文章核心观点 - Navitas Semiconductor的GaNFast和GeneSiC功率技术应用于戴尔60W至360W笔记本适配器，带来便携性、效率和可持续性提升 [1][10] 技术优势 - GeneSiC凭借超20年SiC技术领先地位，以专利“沟槽辅助平面”技术和第5代SiC二极管，结合专有“低拐点”技术，实现高速高效运行且散热好 [2] - Navitas的GaNFast功率IC实现高频高效功率转换，与传统硅功率器件设计相比，功率提升3倍、充电速度加快3倍，尺寸和重量减半 [3] 对戴尔产品的影响 - Navitas的GaN和SiC技术使戴尔笔记本适配器实现高速充电、高效率、低温运行、小尺寸和低材料用量，戴尔最新AI笔记本系列配备专用AI引擎NPUs，其GaN适配器产品线为行业最广泛 [4] - 新适配器助力戴尔实现可持续发展目标，减少二氧化碳排放和能源消耗，适配器外壳塑料用量最多减少50%，采用回收材料，降低能源浪费和提高资源利用率，同时通过提高系统集成度和开关频率减少组件数量和尺寸，降低生产、包装和物流过程中的碳足迹，每个GaNFast功率IC和SiC MOSFET相比传统硅功率芯片分别节省4kg和25kg二氧化碳排放 [5] 公司介绍 - Navitas Semiconductor是唯一专注于下一代功率半导体的公司，2014年成立，有10年功率创新历史，GaNFast功率IC集成氮化镓功率和驱动等功能，实现快速充电、高功率密度和节能，GeneSiC功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性碳化硅解决方案，目标市场包括AI数据中心等多个领域，拥有超300项已授权或待授权专利，提供行业首个也是唯一的20年GaNFast保修，是全球首个获得碳中和认证的半导体公司 [7]