市场份额与行业格局 - 国际知名大型半导体公司占据中国半导体市场约70%的份额[6] - 功率半导体在2021年因多种因素快速增长，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元[51] - 我国高端功率半导体领域被欧美日企业垄断，国产化率低，进口替代空间大[52] - 发达国家75%的电能需经功率半导体分立器件变换或控制后使用，我国仅占30%，70%电能仍采用传统传输方式[104] 公司业务结构 - 公司MOS业务占主营业务的比例为29.57%，未来会明显提升[8] - 公司主营各类电力电子器件和芯片，如晶闸管、防护类、二极管等器件及芯片[54] - 公司主要产品是功率半导体芯片和封装器件，包括晶闸管、防护器件、二极管、MOSFET、厚模组件、碳化硅器件、电子专用材料等系列[90] 公司基本信息 - 公司股票简称捷捷微电，代码300623[33] - 公司法定代表人为黄善兵[33] - 公司注册地址于2020年7月6日由“江苏省启东科技创业园兴龙路8号”变更为“江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号”[33] - 公司办公地址为江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号，邮编226200[33] - 公司国际互联网网址为http://www.jjwdz.com/，电子信箱为jj@jjwdz.com[33] 财务数据关键指标变化 - 2021年营业收入17.73亿元，较2020年增长75.37%；归属于上市公司股东的净利润4.97亿元，较2020年增长75.34%[38] - 2021年末资产总额57.26亿元，较2020年末增长94.72%；归属于上市公司股东的净资产32.69亿元，较2020年末增长31.41%[38] - 2021年基本每股收益0.68元/股，较2020年增长74.36%；稀释每股收益0.64元/股，较2020年增长64.10%[38] - 2021年加权平均净资产收益率17.88%，较2020年增加5.88%[38] - 2021年第一至四季度营业收入分别为3.65亿元、4.87亿元、4.94亿元、4.27亿元[41] - 2021年第一至四季度归属于上市公司股东的净利润分别为1.00亿元、1.39亿元、1.49亿元、1.08亿元[41] - 2021年非流动资产处置损益84.82万元，计入当期损益的政府补助1997.88万元，持有交易性金融资产等产生的公允价值变动损益及投资收益2766.11万元[47] - 2021年非经常性损益合计3828.81万元，2020年为3535.86万元，2019年为712.45万元[47] - 公司2021年实现营业收入177,280.09万元，同比增加75.37%；净利润49,705.69万元，同比增加75.34%；营业利润57,046.54万元，同比增加75.56%[149] - 公司2021年营业成本92,723.89万元，同比增加72.09%[149] - 公司2021年税金及附加同比增加40.08%，销售费用同比增加38.54%，管理费用同比增加99.20%[149][151] - 公司2021年研发费用同比增加76.94%，财务费用同比增加490.80%[152][153] - 公司2021年信用减值损失同比减少102.08%，资产减值损失同比减少73.97%[154][155] - 公司2021年投资收益同比减少15.69%，资产处置收益同比减少77.65%[156][157] - 公司2021年其他收益同比增长95.58%，公允价值变动收益同比增长55.54%[158] - 公司2021年营业外收入同比减少95.41%，营业外支出同比增加69.30%[159][160] - 公司2021年经营活动现金净额同比增加73.01%，投资活动现金净额同比减少159.17%，筹资活动现金净额同比增加22,731.13%[160] - 2021年销售费用50,146,653.98元，同比增38.54%；管理费用124,353,247.36元，同比增99.20%；财务费用3,196,704.68元，同比增490.80%；研发费用131,608,600.62元，同比增76.94%[175] - 