公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请了一项名为"反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法"的专利，公开号CN120261440A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及反熔丝结构，包括第一晶体管结构、第二晶体管结构和电容结构，通过控制第二晶体管结构工作在饱和区，提升反熔丝结构的编程效果和可靠性 [1] - 专利摘要详细描述了反熔丝结构的具体组成和工作原理，包括第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极、第二漏极等关键部件 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本为244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目127次 [2] - 公司拥有商标信息150条，专利信息5000条，行政许可442个 [2]