文章核心观点 Navitas Semiconductor将参加APEC 2025，展示GaN和SiC宽带隙技术的最新进展及“电力转换范式”，其展位将展示从传统硅向新一代清洁能源半导体的转变 [1][2] 公司参会信息 - 公司将参加APEC 2025，展示GaN和SiC宽带隙技术在AI数据中心、EV和移动应用方面的最新进展 [1] - APEC于3月16 - 20日在亚特兰大佐治亚世界会议中心举行，公司“Planet Navitas”展位（1107号）将展示从传统硅向GaN和SiC功率半导体的转变 [2][7] - 公司将参加行业会议，展示电力电子领域的最新成果 [3] 技术展示亮点 电力转换范式突破 - 公司将在3月12日直播新闻发布会上公布电力转换的突破性进展 [1][5] 具体技术成果 - 世界首个8.5 kW AI数据中心电源，采用高功率GaNSafe™功率IC和第三代快速SiC MOSFET，效率达98% [5] - 世界最高功率密度AI电源，为最新AI GPU提供4.5 kW功率，功率密度达137 W/in，效率超97% [5] - “IntelliWeave”专利数字控制技术，结合高功率GaNSafe™和第三代“Fast”SiC MOSFET，PFC峰值效率达99.3%，功率损耗降低30% [5] - 中压GaNFast FET，适用于48V AI数据中心电源、下一代EV平台和基于AI的机器人 [5] - GaNSlim™，新一代高度集成的GaN功率IC，适用于移动设备充电器、电视电源和照明系统 [5] - 汽车级（AEC - Q101）第三代快速SiC MOSFET，采用“沟槽辅助平面”技术，支持更快充电的EV和更强大的AI数据中心 [5] - SiCPAK™高功率模块，采用“沟槽辅助平面”栅极技术和环氧树脂灌封，用于EV充电、驱动器、太阳能和储能系统 [5] 技术新进展 - GeneSiC MOSFET针对EV牵引模块优化，有额外筛选和烧结用金金属化 [5] - GaNSense™电机驱动IC，具有双向无损电流感应、电压感应和温度保护功能 [5] 技术演讲安排 - 3月19 - 20日有“电力电子营销与技术趋势”演讲，Stephen Oliver任会议主席 [4] - “GaNSlim Power IC & DPAK - 4L封装实现100W、100cc、PD3.1连续功率解决方案，效率95%”，Tom Ribarich演讲 [5] - “使用双向GaN开关的500kHz逆变器设计”，Jason Zhang演讲 [5] - “推进电源解决方案：为下一代应用集成宽带隙技术”，Llew Vaughan - Edmunds任会议主席 [5] - “WBG转换器设计”，Jason Zhang任会议主席 [5] 公司介绍 - Navitas Semiconductor是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，有10年功率创新历史 [4] - GaNFast™功率IC集成GaN功率和驱动，具有控制、传感和保护功能；GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性SiC解决方案 [4] - 公司专注市场包括EV、太阳能、储能、家电/工业、数据中心、移动和消费领域 [4] - 公司拥有250多项已授权或待授权专利，有行业首个也是唯一的20年GaNFast保修，是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [4][6] 联系方式 - 产品管理与营销高级总监Llew Vaughan - Edmunds，邮箱info@navitassemi.com [7] - 企业营销与投资者关系副总裁Stephen Oliver，邮箱ir@navitassemi.com [7] - 公告配图链接https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/440b0960 - 3d04 - 4971 - ab04 - 797bd1fff72e [7]