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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,在增加ESD结构的鲁棒性的同时,具有双向ESD保护特性
搜狐财经·2025-05-24 14:42

公司专利动态 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利,公开号为CN120035224A,申请日期为2023年11月 [1] - 专利涉及一种半导体结构,包括衬底、栅极结构、源区、漏区和体区,该设计在增加ESD结构鲁棒性的同时具备双向ESD保护特性 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年,注册资本10亿美元,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业,对外投资1家企业,参与招投标51次,拥有专利5000条和行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,注册资本24.4亿美元,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业,对外投资4家企业,参与招投标127次,拥有专利5000条和行政许可443个 [2] 公司业务活动 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司拥有商标信息149条 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司在财产线索方面有商标信息149条 [2]