碳化硅衬底加工技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心深圳平台（深圳平湖实验室）在碳化硅衬底加工领域取得里程碑式进展，自主研发的全自动化激光剥离系统将单片切割损耗从传统工艺的280-300微米降至75微米以下，单片成本降低26%，技术水平达到国际先进 [1] - 深圳平湖实验室聚焦SiC激光剥离新技术的研究与开发，旨在解决高损耗、低效率的瓶颈，促进大尺寸SiC衬底规模化产业应用 [1] - 2024年12月，深圳平湖实验室新技术研究部实现激光剥离单片总损耗≤120μm，单片切割时间30min，达到国内领先水平 [1] 技术参数对比 - 深圳平湖实验室6英寸碳化硅衬底单片总损耗为575微米，8英寸为642微米，切割时间≤20分钟 [3] - 对比国际厂商Disco和Infineon的6英寸碳化硅衬底，单片总损耗分别为100微米和80微米，切割时间分别为-20分钟和30分钟 [3] 技术优化与产业化进展 - 2025年6月，深圳平湖实验室实现激光剥离单片总损耗≤75μm，单片切割时间20min，单片成本降低约26%，单台设备切割时间从60分钟/片缩短至20分钟/片 [4] - 结合智能化产线，产能提升3倍，已完成三批次小批量验证，良率100% [4] - 新能源汽车、光伏等领域对碳化硅需求激增，国产激光剥离技术的成熟将为产业链自主化注入强劲动力 [4]