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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,降低了引出结构发生漏电的可能性
搜狐财经·2025-06-21 19:56

公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利,公开号为CN120184119A,申请日期为2023年12月 [1] - 专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法,通过在改性区进行改性处理以增强导电性,并在引出结构两侧施加相同电位,从而降低漏电可能性 [1] - 专利技术的关键步骤包括:提供第一衬底、形成第一器件层、在引出区内形成第一开口、以及在各第一开口底部形成引出结构 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年,注册资本为100000万美元,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资了1家企业,参与招投标项目51次,拥有专利信息5000条和行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,注册资本为244000万美元,主要从事专用设备制造业 [2] - 该公司对外投资了4家企业,参与招投标项目127次,拥有商标信息150条、专利信息5000条和行政许可442个 [2]