文章核心观点 - Vishay Intertechnology推出新的80V TrenchFET Gen IV n沟道功率MOSFET SiEH4800EW，具备低导通电阻、低RthJC、节省空间等优势，适用于多种工业应用 [1] 产品特性 - 与同尺寸竞品相比，导通电阻低15%，RthJC降低18% [1] - 典型导通电阻在10V时低至0.88mΩ，最大RthJC为0.36°C/W，可减少传导功率损耗，提高热性能 [2] - 8mm x 8mm尺寸，比TO - 263封装的MOSFET节省50% PCB空间，高度仅1mm [2] - 采用融合式引脚，源极PAD可焊面积达3.35mm²，是传统PIN可焊面积的四倍，降低电流密度和电迁移风险 [3] - 可湿侧面增强可焊性，便于目视检查焊点可靠性 [3] - 适用于同步整流和OR功能，可在高达+175°C高温下工作，BWL设计减少寄生电感，提高电流能力 [4] - RoHS合规、无卤，100%进行Rg和UIS测试 [4] 应用领域 - 适用于电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机等 [4] 产品对比 | 对比项目 | SUM60020E | SiJH5800E | SiEH4800EW | | --- | --- | --- | --- | | 封装 | TO - 263 | PowerPAK 8x8L | PowerPAK 8x8SW | | 尺寸(mm) | 16 x 10 | 8.0 x 8.0 | 8.0 x 8.0 | | 高度(mm) | 4.8 | 1.7 | 1.0 | | VDS (V) | 80 | 80 | 80 | | VGS (V) | ± 20 | ± 20 | ± 20 | | 配置 | 单通道 | 单通道 | 单通道 | | VGSth (V) 最小值 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | | RDS(on) (mΩ) @ 10VGS 典型值 | 1.75 | 0.97 | 0.88 | | RDS(on) (mΩ) @ 10VGS 最大值 | 2.1 | 1.35 | 1.15 | | ID (A) 最大值 | 150 | 302 | 608 | | RthJC (C/W) 最大值 | 0.4 | 0.45 | 0.36 | | 融合式引脚 | 否 | 否 | 是 | [5] 供货情况 - SiEH4800EW样品和量产产品已可提供，交货周期13周 [7] 公司介绍 - Vishay生产全球最大的分立半导体和无源电子元件产品组合之一，服务于多个市场，是财富1000强公司，在纽约证券交易所上市 [8]