文章核心观点 - 公司成功研发了8英寸电阻法碳化硅单晶炉,解决了碳化硅"盲盒生长"的瓶颈,让晶体生长过程可视可监测[1] - 该单晶炉采用多加热器布局,可有效控制温度梯度,破解了行业痛点[1][2] - 该设备的研发大幅缩短了工艺开发周期,为8英寸碳化硅衬底量产提供了设备基础[1][3] 行业概况 - 碳化硅作为第三代半导体材料,具有耐高压、低损耗和高频等优势,被广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、5G通信等领域[1] - 根据预测,到2028年全球碳化硅器件市场规模有望增长至89.06亿美元,市场规模呈现稳步扩大的趋势[1] - 碳化硅材料的生长条件更为苛刻,温度需要在2200℃以上,对工艺控制要求更高[1] 公司发展 - 公司早在研发半导体单晶硅炉时就采取了提供整套服务方案的路径,为客户提供设备、热场系统及工艺设计[3] - 公司2016年首台12英寸半导体级单晶硅炉研制成功,2018年实现国产量产[3] - 公司2017年捕捉到碳化硅业务机遇,2018年首台碳化硅单晶炉产品正式交付[3] - 公司8英寸碳化硅长晶设备已完成验证,开启批量交付进程,预计今年四季度总产能将达到每年1400台左右[4] - 公司正在积极布局碳化硅外延和切割设备的开发工作[5] 行业发展前景 - 国内碳化硅衬底厂商将更需要本土设备供应商的支持,国产设备目前缺乏大批量使用的案例[5] - 未来2-3年内,在产业界同仁的共同努力下,中国在碳化硅衬底的整体技术水平有望达到国际一流水准[5]