文章核心观点 中芯国际旗下三家公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该方法可提高器件集成度，同时介绍了中芯国际集成电路制造(北京)有限公司的基本情况 [1][2] 专利申请情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)、中芯京城集成电路制造（北京）、中芯国际集成电路制造(上海)申请“半导体结构及其形成方法”专利，公开号CN 119833523 A，申请日期为2023年10月 [1] - 专利方法包括提供存储晶圆和第一衬底、形成第一器件层、键合、形成阱区、导电插塞和互连结构等步骤，可使各晶圆竖直电连接，减小水平芯片面积，提高器件集成度 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，位于北京，从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本100000万美元，对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，拥有行政许可226个 [2]