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中芯国际申请半导体结构的形成方法专利,提升产品的良率
搜狐财经·2025-07-04 12:40

公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请了一项名为"半导体结构的形成方法"的专利,公开号CN120261287A,申请日期为2024年01月 [1] - 专利涉及一种半导体结构的形成方法,包括提供衬底、形成硅层、金属层、热处理和酸洗处理等步骤,旨在提升金属硅化物的生长质量和产品良率 [1] - 该技术通过优化工艺流程,减少对环境指标的依赖,解决了当前金属硅化物工艺对杂质污染敏感的问题 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年,注册资本100000万美元,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资1家企业,参与招投标52次,拥有专利信息5000条,行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,注册资本244000万美元,同样从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资4家企业,参与招投标127次,拥有商标信息150条,专利信息5000条,行政许可442个 [2]