2021年经营活动现金流入小计23.26亿元，同比增长192.22%[200] - 2021年经营活动现金流出小计19.30亿元，同比增长240.41%[200] - 2021年经营活动产生的现金流量净额3.96亿元，同比增长73.01%[200] - 2021年投资活动现金流入小计22.58亿元，同比减少24.77%[200] - 2021年投资活动现金流出小计42.60亿元，同比增长12.86%[200] - 2021年投资活动产生的现金流量净额 -20.01亿元，同比增长159.17%[200] - 2021年筹资活动现金流入小计20.50亿元，同比增长3734.83%[200] - 2021年筹资活动现金流出小计1.07亿元，同比增长73.22%[200] - 2021年筹资活动产生的现金流量净额19.43亿元，同比增长22731.13%[200] - 2021年现金及现金等价物净增加额3.33亿元，同比增长159.95%[200] 各条业务线数据关键指标变化 - 半导体芯片2021年销售量70.85万片，同比降29.09%；生产量356.16万片，同比增34.76%；库存量4.68万片，同比增108.00%；生产耗用量282.88万片，同比增71.94%[167] - 半导体器件2021年销售量58.42亿只，同比增86.65%；生产量62.12亿只，同比增97.39%；库存量5.2亿只，同比增246.67%[167] - 功率半导体芯片2021年材料成本68,223,924.61元，占比40.68%，同比降0.22%；人工成本33,875,997.50元，占比20.20%，同比增10.92%；制造费用65,626,728.64元，占比39.13%，同比降15.21%[168] - 功率半导体器件2021年材料成本543,796,837.88元，占比71.71%，同比增113.16%；人工成本75,784,964.56元，占比9.99%，同比增167.22%；制造费用138,786,157.56元，占比18.30%，同比增94.93%[168][170] 公司生产与经营模式 - 公司晶闸管和二极管及防护系列产品采用IDM一体化经营模式，MOSFET采用Fabless + 封测业务模式[56] - 公司物资管理部负责采购，按采购计划分类、编制信息、执行采购并验证产品[57][58][60] - 晶闸管和防护器件根据销售订单制定生产计划，分芯片和封装制造部生产[61] - MOSFET委托芯片代工厂制造，部分自主封装，部分委外封测，生产模式与其他产品一致[62] 公司研发情况 - 公司主要采用自主研发模式，设有工程技术研究中心并建立奖励制度[71] - 公司研发项目主要来源于工程技术研究中心调研、销售部市场调研和客户定制化需求[72] - 漏电断路器专用集成电路、一种倒装GaN功率器件封装、一种提高SiC功率器件浪涌电流及双面散热的封装研发项目完成[176] - 可控硅模块塑封工艺开发实现4000V绝缘耐压和150℃结温考核[178] - 低应力结构全塑封绝缘封装(TO - 220FP)相同面积芯片浪涌电流提高15%，Rthjc热阻降低30%[180] - 低热阻大电流功率MOSFET电阻RDSON降低30%[180] - 硼隔离扩散工艺需耗时168 - 250h，蒸发铝膜隔离扩散工艺时长<40h[180] - 功率器件先进封测技术开发扩展公司产品从传统晶闸管TO平台到功率器件DFN平台，应用从消费类扩展到工业和车规类[178] - 可控硅平面技术开发可大量减少化学试剂、含铅物质的使用，平面可控硅实现150℃结温[178] - 关于翘曲芯片自动搬运和测试的开发具备翘曲芯片自动搬运和测试量产能力[178] - 关于一种大芯片产品键合压合制具的开发具备大芯片铝带键合量产能[178] - MSOFET铜片(Clip)产品封装开发解决clip bond真空回流炉效率低的问题，全面提升clip bond工艺生产效率[178] - 切割产品封装开发的DFN2x2 Sawing产品可靠性通过，实现自动化工艺流程并大规模量产[178] - 公司搭建40V - 150V车规级NSGT平台，进行车规级MOSFET关键核心芯片研制生产[182] - 公司开展第三代半导体SiC MOSFET合作研发，搭建800V - 