文章核心观点 Navitas Semiconductor宣布其GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体技术被戴尔60W至360W笔记本适配器采用 ，该技术能助力戴尔实现高速充电、提升效率、降低能耗和减少碳排放 [1][4][5] 分组1：Navitas技术优势 - GeneSiC凭借超20年SiC技术领先地位 ，采用专利“沟槽辅助平面”技术和第5代GeneSiC碳化硅二极管 ，结合专有“低拐点”技术实现高速高效运行 [2] - Navitas的GaNFast功率IC可实现高频高效功率转换 ，与传统硅功率器件设计相比 ，功率提升3倍、充电速度加快3倍 ，且尺寸和重量减半 [3] 分组2：对戴尔的影响 - Navitas GaN和SiC技术使戴尔能提供高速充电 ，具备高效、低温、小巧和低材料用量的特点 ，还助力戴尔扩大其笔记本GaN适配器产品组合 [4] - 新适配器有助于戴尔实现可持续发展目标 ，减少二氧化碳排放和能源消耗 ，适配器外壳塑料用量最多减少50% ，采用回收材料 ，降低能源浪费和提高资源利用率 [5] 分组3：Navitas公司介绍 - Navitas Semiconductor是唯一专注于下一代功率半导体的公司 ，2014年成立 ，拥有10年功率创新经验 [7] - GaNFast功率IC集成氮化镓功率和驱动以及控制、传感和保护功能 ，实现更快充电、更高功率密度和更多节能 ；GeneSiC功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [7] - 公司目标市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 ，拥有超300项已授权或待授权专利 ，提供行业首个也是唯一的20年GaNFast保修 ，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [7]