行业动态 - 软银与英特尔联合开发新一代AI内存芯片 功耗较现有技术降低50% [1] - 双方合资成立Saimemory公司 总投资100亿日元(约合7000万美元) 计划2020年代末实现商业化量产 [1] - 项目专注于研发堆叠式DRAM芯片 创新布线结构显著降低功耗 对比现行高带宽内存(HBM) [1] - 当前HBM市场由韩国SK海力士和三星电子主导 但面临良率低 成本高 能耗大等痛点 [1] 公司战略 - 软银主导出资30亿日元 日本理化学研究所及新光电气工业考虑参与合作 [1] - 合资企业整合英特尔技术专利 吸收东京大学等日本学术机构研究成果 [1] - 软银计划将新型内存技术应用于AI训练数据中心 应对海量数据处理的高算力需求 [2] - 公司近期斥资6 76亿美元收购夏普LCD工厂 拟在大阪建设150兆瓦级AI数据中心 [2] 市场背景 - 日本半导体产业复兴雄心 1980年代失去70%以上DRAM市场份额 [2] - 日本最后一家DRAM制造商尔必达2013年破产后被美光科技收购 [2] - 软银强调"必须确保供应优先权" 凸显技术对AI数据中心战略布局的关键意义 [1] - 公司深化与OpenAI合作 完善AI基础设施战略布局 [2]