中国EUV光源技术突破 - 中国研究人员建立运行参数具有国际竞争力的EUV光源实验平台 该平台对自主开展EUV光刻及其关键器件与技术的研发工作具有重要意义[1] - 研究团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所 由前ASML光源技术负责人林楠领导[1][4] - 团队开发出LPP-EUV光源 这是光刻机的核心部件 可能成为中国半导体行业的重大突破[7] 技术细节与性能 - 团队建立的实验平台基于固体激光器技术 与ASML采用的二氧化碳激光驱动技术不同[8] - 团队获得的最大转换效率为3.42% 处于国际靠前水平 超过商业化二氧化碳激光驱动EUV光刻光源效率的一半[10][11] - 理论最大转换效率可能接近6% 团队计划进一步研究以优化结果[2][11] 国际比较与行业背景 - 商用二氧化碳激光驱动的EUV光源转换效率约为5.5%[11] - 团队效率超过荷兰ARCNL在2019年记录的3.2%和瑞士苏黎世联邦理工学院在2021年记录的1.8%[11] - 但落后于美国中佛罗里达大学2007年的4.9%和日本宇都宫大学去年的4.7%[11] 行业影响与市场动态 - EUV光刻机已成为高端芯片大规模量产不可或缺的设备 目前仅ASML能够制造但对中国禁售[13] - ASML 2024年净销售额282.63亿欧元 同比增长2.55% 净利润75.71亿欧元 同比降低3.4%[16] - 中国大陆首次成为ASML第一大市场 销售额101.95亿欧元 占其全球总营收约36.1%[16] - ASML计划2025年在北京建立新的回收与维修中心[15]