文章核心观点 公司推出具有高可靠性、高性能和优化高爬电封装的产品，为汽车和工业应用设定新基准 [1][14] 公司介绍 - 公司是唯一纯-play、下一代功率半导体公司，在氮化镓（GaN）功率 IC 和碳化硅（SiC）技术领域处于行业领先 [1] - 公司成立于 2014 年，拥有超 300 项专利，有行业首个且唯一 20 年 GaNFast 保修，是全球首个获得碳中和认证的半导体公司 [9] - 公司 GaNFast™ 功率 IC 集成氮化镓功率和驱动等，GeneSiC™ 功率器件是优化的碳化硅解决方案，聚焦 AI 数据中心、EV 等市场 [9] 产品特点 - 最新一代 650 V 和 1200 V “沟槽辅助平面” SiC MOSFETs 与优化的 HV - T2Pak 顶侧冷却封装结合，爬电距离达 6.45 mm，满足高达 1200V 应用的 IEC 合规性 [1] - HV - T2Pak SiC MOSFETs 显著提高系统级功率密度和效率，改善热管理，简化板级设计和可制造性 [2] - GeneSiC™ “沟槽辅助平面 SiC MOSFET 技术” 在高温电路运行时导通电阻比竞品低达 20%，开关品质因数优越，功率损耗低 [7] - 所有 GeneSiC™ SiC MOSFETs 雪崩能力 100% 测试，短路耐受能量出色，阈值电压分布窄，便于并联 [7] 产品应用 - 目标应用包括 EV 车载充电器（OBC）和 DC - DC 转换器、数据中心电源、住宅太阳能逆变器和储能系统（ESS）、EV 直流快速充电器和 HVAC 电机驱动器 [2] 产品标准 - 公司创建行业首个 “AEC - Plus” 基准，表明产品符合并超越现有 AEC - Q101 和 JEDEC 产品资格标准 [3] - “AEC - Plus” 资格标准扩展到严格的多批次测试和资格认证，新增动态反向偏置（D - HTRB）和动态栅极开关（D - HTGB）等要求 [4][11] 产品规格 - 初始 HV - T2Pak 产品组合包括导通电阻额定值为 18 mΩ 至 135 mΩ 的 1200 V SiC MOSFETs 和 20 mΩ 至 55 mΩ 的 650 V SiC MOSFETs [8] - 2025 年晚些时候将推出 HV - T2Pak 封装中导通电阻低于 15 mΩ 的 SiC MOSFETs [8] 封装设计 - HV - T2Pak 顶侧冷却封装采用行业标准紧凑外形（14 mm x 18.5 mm），封装模塑料有创新凹槽设计，不减小散热垫尺寸并确保最佳散热 [4] - 外露散热垫采用镍、镍磷（NiNiP）镀层，而非现有 TSC 封装解决方案的锡（Sn）镀层，有助于保持回流后表面平整度 [5]