1200V车规级SiC MOSFET平台[182] - 公司与中科院联合开发应用于汽车电子的IGBT产品，搭建650V及以上车规级IGBT平台[182] - 30V - 40V N沟道低压分离栅MOSFET产品设计项目完成，Rsp性能对标英飞凌S5代产品基本接近[182] - 100V - 150V N沟道中压分离栅MOSFET产品设计项目完成，Rsp性能对标英飞凌S5代产品基本接近[182] - 低压沟槽MOSFET器件研究开发项目完成，面积可减少10 - 20%节省成本[184] - 60VN低导通电阻分离栅MOSFET研究开发项目完成，相比普通分离栅产品RSP性能提升30% [184] - 1000V以上超高压平面MOSFET研究开发项目完成，优化平面器件元胞结构不增加成本[184] - 自带ESD保护结构的沟槽MOSFET研究开发项目完成，栅源之间ESD水平人体模式（HBM）标准下大于2.0KV [184] - 低热阻大电流功率MOSFET项目电阻RDSON降低30%[188] - 高阻断电压、高雷击能力的斩波保护器件项目单芯片半导体放电管击穿电压≥1000V，双芯片/多芯片叠片封装击穿电压≥2000V[189] - 高电流密度、低残压过压保护器件项目制造出用于低压3.3V/4.5V/5V的产品[189] - 新型氮化镓电力电子元件项目设计开发额定电压100V - 600V的大电流Si基GaN电力电子器件全套研制流程[189] - 新型功率器件和模块项目完成SiC功率JBS的专用测试电路和测试方法等研究[189] - 低阳极注入率的局域寿命控制高速软快恢复二极管项目完成工艺开发和产品研制[189] - 车规级超大通流能力的电压斩波器件封装技术项目产品采用GPP钝化等工艺提高通流能力和可靠性[189] - 高速软快恢复二极管相同面积芯片较普通快恢复二极管芯片通流能力提升50%以上[191] - 2021年研发人员数量为368人，较2020年的208人增长76.92%[195] - 2021年研发人员数量占比为20.80%，较2020年的16.26%增长4.54%[195] - 2021年本科研发人员151人，较2020年的77人增长96.10%[195] - 2021年硕士研发人员20人，较2020年的12人增长66.67%[195] - 2021年其他学历研发人员196人，较2020年的118人增长66.10%[195] - 2021年研发投入金额为131,608,600.62元，2020年为74,382,273.58元，2019年为37,177,104.15元[195] - 2021年研发投入占营业收入比例为7.42%，2020年为7.36%，2019年为5.52%[195] - 30岁以下研发人员占比60.87%，30 - 40岁占比33.33%，40岁以上占比219.05%[195] - 大功率半导体器件SGT技术搭建完整30V - 150V全系列NSGT平台并进入大规模量产[193] 公司客户与供应商 - 公司前五名客户2021年合计销售金额202,913,413.17元，占年度销售总额比例11.45%[172] - 公司前五名供应商2021年合计采购金额454,896,670.68元，占年度采购总额比例50.59%[172][174] 公司知识产权 - 本报告期公司取得发明专利2项，实用新型专利26项，新增注册商标87项[117] - 公司截至报告期末获得授权专利128件，其中发明专利21项、实用新型专利106项、外观专利1项，已受理发明专利101项、实用新型专利25项、外观专利3项[123] - 捷捷微电截至报告期末获得授权专利41项，其中发明专利11项、实用新型专利30项，申请受理专利31件，其中发明专利23项、实用新型专利8项[124] - 捷捷半导体截至报告期末获得授权专利71项，其中发明专利10项、实用新型专利60项、外观专利1项，申请受理专利48件，均为发明专利[124] - 捷捷上海截至报告期末获得授权专利13项，均为实用新型专利，申请受理专利21件，其中发明专利18项、外观专利3项[124] - 捷捷无锡截至报告期末获得授权专利3项，均为实用新型专利，申请受理专利13件，其中发明专利7项、实用新型专利6项[124] - 捷捷新材料截至报告期末申请受理专利16件，其中发明专利5件、实用新型专利11项