公司动态 - Navitas Semiconductor 发布了第三代汽车级 SiC MOSFET 产品组合，采用 D2PAK-7L 和 TOLL 表面贴装封装 [1] - 新产品已立即上市，客户可通过 info@navitassemi.com 获取更多信息 [6] 技术优势 - 公司专有的"沟槽辅助平面"技术提供世界领先的性能，在高温环境下表现优异 [2] - 第三代 Fast SiC MOSFET 在 EV 充电、牵引和 DC-DC 转换应用中提供高速、低温运行 [2] - 与传统器件相比，外壳温度降低高达 25°C，使用寿命延长 3 倍 [2] - 650 V 和 1,200 V 系列均通过 AEC Q101 认证 [5] 产品性能 - 第三代 Fast MOSFET 针对最快开关速度、最高效率进行优化，支持 EV 应用中更高的功率密度 [3] - 650 V 系列 RDS(ON) 范围为 20-55 mΩ，适用于 400 V EV 电池架构 [4] - 1,200 V 系列 RDS(ON) 范围为 18-135 mΩ，针对 800 V 系统优化 [4] - TOLL 封装相比 D2PAK-7L 减少 9% 结壳热阻，PCB 占用面积减少 30%，高度降低 50%，尺寸缩小 60% [5] - TOLL 封装仅 2 nH 的极低封装电感确保出色的快速开关性能和最低动态封装损耗 [5] 应用领域 - 产品适用于 EV 应用中的 AC 压缩机、车厢加热器、DC-DC 转换器和车载充电器 (OBC) [3] - 公司 EV 设计中心展示了领先的 OBC 系统解决方案，功率密度达 3.5 kW/升，效率超过 95.5% [3] 公司概况 - Navitas Semiconductor 是唯一专注于下一代功率半导体的纯业务公司 [7] - 公司成立于 2014 年，拥有超过 250 项已授权或待批专利 [7] - 提供 GaNFast™ 功率 IC 和 GeneSiC™ 功率器件，应用于 EV、太阳能、储能、家电/工业、数据中心、移动和消费市场 [7] - 公司提供行业首个 20 年 GaNFast 保修，是全球首个获得 CarbonNeutral® 认证的半导体公司 [7]