公司新产品发布 - 公司推出新一代Gen-3 'Fast' (G3F) 650 V SiC MOSFETs，采用热增强型、坚固、高速、表面贴装TOLL封装，适用于高功率、高可靠性应用 [1] - 该产品结合高功率能力和最佳的低导通电阻（20至55 mΩ），优化了最快开关速度、最高效率和增加功率密度，适用于AI数据中心电源、电动汽车充电、能源存储和太阳能解决方案 [2] - 公司GeneSiC产品采用专有的“沟槽辅助平面”技术，提供世界领先的效率性能，G3F MOSFETs在运行温度下可降低25°C，寿命比同类SiC产品长3倍 [3] 技术优势与应用 - 公司最新的4.5 kW AI电源系统参考设计采用G3F45MT60L（650V 40 mΩ, TOLL）G3F SiC MOSFET，峰值效率超过97%，功率密度为137 W/inch³，是全球最高功率密度的AI电源 [4] - TOLL封装相比传统D2PAK-7L，减少了9%的结到壳热阻（RTH,J-C），PCB占用面积减少30%，高度降低50%，尺寸缩小60%，并具有仅2 nH的封装电感，实现优异的快速开关性能和最低动态损耗 [5] 公司背景与市场定位 - 公司是唯一专注于下一代功率半导体的纯玩家，拥有10年的功率创新历史，GaNFast™功率IC集成了氮化镓（GaN）功率和驱动，具有控制、传感和保护功能，适用于电动汽车、太阳能、能源存储、家用电器/工业、数据中心、移动和消费市场 [7] - 公司拥有超过250项已发布或待批的专利，提供行业首个20年GaNFast保修，并是全球首个获得CarbonNeutral®认证的半导体公司 [7]