中国SiC碳化硅功率半导体产业发展路径 - 行业以IDM模式突破技术封锁，通过成本优势和资本耐力抢占市场，长期价值显著[1][24] - 港交所18C章为特专科技公司设计，放宽盈利要求，强调技术壁垒与商业化潜力，中国SiC企业符合"先进硬件"定位[6] - 行业收入CAGR达59.9%，研发投入占比超30%，毛利率从-48.6%改善至-9.7%，车规级模块占收入48.7%[8] 产能与市场竞争格局 - 无锡封装基地产能利用率52.6%，深圳光明晶圆厂45.2%，仍计划投资6.2亿元扩建深圳及中山基地[9] - 新能源汽车占全球SiC需求70%，中国企业凭借成本优势（6英寸衬底价格低50-70%）挤压美企在华市占从65%降至18%[19] - 行业陷入价格战，SiC器件均价3年暴跌76%，叠加产能利用率不足加剧成本压力[19] 技术突破与产业链整合 - 企业拥有163项专利+122项申请，通过AEC-Q101和AQG324认证，HTGB测试3000小时无失效[17] - 中国SiC专利2025年Q1全球占比达35%，8英寸衬底成本降至国际水平的30%[17] - IDM模式实现全链条整合，车规模块获20家车企超50款车型design-win，8款量产上车，出货超9万件[18] 供应链与地缘挑战 - 高温离子注入机等核心设备80%依赖美日企业，3300V以上高压市场由英飞凌和三菱垄断[20] - 欧洲将SiC纳入战略储备，日本加速氧化镓研发，美国持续扩大贸易战加剧技术路线分化[21] 未来发展趋势 - 8英寸晶圆研发及扩产体现市场对技术拐点预期[21] - 头部企业从单一器件向"模块+驱动IC+仿真服务"集成，绑定49家车企深度合作[22] - 通过收购欧洲封装厂、建东南亚制造中心构建全球化供应链应对关税壁垒[23]