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RTX to develop ultra-wide bandgap semiconductors for DARPA
RTXRaytheon Technologies(RTX) Prnewswire·2024-10-02 13:00

文章核心观点 Raytheon获DARPA三年两阶段合同 开发基于金刚石和氮化铝技术的超宽带隙半导体 有望革新半导体电子技术 [1] 合同内容 - 合同分两阶段进行 第一阶段开发金刚石和氮化铝半导体薄膜并集成到电子设备 第二阶段优化技术并应用于更大直径晶圆用于传感器应用 [2] - 工作在公司位于马萨诸塞州安多弗的工厂进行 [4] 公司优势与材料特性 - Raytheon在为国防部系统开发类似材料方面经验丰富 将结合过往经验和先进微电子专业知识推动材料成熟应用 [3] - 超宽带隙半导体材料特性独特 相比传统半导体技术优势多 可实现高紧凑、超高功率射频开关等 且导热性高 能在高温和极端环境下运行 [3] 项目目标 - 团队目标是推动材料开发 使其适用于现有和未来雷达及通信系统 扩展其能力和范围 [4] 公司介绍 - Raytheon是RTX旗下业务 是领先国防解决方案提供商 百年来在多领域开发新技术和提升现有能力 [5] - RTX全球员工超18.5万 推动技术和科学发展 旗下有多家领先企业 2023年销售额690亿美元 总部位于弗吉尼亚州阿灵顿 [6]