文章核心观点 - 公司推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET，为电信、工业和计算应用提供高效率和功率密度 [1] 产品特性 - 相比前代产品，n沟道SiHK050N65E导通电阻降低48.2%，电阻乘以栅极电荷降低65.4% [1] - 基于最新节能E系列超结技术，10 V时典型导通电阻低至0.048 Ω，适用于> 6 kW应用 [3] - 具备50 V额外击穿电压，可应对200 VAC至277 VAC输入电压和Open Compute Project的Open Rack V3标准 [3] - 栅极电荷低至78 nC，品质因数为3.74 ΩnC，可降低传导和开关损耗，提高效率 [3] - 在硬开关拓扑中，典型有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别为167 pF和1119 pF，电阻乘以Co(er)品质因数为行业最低8.0 ΩpF [4] - 采用带Kelvin连接的PowerPAK® 10 x 12封装，可降低栅极噪声，提高dv/dt鲁棒性 [4] - 符合RoHS标准且无卤，通过100% UIS测试，可承受雪崩模式下的过电压瞬变 [4] 应用领域 - 支持电力转换过程各阶段，满足电力系统架构前两个阶段功率因数校正和后续DC/DC转换器模块对效率和功率密度的提升需求 [2] - 典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、UPS、高强度放电灯和荧光镇流器照明、电信开关电源、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动器和电池充电器等 [2] 产品供应 - SiHK050N65E样品和量产产品现已上市，如需交货时间信息可联系当地销售办事处 [5] 公司概况 - 公司制造全球最大的分立半导体和无源电子元件产品组合之一，服务于汽车、工业、计算、消费、电信、军事、航空航天和医疗等市场 [6] - 公司是一家在纽约证券交易所上市的财富1000强公司 [6]