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光刻技术“神坛”崩了,巨头纷纷退货,“平替”杀来了!
新浪财经·2025-06-27 18:22

光刻机技术趋势 - High-NA EUV光刻机从"天价顶配"变为"仓库积灰",英特尔、台积电、三星均推迟使用计划 [1][3][6] - High-NA EUV售价3.78亿美元,比普通EUV贵近一倍,台积电通过现有EUV+多重曝光技术实现1.4nm制程 [6] - 三星将DRAM生产中的High-NA EUV应用推迟至2030年,因3D DRAM架构无需光刻技术 [6] 刻蚀技术崛起 - 3nm以下制程中刻蚀步骤占比超50%,GAAFET架构依赖刻蚀机完成三维结构雕琢 [7][8] - 刻蚀机厂商Lam Research和东京电子订单排至2026年,ASML 2024年EUV出货量仅44台,低于预期10台 [8] - 芯片制造逻辑从"二维压缩"转向"三维堆叠",刻蚀技术成为核心 [8] ASML市场地位变化 - 2024年ASML光刻机总销量418台,中国大陆贡献36.1%收入(约797亿人民币),DUV需求旺盛 [9] - High-NA EUV面临销售困境,ASML路线图显示现有EUV技术仅能支持至2027年1.4nm制程 [10] - 新兴技术如EUV-FEL光源、原子光刻、纳米压印可能颠覆ASML垄断地位 [11] 半导体行业新逻辑 - 摩尔定律逼近物理极限,行业转向三维堆叠、Chiplet和新材料以提升性能 [12] - 光刻技术重要性下降,行业竞争焦点转向架构优化和成本控制 [12][14] - 中国在成熟制程设备自主化进展显著,未来可能改变全球供应链格局 [11][14]