0.48元/股，上年同期为0.34元/股，同比减少241.18%[23] - 本报告期加权平均净资产收益率为 -9.41%，上年同期为6.77%，同比减少16.18%[23] - 本报告期末总资产为126.29亿元，上年度末为128.99亿元，同比减少2.09%[23] - 本报告期末归属于上市公司股东的净资产为53.44亿元，上年度末为59.09亿元，同比减少9.56%[23] - 2019年上半年公司实现营业收入124,869.76万元，较上年同期下降23.02%，税后净利润亏损53,164.95万元[117] - 2019年上半年公司营业收入12.49亿元，同比减少23.02%；营业成本13.28亿元，同比增加26.68%[131] - 销售费用5012.21万元，同比增加285.37%；管理费用1.23亿元，同比减少3.80%；财务费用8046.59万元，同比增加4.05%[131] - 所得税费用 - 2513.04万元，同比减少170.52%；研发投入8852.06万元，同比增加11.51%[131] - 经营活动产生的现金流量净额 - 1.15亿元，同比减少144.01%；投资活动产生的现金流量净额 - 1.10亿元，同比减少52.89%；筹资活动产生的现金流量净额2.38亿元，同比增加207.94%；现金及现金等价物净增加额998.97万元，同比增加105.35%[131][134] - 报告期末货币资金11.86亿元，占总资产9.39%，较上年同期末增加4.53个百分点，主要因融资租赁放款和票据到期托收及回款增加[139] - 报告期末应收账款10.70亿元，占总资产8.48%，较上年同期末减少2.90个百分点，因公司加强应收账款管理回款良好[139] - 报告期末存货13.42亿元，占总资产10.62%，较上年同期末增加3.17个百分点，因总体产销率下降[139] - 报告期投资额2.39亿元，上年同期投资额25.05亿元，变动幅度为-90.46%[148] 非经常性损益相关数据 - 非流动资产处置损益为227.600069万美元[29] - 计入当期损益的政府补助为1.1764869889亿美元[29] - 其他营业外收入和支出为 - 1640.447337万美元[29] - 所得税影响额为1621.677199万美元[29] - 非经常性损益合计为8730.345422万美元[29] 业务线构成 - 公司主要业务包括LED产业链、蓝宝石相关业务和MEMS传感器领域[33] LED业务线数据关键指标变化 - 公司LED芯片产能利用率降至62.5%[39] - 公司对存货计提减值准备1.92亿[39] - 公司LED芯片业务采取直销模式，海外高端市场销售份额持续提升[35][38] - 2018年下半年大陆地区新增产能集中释放，LED芯片行业进入新一轮过剩周期，2019年上半年供过于求压力持续，平均价格下跌但趋势减缓[40] - 2019年上半年电视背光市场芯片出货大幅度成长，预计下半年出货继续维持成长趋势[46] - LED芯片营业收入7.52亿元，同比减少38.79%，营业成本8.99亿元，同比增加12.51%，毛利率 - 19.53%，同比减少54.50%[134] - LED衬底片营业收入1.51亿元，同比减少45.13%，营业成本1.30亿元，同比减少22.91%，毛利率13.64%，同比减少24.89%[134] - 芯片产能1200万片，产量750万片，产能利用率62.5%[134] - 2019年倒装绿光芯片综合良率86 - 91%，正装红光芯片综合良率82 - 89%，较2018年有小幅降低[118] MEMS传感器业务线数据关键指标变化 - 公司MEMS传感器产品销售方式为通过代理商分销或直接销售给客户[37] - 公司境外资产MEMSIC Inc.资产规模68,085.26万元，所在地为美国，收益状况为936.78万元，占公司净资产比重12.74%，不存在重大减值风险[52] - 传感器营业收入9570.44万元，同比增加62.22%，营业成本5422.81万元，同比增加153.04%，毛利率43.34%，同比减少20.34%[134] - 美新半导体新一代地磁传感器产能相比2018年底提升一倍，新型加速度传感器预计9月底量产[123] - 新型接口(I3C)地磁传感器已完成样品验证，大量程磁传感开关计划尽快导入量产[123] 竞争对手财务数据 - 三安光电2018年营收83.64亿元，同比下滑0.35%，2019年一季度营收17亿元，同比下降11.10%[48][50] - EPISTAR(台湾晶电)2018年全年营收为203.27亿台币，同比下降19.88%[50] - 博世2018年营收779亿欧元[50] 公司市场地位 - 公司为全球领先的LED芯片供应商，在新兴市场Mini LED应用进展和能力位于芯片厂第一梯队[43][44] - 公司在报告期内持续保持全球LED显示芯片领先供应商地位，全色系RGB芯片供应商地位优势显著[45] - 公司为国内MEMS传感器龙头企业，能采用标准CMOS工艺实现MEMS大规模量产[47] - 公司在LED显示屏芯片领域保持全球领先，背光/照明领域国内前二，MEMS传感器领域全球领先，Mini LED产品已率先批量量产[57] 研发投入与专利情况 - 报告期内公司研发项目总支出8852.06万元，较去年同期增长11.51%，研发总支出占营业收入的比例为7.09%[55] - 截至2019年6月30日，公司被授权专利数量为495项，其中415项发明专利，1项外观设计，79项实用新型；2019年上半年被授权的专利数量为50项，其中发明专利49项，实用新型1项[55] - 公司拥有已授权专利495项，其中实用新型专利79项，发明专利415项，外观设计1项，另有526项正在审核过程中[68] - 发明类专利有效期多为20年，实用新型专利有效期多为10年[71][73] - 如“一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的V - 型缺陷的方法”专利申请于2006 - 7 - 26，授权于2008 - 7 - 16 [71] - “渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管”专利涉及华灿光电股份有限公司，申请于2012 - 4 - 25 [73] - 华灿光电有发明“Nitride-based light emitting device with excellent light emitting efficiency using strain buffer layer”，申请时间为2012年12月26日，相关报告涉及2019年半年度[82] - 华灿光电有发明“一种提高发光二极管外量子效率的方法”，申请时间为2009年3月27日[82] - 华灿光电有发明“一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法”，申请时间为2011年7月18日[82] - 华灿光电有发明“一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长”，申请时间为2011年9月5日[82] - 发明类型专利有效期为20年的有多个，如高光效发光二极管芯片及其制备方法（ZL201310552255.4）等[85] - 实用新型类型专利有效期为10年的有多个，如一种图形化的蓝宝石衬底（ZL201320703572.7）等[85] - 部分发明类型专利申请时间在2013年，如高光效发光二极管芯片及其制备方法申请于2013 - 11 - 8[85] - 部分发明类型专利授权时间在2016 - 2018年，如高光效发光二极管芯片及其制备方法授权于2016 - 8 - 17[85] - 部分实用新型类型专利申请时间在2013 - 2014年，如一种图形化的蓝宝石衬底申请于2013 - 11 - 8[85] - 部分实用新型类型专利授权时间在2014 - 2015年，如一种图形化的蓝宝石衬底授权于2014 - 5 - 7[85] - 2014年申请的发明类型专利有多种，如一种发光二极管的生长方法及发光二极管（ZL201410542946.0）申请于2014 - 10 - 14[87] - 2015年申请的发明类型专利有多种，如一种发光二极管外延片的制造方法（ZL201510032635.4）申请于2015 - 1 - 22[87] - 2015年申请的实用新型类型专利有多种，如一种合金炉（ZL201520064562.2）申请于2015 - 1 - 30[87] - 2015年申请的部分实用新型类型专利授权时间在2015 - 2016年，如一种合金炉授权于2015 - 7 - 8[87] - 华灿光电2019年半年度有多条发明和实用新型专利，发明类专利对应数值多为20，实用新型对应数值多为10[89][91] - 专利申请时间跨度从2011年到2017年，如2011年10月27日申请了纳米级PSS衬底制作方法等专利[91] - 专利授权时间跨度从2015年到2019年，如2015年4月1日授权了GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法专利[91] - 华灿光电2019年半年度报告涉及多项专利，发明类专利有效期多为20年，实用新型专利有效期为10年[93][95] - 专利申请时间跨度从2012年到2016年，授权时间跨度从2015年到2019年[93][95] - 如“一种提高GaN基LED发光效率的外延方法”专利申请于2012 - 8 - 22，授权于2015 - 2 - 11，有效期20年[93] - “一种LED显示器件”实用新型专利申请于2016 - 7 - 15，授权于2017 - 3 - 1，有效期10年[93] - “一种发光二极管及其制造方法”（ZL201610807699.1）发明申请于2016 - 9 - 6，授权于2019 - 5 - 14，有效期20年[95] - “一种LED芯片”（ZL201621293734.4）实用新型申请于2016 - 11 - 29，授权于2017 - 6 - 30，有效期10年[95] - 华灿光电2019年半年度报告涉及多项发明和实用新型专利[97] - 多项发明专利于2016 - 2017年申请，2018 - 2019年授权，对应价值为20[97] - 多项实用新型专利于2017 - 2018年申请，2018 - 2019年授权，对应价值为10[97] - 一种发光二极管芯片的转移方法等实用新型专利，2018年8月31日申请，2019年5月14日相关信息体现于年半年度报告，对应价值为10[99] - 具有Y形通孔的圆片级气密性封装工艺等发明专利于2006 - 2011年申请，2008 - 2015年授权，对应价值为20[99] - 华灿光电热源模块专利申请号为ZL201210118366.X，申请时间为2012 - 04 - 20，授权时间为2015 - 03 - 18[101] - 测距仪实用新型专利申请号为ZL201020033126.6，申请时间为2010 - 01 - 15，授权时间为2010 - 09 - 22[104] - Z轴电容式加速度计实用新型专利申请号为ZL201020617239.0，申请时间为2010 - 11 - 19，授权时间为2011 - 06 - 01[104] - 单芯片三轴AMR传感器实用新型专利申请号为ZL201120115995.8，申请时间为2011 - 04 - 19，授权时间为2012 - 02 - 22[104] - 三轴传感器的封装结构实用新型专利申请号为ZL201120539354.5，申请时间为2011 - 12 - 21，授权时间为2012 - 09 - 05[104] - 三轴磁传感器实用新型专利申请号为ZL201220174616.7，申请时间为2012 - 04 - 23，授权时间为2012 - 11 - 21[104] - MEMS传感器及半导体封装器件实用新型专利申请号为ZL201420050748.8，申请时间为2014 - 01 - 26，授权时间为2014 - 08 - 13[104] - 磁传感器实用新型专利申请号为ZL201520670545.3，申请时间为2015 - 08 - 31，授权时间为2015 - 12 - 23[104] - AMR传感器实用新型专利申请号为ZL201520748582.1，申请时间为2015 - 09 - 24，授权时间为2016 - 02 - 24[104] - 晶圆电镀