公司动态 - Tower Semiconductor 宣布基于其先进的 300mm RFSOI 技术生产 Wi-Fi 7 RF 前端模块 (FEM) 设备 [1] - 公司与 Broadcom 合作，实现了在单个 RFSOI 芯片上完全集成的 Wi-Fi FEM 设备 [1] - 该创新解决方案在性能和效率上优于现有的非 SOI 技术，为先进移动应用设定了新标准 [1] 技术优势 - Tower 的 RFSOI 技术使 Broadcom 能够设计和推出紧凑、高性能的 Wi-Fi 7 FEM [2] - 该技术满足了移动 Wi-Fi 应用对尺寸和功率效率的严格要求 [2] - 高度集成的工艺减少了芯片面积，同时支持新功能和频段 [2] - RFSOI 技术平台提供了业界领先的硅基开关和 LNA 性能 [2] - 集成 PA 设备消除了信号在独立芯片间传播的额外损耗 [2] - 高电阻率 SOI 衬底通过支持高质量因数的电感器等无源元件，提高了 PA 效率 [2] 合作与市场影响 - Tower 与 Broadcom 的合作扩展了其 RFSOI 平台，为集成前端模块设计提供了创新的架构选择 [2] - 合作包括独特的 LNA 和功率放大器设备，以及用于逻辑区域尺寸缩减的高门密度标准单元 [2] - Broadcom 在 RF FEM 产品设计方面的能力与 Tower 的技术优势互补，使两家公司实现了前所未有的性能和集成 [2] 公司背景 - Tower Semiconductor 是高价值模拟半导体解决方案的领先代工厂 [4] - 公司为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等增长市场提供技术、开发和工艺平台 [4] - Tower Semiconductor 拥有广泛的定制工艺平台，包括 SiGe、BiCMOS、混合信号/CMOS、RF CMOS、CMOS 图像传感器、非成像传感器、显示器、集成电源管理 (BCD 和 700V)、光子学和 MEMS [4] - 公司在以色列、美国、日本和意大利拥有多个制造设施，并与 Intel 共享新墨西哥工厂的 300mm 产能 [4]