金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国 际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号 CN120035224A，申请日期为2023年11月。 专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括绝缘层和位于绝缘层上 的衬底层，衬底层包括有源区；位于部分有源区上的栅极结构，栅极结构包括位于第一区上的若干主栅 极和位于第二区上的第一辅栅极，若干主栅极与第一辅栅极相接，若干主栅极平行于第一方向，且沿第 二方向排布，第一辅栅极平行于第二方向，第一方向和第二方向相互垂直；分别位于各主栅极两侧的第 一区内的源区和漏区，各漏区位于相邻源区之间，源区和漏区具有第一导电类型；位于第二区内的第一 体区，第一体区和主栅极分别位于第一辅栅极两侧，第一体区具有第二导电类型，第一导电类型与第二 导电类型不同，在增加ESD结构的鲁棒性的同时，具有双向ESD保护特性。 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事 计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10 ...