文章核心观点 - 纳微半导体宣布世界首个量产发布的650V双向GaNFast IC和高速隔离栅极驱动器的最新突破，单级BDS转换器实现从两级到单级拓扑的转变，为多个市场带来数十亿美元的机会 [1] 公司产品突破 - 公司宣布世界首个量产发布的650V双向GaNFast IC和高速隔离栅极驱动器，单级BDS转换器实现从两级到单级拓扑的转变，目标应用广泛，为电动汽车充电、太阳能逆变器、储能和电机驱动等带来数十亿美元市场机会 [1] 产品优势 - 超70%的高压功率转换器使用两级拓扑，系统大、损耗高且昂贵，双向GaNFast将两级整合为单级，消除了笨重的电容器和输入电感器，是电动汽车车载充电器的终极解决方案 [2] - GaNFast单级转换器可实现高达10%的成本节约、20%的能源节约和高达50%的尺寸减小 [3] - 双向GaNFast功率IC可双向阻断电压和允许电流流动，效率最高，采用单芯片设计，一个双向GaNFast IC可替代多达4个旧开关，提高系统性能同时降低元件数量、PCB面积和系统成本 [4][5] - 高速IsoFast设备是优化驱动双向GaN的高速驱动器，瞬态抗扰度比现有驱动器高4倍，无需外部负偏置电源，可在高压系统中提供可靠、快速、准确的功率控制 [7] 产品情况 - 初始650V双向GaNFast IC包括NV6427和NV6428，采用热增强、顶部冷却的TOLT - 16L封装，未来产品系列将扩展到更低导通电阻的产品 [6] - 高速IsoFast初始产品为NV1702和NV1701，采用SOIC - 16N和SOIC - 14W封装 [7] - 双向GaNFast IC已完全合格，可立即大规模量产，IsoFast样品已向合格客户提供，单级评估板和用户指南也向合格客户提供 [9] 公司展望 - 公司CEO认为这些IC在半导体和系统层面是改变游戏规则和具有颠覆性的技术，将以最可持续的方式改变多个数十亿美元的市场，单级BDS转换器是双向能量流动的关键 [8] 公司展示与联系 - 公司将在2025年3月17 - 19日亚特兰大的APEC电力电子会议1107展位展示双向GaNFast IC和IsoFast [10] - 如需进一步信息可联系info@navitassemi.com或访问www.navitassemi.com [9] 公司简介 - 纳微半导体是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，拥有10年功率创新历史，GaNFast功率IC集成氮化镓功率和驱动，GeneSiC功率器件是优化的碳化硅解决方案，专注市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能等，拥有300多项专利，是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [11]