专利技术突破 - 中芯国际及其关联公司申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120237113A，申请日期为2023年12月 [1] - 该专利技术通过优化半导体结构设计，包括衬底、互连通孔、电极层和隔离层等，缩小了互连通孔内隔离层的形成空间，从而减少了隔离层的形成厚度，提升了加工效率 [1] - 专利技术还通过在第二面和导电层表面形成钝化层，避免了导电层开裂的风险，极大提升了半导体结构的良率 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯京城集成电路制造（北京）有限公司成立于2020年，注册资本50亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，参与招投标34次，拥有专利14条，行政许可248个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有商标150条，专利5000条，行政许可442个 [2] 研发实力 - 中芯国际及其关联公司在半导体制造领域展现出强大的研发实力，仅中芯国际(北京)和(上海)两家公司就各自拥有5000条专利信息 [2] - 中芯京城虽然成立时间较短(2020年)，但已拥有14条专利信息，显示出快速发展的研发能力 [2]