产品发布与技术优势 - Vishay Intertechnology推出新型150 V TrenchFET® Gen V n-channel功率MOSFET，型号为SiRS5700DP，采用PowerPAK® SO-8S封装 [1] - 与上一代PowerPAK SO-8产品相比，SiRS5700DP的整体导通电阻降低68.3%，导通电阻与栅极电荷乘积（FOM）降低15.4%，热阻降低62.5%，连续漏极电流提升179% [1] - 该器件在10 V电压下的导通电阻为5.6 mΩ，FOM为336 mΩ*nC，为行业最低水平，显著减少传导损耗 [2] - PowerPAK SO-8S封装的热阻低至0.45 °C/W，支持高达144 A的连续漏极电流，提升功率密度并增强SOA能力 [2] 应用场景与市场定位 - SiRS5700DP适用于同步整流、DC/DC转换器、热插拔开关和OR-ing功能 [3] - 典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、电信电源、太阳能逆变器、电机驱动、电动工具和电池管理系统 [3] - 该器件符合RoHS标准且无卤素，经过100% Rg和UIS测试，符合IPC-9701温度循环标准，可靠性更高 [3] 产品供应与公司背景 - SiRS5700DP样品和量产产品现已上市 [4] - Vishay Intertechnology是全球领先的离散半导体和被动电子元件制造商，产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子、电信、军事、航空航天和医疗市场 [5] - 公司为财富1000强企业，在纽约证券交易所上市（代码：VSH） [5]