文章核心观点 拓荆科技（上海）有限公司申请"背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用"专利，该专利在半导体领域有增加传统晶圆背面沉积薄膜可选择性等优势，同时介绍了公司基本信息 [1][2] 公司信息 - 拓荆科技（上海）有限公司成立于2020年，位于上海市，以从事科技推广和应用服务业为主 [2] - 企业注册资本135253.79万人民币，实缴资本95253.78万人民币 [2] - 公司参与招投标项目19次，有商标信息1条，专利信息243条，拥有行政许可11个 [2] 专利信息 - 公司申请名为"背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用"的专利，公开号CN 119694881 A，申请日期为2024年12月 [1] - 该专利属于半导体领域，可增加传统晶圆背面沉积薄膜的可选择性 [1] - 相同膜厚条件下，非晶相碳膜应力和翘曲与SiN相近，可实现对翘曲较大的工艺片或结构片的应力中和 [1] - 非晶相碳膜在高温下具有较好粘附力，可实现以上厚度的薄膜沉积 [1] - 晶圆背面沉积的SiN、SiO薄膜需通过(磷酸或氢氟酸)湿法去除，而非晶相碳膜可通过与等离子体激发下氧离子反应原位去除，副产物主要为二氧化碳 [1]