文章核心观点 公司发布采用环氧树脂灌封技术的最新SiCPAK™功率模块，适用于多种高功率环境，具有高可靠性和高温性能优势 [1] 产品特点 - 采用先进环氧树脂灌封技术，能防止湿气侵入，减少功率和温度变化导致的性能下降，可耐受高湿度环境并实现稳定热性能 [2] - 经过1000次热冲击测试（-40°C至+125°C），热阻增加比传统硅胶填充盒式模块低5倍，且在隔离测试中能保持可接受的隔离水平 [3] - 基于超20年碳化硅创新领导地位的GeneSiC™“沟槽辅助平面碳化硅MOSFET技术”，可实现行业领先的温度性能，降低20%的损耗，运行更凉爽，具备出色的耐用性 [4] - “沟槽辅助平面”技术使RDS(ON)随温度升高的增幅极低，在更宽的工作范围内实现最低功率损耗，在高温电路运行时比竞争对手的RDS(ON)低20% [5] - 所有GeneSiC™碳化硅MOSFET具有最高公布的100%测试雪崩能力，短路耐受能量提高30%，阈值电压分布紧密，便于并联 [5] 产品规格 - 1200V SiCPAK™功率模块内置NTC热敏电阻，有4.6mΩ至18.5mΩ的额定值，提供半桥、全桥和3L - T - NPC电路配置 [6] - 与行业标准压接式模块引脚兼容，还可选预涂热界面材料以简化组装 [6] 产品供应 - 模块已发布并可立即投入大规模生产，数据手册可在指定网址查看 [7] 公司介绍 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，拥有10年功率创新历史 [8] - GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动以及控制、传感和保护功能，可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 [8] - 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [8] - 专注市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 [8] - 拥有超300项已授权或待授权专利，提供行业首个也是唯一的20年GaNFast质保，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8]