硅电容技术特性 - 采用单晶硅衬底与半导体工艺实现三维微结构，具备高纯度电介质层，性能显著优于传统MLCC [3] - 容值稳定性比MLCC高10倍以上，温度/偏压/老化引起的容值漂移极低 [3] - 厚度可低于50微米，单位面积容量提升10倍，ESL和ESR极低，保障信号完整性 [3] - 单晶硅结构无晶界缺陷，彻底解决MLCC的微裂纹、压电噪声等问题 [3][5] 硅电容应用场景 - 5G/6G通信领域需高频特性与小型化，01005尺寸成为研发重点 [7] - 汽车电子中ADAS、LiDAR等应用要求耐高温(-55℃至+250℃)与耐高压 [8] - HPC与AI数据中心依赖超低ESL电容解决PDN供电网络挑战 [9] - 医疗设备、光通信等领域通过减少元件数量提升系统可靠性 [4][12] 硅电容与MLCC性能对比 - 电容稳定性：硅电容全工况无衰减，MLCC存在标称值与实际值差异 [5] - 高频阻抗：硅电容ESR/ESL超低，自谐振频率(SRF)更高 [5] - 可靠性：硅电容无压电效应，MLCC易因应力产生微裂纹 [5] - 供应链：硅电容可本土化生产，MLCC曾多次出现全球缺货 [5] 森丸电子产品矩阵 - DTC沟槽硅电容：深硅刻蚀工艺，容值0.08-4.6nF，ESR低至13mΩ，击穿电压150V，应用于光通信PDN网络 [11][14] - MIM表贴硅电容：平面薄膜工艺，容值0.2-15pF，温漂系数70ppm/°C，适合射频匹配电路 [20][23] - MIS硅电容：金属-绝缘体-半导体结构，容值0.8-100nF，耐压>150V，用于耦合/滤波器 [24][28] - 玻璃电容(GMIM)：玻璃基材机械稳定性强，容值0.1-2nF，击穿电压100-300V，适用高频射频领域 [30][33] 行业技术趋势 - 电容器向"五高一小"发展：高容、高频、耐高温、耐高压、高可靠性及小型化(如0201/01005尺寸) [6] - CPO封装技术推动超低ESL电容需求，HPC芯片功耗增长驱动电源完整性创新 [9] - 半导体工艺赋能无源元件集成，硅电容成为高性能电子系统的"性能心脏" [4][10]