文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该专利利于实现更多器件功能、提高电路多样性，同时介绍了两家公司的基本信息[1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119920780A，申请日期为2023年10月 [1] - 该专利方法包括提供含器件区和互连区的基底、在器件区基底上形成器件、形成覆盖器件和基底的介质层、形成通孔互连结构、对基底背向介质层一面进行减薄处理直至露出通孔互连结构，有利于实现更多器件功能，提高半导体结构的电路多样性 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 - 成立于2002年，位于北京市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，拥有行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 - 成立于2000年，位于上海市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业，参与招投标项目117次，有商标信息149条、专利信息5000条，拥有行政许可443个 [2]